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- [发明专利]单片膜的制造方法-CN201811548762.X有效
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中原亮;八幡直树
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住友化学株式会社
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2018-12-18
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2020-05-12
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B26F1/44
- 单片膜的制造方法，具有将具有n层(n为1以上的整数)粘合剂层的多层膜切断而由所述多层膜得到单片膜的切断工序，该切断工序包括：使压切刃从所述多层膜的第1表面朝向所述多层膜的第2表面而进入所述多层膜内，将所述多层膜切断的压切工序，在n层的所述粘合剂层内，将任一所述粘合剂层作为基准粘合剂层时，所述压切刃在该多层膜的第1表面的速度V(μm/秒)满足关系式(1)。t/V＜1/ω1 (1)[关系式(1)中，t表示多层膜的厚度(μm)，ω1表示基于动态粘弹性测定的测定值算出的储能模量显示3.0×105(Pa)时的频率(1/秒)，所述动态粘弹性测定的测定值为所述基准粘合剂层的温度20℃下的基于频率扫描的动态粘弹性测定的测定值]。
- 单片制造方法
- [发明专利]用于堆叠半导体芯片的粘合剂膜-CN200810003197.9有效
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沈昌勋;文基祯;全海尚;李準浩;朴允敏
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东丽世韩株式会社
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2008-01-15
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2008-09-17
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C09J7/02
- 本发明涉及一种用于堆叠芯片的粘合剂膜，该粘合剂膜能够使芯片多层地堆叠而无需使用单独的间隔片，所述单独的间隔片通常被提供以保持具有相同面积的上芯片和下芯片的导线之间的预定距离。本发明的粘合剂膜在放置环氧树脂的热固性粘合剂层的两侧上分别具有热塑性苯氧基树脂的中间粘合剂层，以制成三层结构，所述热塑性苯氧基树脂包含可UV固化的小分子化合物。本发明的粘合剂膜是通过包括下列步骤的方法生产的多层粘合剂膜：在热固性环氧树脂和热塑性苯氧基树脂之间的界面上实现相容性，然后在粘合剂膜中通过UV固化直接形成高弹性模量的苯氧基膜。采用这样的构造，根据本发明的用于堆叠半导体芯片的粘合剂膜能够使半导体硅芯片以3层或更多层堆叠，而无需使用为在堆叠芯片中保持上下芯片之间的导线距离而在芯片之间使用的单独的间隔片。采用该构造有利的是，半导体的可靠性不降低，这是因为尽管有堆叠芯片的经历高温的重复过程，但粘合性仍得以保持。
- 用于堆叠半导体芯片粘合剂
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