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[发明专利]光电动势元件-CN200610057698.6有效
发明人：寺川朗;浅海利夫 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2006-02-24 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：在n型单晶硅基板主面的除去外周部的规定宽度之外的区域内形成有i型非晶硅膜和n型非晶硅膜。n型单晶硅基板的主面上形成有覆盖i型非晶硅膜和n型非晶硅膜的表面电极。在n型单晶硅基板的背面的整个区域内形成有i型非晶硅膜和p型非晶硅膜。在p型非晶硅膜上的除去外周部的规定宽度的区域内形成背面电极。表面电极侧成为主要的光入射面。
电动势元件

[发明专利]太阳能电池、太阳能电池模块和太阳能电池的制造方法-CN200810169547.9无效
发明人：木下敏宏 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2008-09-28 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：i型非晶硅层(14)和p型非晶硅层(15)进入n型单晶硅基板(11)具有的贯通孔内；i型非晶硅层(12)和n型非晶硅层(13)进入n型单晶硅基板(11)具有的贯通孔内。贯通孔的内壁面被i型非晶硅层(14)和i型非晶硅层(12)覆盖。
太阳能电池模块制造方法

[发明专利]薄膜太阳能电池及其制造方法-CN201210011805.7无效
发明人：李佳霖;毕建中 -专利权人：联相光电股份有限公司
申请日： 2012-01-04 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：半导体层包含P型晶硅层、第一I型晶硅层、第一N型晶硅层、第二I型晶硅层以及第二N型晶硅层。P型晶硅层是位于基板上；第一I型晶硅层是位于P型晶硅层上；第一N型晶硅层是位于第一I型晶硅层上；第二I型晶硅层是位于第一N型晶硅层上；以及第二N型晶硅层是位于第二I型晶硅层上。其中，通过在半导体层内增设第二I型晶硅层及第二N型晶硅层，以提升薄膜太阳能电池的光电转换效率。
薄膜太阳能电池及其制造方法

[发明专利]内串联式异质结电池及其制作方法-CN202111140520.9有效
发明人：虞祥瑞;彭文博;肖平;赵东明;田鸿翔;罗丽珍 -专利权人：中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司;华能集团技术创新中心有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开一种内串联式异质结电池及其制作方法，内串联式异质结电池的第一非晶硅层包括第一P型非晶硅层和第一N型非晶硅层，第二非晶硅层包括与第一N型非晶硅层的数量相等并一一对应的第二P型非晶硅层和与第一P型非晶硅层的数量相等并一一对应的第二N型非晶硅层，多个第一透明导电层在N型单晶硅的纵向间隔分布并用于将任意第一P型非晶硅层与位于第一侧的相邻第一N型非晶硅层电连接，多个第二透明导电层在N型单晶硅的纵向间隔分布并用于将任意第二N型非晶硅层与第二侧的相邻第二P型非晶硅层电连接，第一侧的朝向与第二侧的朝向相反。本发明提供的内串联式异质结电池具有能量转换效率高、由其组成的光伏组件封装简单方便的优点。
串联式异质结电池及其制作方法

[发明专利]利用硼参杂制作P型非晶半导体以改善穿隧效应膜层-CN201110283723.3无效
发明人：戴嘉男;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2011-09-22 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明是利用硼参杂制作P型非晶半导体以改善穿隧效应膜层。其主要是在PECVD内进行，先制作非晶硅P.I.N型半导体薄膜，制作P、I、N型非晶三层，接着本发明，在N型微晶半导体后，利用硼参杂作P型非晶，控制硼参杂制作非晶，由于穿隧效应中，要将两层之间的N/P键结产生电场缩小，故制作缺陷薄膜，让载子在内部作复合，将内建电场缩小，硼参杂的P型非晶结构，内部缺陷严重，此层较薄可保持高穿透率，让光易进入I层非晶硅内，较低电阻值作穿隧效应，完成P型非晶后，连接P型微晶，两者界面恰当，再作微晶I型及非晶N型后，完成薄膜太阳能，再作背电极得发电效率，此发明P型半导体于穿隧效应中可让电子电洞流通顺利，故可提高太阳能薄膜电池效率。
利用参杂制作型非晶半导体改善效应

[发明专利]黄芩素在制备防治肥胖症及其并发症药物中的用途-CN201910469632.5在审
发明人：杜冠华;强桂芬;何萍;侯碧玉;徐春阳;吕扬;杨秀颖;张莉;周启蒙 -专利权人：中国医学科学院药物研究所
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： A61K31/352 文献下载
摘要：本发明公开了黄芩素α晶型、β晶型或(α+β)混合晶型预防和/或治疗肥胖症及其并发症的用途。具体涉及黄芩素α晶型、β晶型或(α+β)混合晶型物质作为活性成分在肥胖症及其胰岛素抵抗、血糖和/或血脂异常等并发症治疗中的应用，以及黄芩素α晶型、β晶型或(α+β)混合晶型物质作为活性成分在每日0.001～2000mg/kg体重范围内与其他活性成分和赋形剂联合制成的用于临床的固体药物形式。
黄芩制备防治肥胖症及其并发症药物中的用途

