专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]导线温度探针-CN92223345.4无效
  • 张立儒;牛金满 - 天津大学
  • 1992-06-04 - 1993-04-14 - G01K7/22
  • 本实用新型公开了一种导线温度探针,它包括半导体热敏电阻(1)和导线(2)。导线(2)是由两条耐温塑料介质(3)及其两边上的碳膜(4)构成。所述碳膜(4)由碳酚醛环氧树脂经过一定的热处理工艺形成的。所述半导体热敏电阻(1)与导线(2)由上述碳酚醛环氧树脂构成的导电胶(5)粘接。
  • 导线温度探针
  • [发明专利]一种忆器及其制备方法和应用-CN202111192931.2在审
  • 葛军;马泽霖;曹栩诚;陈莞君;刁山青;潘书生 - 广州大学
  • 2021-10-13 - 2022-02-11 - H01L45/00
  • 本发明公开了一种忆器及其制备方法和应用,该忆器包括从上到下依次设置的顶电极、变层及底电极,所述底电极为硅衬底,所述变层为硅衬底表面形成的天然氧化层。本发明中的忆器采用天然氧化层作为变层,天然氧化层是由空气自然氧化形成,具有厚度薄、与硅衬底之间几乎完美的接触界面、表面原子级别光滑、无需人工制备、成本低、与互补金属氧化物半导体工艺兼容等优势,克服了本领域普遍认为的硅衬底表面的天然氧化层不利于忆器性能的技术偏见此外,本发明中的忆器同时具有优异的数据保持能力、稳定性、模拟开关特性三种性能。
  • 一种忆阻器及其制备方法应用
  • [发明专利]一种氢渗透涂层的低氮纯氢化钙及其制备方法-CN201710148821.3在审
  • 刘金财 - 刘金财
  • 2017-03-14 - 2017-08-11 - C01B6/04
  • 本发明提供一种氢渗透涂层的低氮纯氢化钙及其制备方法,该氢渗透涂层的低氮纯氢化钙包括基体和氢渗透涂层,制备方法为将块状纯钙预处理后,放入纯氢气至微正压状态,经2‑5个恒温平台处理,得到低氮纯氢化钙基体;将亚硝酸钠、硝酸钠、硝酸钾、硝酸钙、硝酸锂中的两种或两种以上熔化形成熔盐,经冷却固化后破碎,得到复合硝酸盐;将复合硝酸盐和低氮纯氢化钙基体从室温升至150‑650℃,在150‑650℃范围内设置1‑3个恒温平台,取出冷却至室温,得到改性的低氮纯氢化钙,经去离子水超声清洗干净,烘干,得到氢渗透涂层的低氮纯氢化钙。本发明制备方法简单,制备的氢化钙的纯的,杂质少,表面含有钝化膜,防止储氢的渗透。
  • 一种含阻氢渗透涂层高纯氢化及其制备方法

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