专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种优化GaN基LED芯片性能的制备方法-CN201711012053.5有效
  • 闫晓密;黄慧诗;王书宇;张秀敏;贾美琳 - 江苏新广联半导体有限公司
  • 2017-10-26 - 2020-07-10 - H01L33/00
  • 本发明提供一种优化GaN基LED芯片性能的制备方法,包括如下步骤:制作外延层‑制作透明导电层‑制作N电极引出孔‑去除光刻胶‑形成隔离沟槽‑去除光刻胶和SiO2掩膜层(ICP)刻蚀,使得LED芯片隔离沟槽的侧壁呈现倒梯形结构,对于倒装LED芯片和高压LED芯片,可以使隔离沟槽侧壁的SiO2沉积均匀,有效防止漏电情况的出现,优化良率LED芯片,在铺设电极连接桥时,电极可以沿着侧壁的梯形结构到达隔离沟槽底部,再从隔离沟槽底部沿着侧壁的梯形结构上升到另一个芯片的电极上,避免侧壁桥接电极出现断层的现象,增强了电极的稳定性,减少死灯概率,优化良率
  • 一种优化ganled芯片性能制备方法

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