[发明专利]隔离型内串联式异质结电池及其制作方法-CN202210910824.7有效
发明人：罗丽珍;彭文博;肖平;赵东明;虞祥瑞;姚绍飞;杨和康;张嵌宇;宗学玲;徐晶 -专利权人：中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开一种隔离型内串联式异质结电池及其制作方法，隔离型内串联式异质结电池的衬底上设有将衬底分隔为多个衬底单元的隔离层，第一P型非晶硅层和第一N型非晶硅层的总数量与衬底单元的数量相等并一一对应，第二P型非晶硅层/第二N型非晶硅层与第一N型非晶硅层/第一P型非晶硅层的数量相等并一一对应，多个第一透明导电层在衬底的纵向间隔分布并用于将第一P型非晶硅层与位于第一侧的相邻第一N型非晶硅层电连接，多个第二透明导电层在衬底的纵向间隔分布并用于将第二N型非晶硅层与第二侧的相邻第二P型非晶硅层电连接，第一侧的朝向与第二侧的朝向相反。本发明提供的隔离型内串联式异质结电池具有能量转换效率高、加工成本低的优点。
隔离串联式异质结电池及其制作方法

[发明专利]基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构和制备方法-CN201210497911.0无效
发明人：贾河顺;姜言森;程亮;任现坤;张春艳;孙继峰;马继磊;徐振华 -专利权人：山东力诺太阳能电力股份有限公司
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构和制备方法，其结构为：N型硅衬底受光面由内而外依次为受光面n型非晶或微晶硅层、减反射层；背光面由内而外依次为本征非晶或微晶硅层，p型非晶或微晶硅层和背光面n型非晶或微晶硅层之间有间隔且交替排列于本征非晶或微晶硅层上，p型非晶或微晶硅层和背光面n型非晶或微晶硅层上均覆盖有透明导电薄膜，金属电极位于透明导电薄膜上。本发明结合常规晶硅太阳电池和薄膜太阳电池的制备方法，并且相对于传统HIT电池，不但制备过程简单，降低金属电极的使用量，而且避免常规太阳电池正面电极遮光的问题，提高了太阳电池的效率。
基于衬底接触 hit 太阳电池结构制备方法

[实用新型]基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构-CN201220643086.6有效
发明人：贾河顺;姜言森;程亮;任现坤;张春艳;孙继峰;马继磊;徐振华 -专利权人：山东力诺太阳能电力股份有限公司
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构，其结构为：N型硅衬底受光面由内而外依次为受光面n型非晶或微晶硅层、减反射层；背光面由内而外依次为本征非晶或微晶硅层，p型非晶或微晶硅层和背光面n型非晶或微晶硅层之间有间隔且交替排列于本征非晶或微晶硅层上，p型非晶或微晶硅层和背光面n型非晶或微晶硅层上均覆盖有透明导电薄膜，金属电极位于透明导电薄膜上。本实用新型结合常规晶硅太阳电池和薄膜太阳电池的制备方法，并且相对于传统HIT电池，不但制备过程简单，降低金属电极的使用量，而且避免常规太阳电池正面电极遮光的问题，提高了太阳电池的效率。
基于衬底接触 hit 太阳电池结构

[发明专利]光电转换元件以及光电转换装置-CN201780050299.3有效
发明人：肥后辉明;冈本亲扶;小林正道;石井真人;森健史;松本雄太 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：光电转换元件具备p型或者n型半导体基板(1)、第一面的p型非晶半导体膜(3)以及n型非晶半导体膜(5)、p型非晶半导体膜(3)上的p电极(7)、n型非晶半导体膜(5)上的n电极(8)。p电极(7)与n电极(8)空开间隔配置，p型非晶半导体膜(3)在半导体基板(1)的面内方向上包围n型非晶半导体膜(5)，n电极(8)位于n型非晶半导体膜(5)的区域的内侧，该n型非晶半导体膜(5)的边缘部(5a)在与p型非晶半导体膜(3)重叠区域，n电极(8)位于重叠区域的n型非晶半导体膜(5)的区域的内侧。
光电转换元件以及装置

