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[发明专利]用于剃刀的加热构件-CN201880007608.3有效
发明人： N·布罗姆瑟 -专利权人：吉列有限责任公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： B26B21/48 文献下载
摘要：本发明提供一种用于剃刀的热传递元件(16)，所述热传递元件具有加热器(34)，所述加热器具有定位在上部电介质层(110)与下部电介质层(50)之间的加热器轨道(48)。所述加热器轨道通过粘结到所述上部电介质层和所述下部电介质层的粘合剂层(104)固定在所述上部电介质层与所述下部电介质层之间。
用于剃刀加热构件

[发明专利]电容器及其制造方法-CN200610109925.5无效
发明人：山西良树;原田宗生;北野高弘;川口达三;广田良浩;山田欣司;篠田智隆;奥村胜弥;河野秀一 -专利权人：东京毅力科创株式会社;奥克泰克有限公司;揖斐电株式会社
申请日： 2006-08-24 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：电容器(10)包括：形成在氧化膜(12)上的下部电极(13a)；形成在下部电极(13a)上的电介质层(14)；间隔电介质层(14)而与下部电极(13a)相对形成的上部电极(15a)；以及覆盖上部电极(15a)并覆盖上部电极(15a)的开口部(62v)和电介质层(14)的开口部(61v)的上部电极(15b)。通过在电介质层(14)上形成上部电极(15a)，可将该上部电极作为掩模来对电介质层(14)进行图案化，从而抑制杂质向电介质层(14)内扩散，另外，可以通过上部电极(15b)来防止电介质层(14)暴露在蚀刻液、显影液等中的情况，从而能够提供具有高质量的电介质层(14)的电容器(10)。
电容器及其制造方法

[发明专利]电介质元件、压电元件、喷墨头和记录装置以及制造方法-CN200510052153.1有效
发明人：松田坚义;伊福俊博;福井哲朗;和佐清孝 -专利权人：佳能株式会社;和佐清孝
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： B41J2/045 文献下载
摘要：提供一种依次设置了基板、下部电极层、电介质层和上部电极层的电介质元件，其特征在于：所述电介质层具有主成分为氧化物且位于上述下部电极层一侧的第一电介质层和主成分为氧化物且位于上述上部电极层一侧的第二电介质层，所述第二电介质层比所述第一电介质层厚，在所述第一电介质层的25℃的相对介电常数为ε1、所述第二电介质层的25℃的相对介电常数为ε2时，满足下述的式(1)ε1/ε2≥0.9 ……(1)。
电介质元件压电喷墨记录装置以及制造方法

[发明专利]等离子显示板-CN200810002453.2无效
发明人：林谨洙 -专利权人：乐金电子（南京）等离子有限公司
申请日： 2008-01-03 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01J17/49 文献下载
摘要：本发明为等离子显示板相关发明，配置覆盖扫描电极和维持电极的第1电介质层，在第1电介质层的上部配置具有比第1电介质层的厚度更大的厚度，介电常数更小的第2电介质层，可以减少电介质层的整体厚度。而且，本发明一实例的等离子显示板减少电介质层的整体厚度的同时抑制放电不稳定，而且可以提高放电效率。本发明一实例的等离子显示板包括前面基板和；互相并排配置在前面基板上的扫描电极和维持电极和；覆盖扫描电极和维持电极的第1电介质层；及设在第1电介质层上部的第2电介质层；第1电介质层的介电常数大于第2电介质层的介电常数，第1电介质层的厚度比第2电介质层的厚度薄。
等离子显示

[发明专利]能够进行热处理的低辐射玻璃及其制造方法-CN201280040298.8有效
发明人：金雄吉;权大勋;田允淇 -专利权人：乐金华奥斯有限公司
申请日： 2012-08-06 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明的能够进行热处理的低辐射玻璃，其特征在于，包括：太阳光调节金属层，形成于玻璃基材的上部，第一电介质层，形成于上述太阳光调节金属层的下部，第二电介质层，形成于上述太阳光调节金属层的上部，以及最上部保护层，形成于上述第二电介质层的上部；上述第一电介质层具有由最下部电介质层与下部金属保护电介质层层叠的结构，上述最下部电介质层包含金属氧化物，上述下部金属保护电介质层包含金属（氧）氮化物；由此，本发明具有在进行热处理后
能够进行热处理辐射玻璃及其制造方法

