专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]认证脚本代码源的方法和设备-CN200680034165.4无效
  • D·E·哈伊斯;T·P·匹特森 - 国际商业机器公司
  • 2006-09-05 - 2008-09-17 - G06F21/00
  • 一种用于许可对主机站点上驻留的脚本代码的访问的方法、设备及计算机可用代码,其中所述主机站点具有窗口只读属性。计算机客户端接收关键代码。该计算机客户端确定关键代码是否匹配于已知正确的窗口返回代码。基于此,计算机调用关键代码来获得该关键代码的只读属性,并确定所述只读属性是否匹配于已知正确的窗口只读属性。调用意味着将所述关键代码视为计算机指令,并执行该计算机指令。计算机可基于确定只读属性匹配来许可访问。
  • 认证脚本代码方法设备
  • [发明专利]只读存储器单元阵列-CN201110025064.3有效
  • 廖忠志 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2011-01-20 - 2012-01-11 - G11C7/12
  • 一种只读存储器单元阵列,包括多个鳍式有源区、多个栅极以及多个只读存储器单元。鳍式有源区形成于半导体基板上,沿着第一方向延伸。栅极形成于鳍式有源区,沿着第二方向延伸,第二方向垂直于第一方向。只读存储器单元由鳍式有源区以及栅极形成,并且编码只读存储器单元,使得只读存储器单元的第一子集中每一个具有源极电性连接至较低电源供应线以及只读存储器单元第二子集中每一个具有电性绝缘的源极。第一子集的每一只读存储器单元,包括漏极接触垫具有第一接触垫区域,以及源极接触垫具有第二接触垫区域,第二接触垫区域至少大于第一接触垫区域百分之三十。本发明可降低接触垫阻抗以及改善良率。
  • 只读存储器单元阵列
  • [发明专利]一种只读存储器结构及相应的只读存储器-CN200710041861.4无效
  • 朱敏;毛梅凤 - 上海浩晶数据系统有限公司
  • 2007-06-12 - 2008-12-17 - H01L27/112
  • 本发明公开了一种只读存储器结构及相应的只读存储器,涉及半导体器件结构。现有的只读存储器,对应每一个比特都需设置一个晶体管,只读存储器模块的尺寸较大。本发明的只读存储器结构,包括多晶硅层、两个布线层、一个晶体管和3n层金属,其中n为自然数;所述的3n层金属以堆叠的形式通过一组通孔依次连接,若将3n层金属从下到上依次标号为M2,M本发明还公开了采用该结构的只读存储器。采用本发明可有效减小只读存储器的横向尺寸,增加器件的存储容量。
  • 一种只读存储器结构相应
  • [发明专利]绝缘层上覆硅上的NOR型信道程序化信道抹除非接触式闪存-CN200580002609.1无效
  • 吴国成 - 吴国成
  • 2005-02-01 - 2007-02-14 - H01L29/788
  • 本发明的半导体装置,其具有一个电子抹除式只读存储器(EEPROM),包含:一个非接触式电子抹除式只读存储器记忆晶胞的阵列,该记忆晶胞位于直行或横列,并位于绝缘层上覆硅。每一个电子抹除式只读存储器记忆晶胞包含:一个汲极区,一个源极区,一个闸极区及一个本体区。该半导体装置更包含:多个闸极线,每个该闸极线连接该电子抹除式只读存储器记忆晶胞的每一列的闸极区,及多个源极线,每个该源极线连接该电子抹除式只读存储器记忆晶胞的每一行源极区。该电子抹除式只读存储器记忆晶胞的每一行源极区与汲极区,均与该电子抹除式只读存储器记忆晶胞的邻接行源极区与汲极区隔离。
  • 绝缘层上覆硅上nor信道程序化除非接触闪存

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