[发明专利]一种提高β‑型非晶合金内生复合材料加工硬化能力的方法-CN201610953527.5在审
发明人：张龙;张海峰;朱正旺;付华萌;李宏;王爱民 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2016-11-03 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： C22C45/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高β‑型非晶合金内生复合材料加工硬化能力的方法，属于非晶合金复合材料技术领域。该方法通过调整β‑型非晶合金内生复合材料化学成分中β相稳定元素的含量，使其中β相具有适当的结构亚稳定性，此时所得样品能够发生形变诱发马氏体相变和/或孪晶，从而提高β‑型非晶合金内生复合材料的加工硬化能力；本发明方法的关键在于调控原位析出β相的结构亚稳定性，对于设计和开发具有优异力学性能的β‑型非晶合金内生复合材料有重要价值。
一种提高型非晶合金复合材料加工硬化能力方法

[发明专利]异质结太阳能电池及其制造方法-CN202110035157.8在审
发明人：张津燕;吴科俊;王琳;陈金元 -专利权人：上海理想万里晖薄膜设备有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：所述方法先对N型单晶硅片进行制绒及清洗；然后在其正反两面上分别形成第一、第二本征非晶硅层；接着在第一本征非晶硅层上形成N型非晶硅层；之后在第二本征非晶硅层上形成其中的P型杂质浓度沿着远离第二本征非晶硅层的方向在X％‑Y％的范围内以第一斜率线性增长的第一P型非晶硅层；接着在第一P型非晶硅层上形成其中的P型杂质浓度沿着远离第一P型非晶硅层的方向在Y％‑Z％的范围内以第二斜率线性增长的第二P型非晶硅层；然后在所述N型非晶硅层以及第二P型非晶硅层上分别形成第一、第二透明导电膜；最后在第一、第二透明导电膜上形成第一、第二电极。
异质结太阳能电池及其制造方法

[发明专利]异质结太阳能电池及其制造方法-CN202110916140.3在审
发明人：吴科俊;陈金元 -专利权人：上海理想万里晖薄膜设备有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：所述方法先对N型单晶硅片进行制绒及清洗；然后在其正反两面上分别形成第一、第二本征非晶硅层；接着在第一本征非晶硅层上形成N型非晶硅层；之后在第二本征非晶硅层上形成其中的P型杂质浓度沿着远离第二本征非晶硅层的方向在X％-Y％的范围内以第一斜率线性增长的第一P型非晶硅层；接着在第一P型非晶硅层上形成其中的P型杂质浓度沿着远离第一P型非晶硅层的方向在Y％-Z％的范围内以第二斜率线性增长的第二P型非晶硅层；然后在所述N型非晶硅层以及第二P型非晶硅层上分别形成第一、第二透明导电膜；最后在第一、第二透明导电膜上形成第一、第二电极。
异质结太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种具有晶内多级孔的Y型沸石及其制备方法与应用-CN201410418621.1有效
发明人：申宝剑;米硕;高雄厚;王宝杰;赵红娟;孙建学;郭巧霞;曾鹏晖;任申勇;李晓慧;郑庆庆;张永泽 -专利权人：中国石油天然气集团公司;中国石油大学(北京)
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： C01B39/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有晶内多级孔的Y型沸石及其制备方法与应用。该方法包括将含有硼的NaY沸石、铵盐和水混合，得混合物，搅拌，过滤，洗涤，得到铵型的含有硼的Y沸石；对铵型的含有硼的Y沸石进行高温水热处理，得到具有晶内多级孔的Y型沸石。本发明提供的具有晶内多级孔的Y型沸石含有更丰富的多级孔结构，而且其制备方法的操作简单。本发明还提供了上述具有晶内多级孔的Y型沸石作为催化裂化催化剂和催化加氢催化剂的活性组分的应用。
一种具有多级型沸石及其制备方法应用

[发明专利]一种天然锂辉石循环焙烧晶型转换的方法-CN201710956668.7在审
发明人：旷戈;刘瑜;邢盛洲;李付杰;陈玉红;汤军军 -专利权人：福州大学
申请日： 2017-10-16 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： C01B33/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种天然锂辉石循环焙烧的晶型转换方法，其是将天然α‑锂辉石破碎成细小颗粒后，依次送入一级旋风预热器、二级旋风预热器中进行干燥预热，然后将干燥预热后的矿粉投入到循环焙烧炉内，通过与循环焙烧炉内的高温气体混合以快速达到晶型转换温度，再经高温旋风分离器分离、分料阀分料后，将未完全晶型转换的矿粉重新送入循环焙烧炉中进行循环焙烧直至完成晶型转换，而将完成晶型转换的矿粉经多级空气冷却，得到β‑锂辉石。本发明方法克服了传统回转窑焙烧晶转工艺与普通流化焙烧存在的缺点，具有能量利用率高、设备简单投资少、废气量少、处理量大，晶转温度控制准确、晶型转换更完全等优点。
一种天然辉石循环焙烧转换方法

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