[发明专利]电介质元件、压电元件、喷墨头和喷墨记录装置-CN200510052152.7有效
发明人：伊福俊博;松田坚义;青木活水;武田宪一;和佐清孝 -专利权人：佳能株式会社;和佐清孝
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： B41J2/045 文献下载
摘要：本发明提供一种电介质元件、压电元件、喷墨头和喷墨记录装置，该电介质元件在上部电极层和下部电极层之间设置有电介质层，电介质层具有组成相互不同的第一电介质层和第二电介质层，在第一电介质层和第二电介质层的边界附近，第一电介质层的至少一种成分的组成在第一电介质层的厚度方向上发生变化。
电介质元件压电喷墨记录装置

[发明专利]电容器的制造方法-CN201910397664.9在审
发明人：小松嘉英;五十岚武司;小栗裕之 -专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明涉及电容器的制造方法，具有MIM构造的电容器的制造方法包括：在下部电极的上表面通过多次层叠来形成电介质的步骤；及在电介质的上表面形成上部电极的步骤。电介质包括：在下部电极的上表面形成的第一电介质层；及在第一电介质层的上表面形成且与上部电极相接的第二电介质层。形成电介质的步骤包括：在下部电极的上表面形成第一电介质层的步骤；通过喷射清洗及二流体清洗中的至少一者对第一电介质层(31)的上表面进行清洗的步骤；及在清洗后的第一电介质层的上表面形成第二电介质层的步骤。
电介质层上表面电介质下部电极电容器清洗上部电极喷射清洗流体制造

[发明专利]等离子显示器及其制造方法-CN200510110937.5无效
发明人：朱炯达 -专利权人：乐金电子（南京）等离子有限公司
申请日： 2005-11-30 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01J17/49 文献下载
摘要：本发明是有关等离子显示器及其制造方法，本发明中的等离子显示器由四部分构成，一是上部基板；二是形成在上部基板上扫描电极及持续电极；三是具有特定电介率的第1上部电介质层，这种第1上部电介质层分别覆盖在上述上部基板的一部分及上述扫描电极及持续电极上，并形成特定的间距；四是电介率小于上述第1上部电介质层电介率的第2上部电介质层，这种第2上部电介质层形成在上述特定的间距内。
等离子显示器及其制造方法

[发明专利]在半导体器件的双镶嵌结构中降低接触电阻的方法和结构-CN200410066664.4有效
发明人：宁先捷 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2004-09-21 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该结构包括衬底，覆盖衬底上的电介质层，和覆盖电介质层上的金属互连。围绕着金属互连形成第一中间电介质层。第二中间电介质层覆盖在第一中间电介质层上。在第二中间电介质层的上部内形成沟槽开口。介层洞空隙位于所述第二中间电介质层的下部内。第二中间电介质层下部耦合到第二中间电介质层上部。第二阻挡层设在介层洞空隙的空隙内，并覆盖在介层洞空隙的空隙上以及第一阻挡层上。铜材料被形成覆盖在第一阻挡层和第二阻挡层上，以基本填充第二中间电介质层内的介层洞空隙和沟槽。
半导体器件镶嵌结构降低接触电阻方法

[发明专利]沟槽栅MOSFET的制造方法-CN202210459921.9在审
发明人：尹率;宋彦松;彭明亮;高欢欢;景晓娟;李玲悦;冯雪莹;何晶;韩鑫淼;曹静静 -专利权人：北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该制造方法包括：采用介质层形成屏蔽电介质和终端电介质，采用第一导电层形成屏蔽栅和终端导体；以及形成控制栅和栅极电介质，栅极电介质和屏蔽电介质分别位于第一沟槽上部内壁和下部内壁，控制栅和屏蔽栅分别填充第一沟槽上部空间和下部空间，其中，对介质层位于外延层上的部分依次进行减薄和第一蚀刻，从而将介质层分隔成屏蔽电介质和终端电介质，以及对屏蔽电介质进行第二蚀刻以达到与屏蔽栅的顶端相对应的高度。
沟槽 mosfet 制造方法

[发明专利]用于先进集成电路结构制造的层间电介质层的电介质电容恢复-CN202110981223.0在审
发明人： A·马达万;A·贾殷;J·冼;A·H·贾哈吉尔达 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在一示例中，一种集成电路结构包括在衬底上方的单个电介质层。多个导线在所述单个电介质层的下部部分上方的所述单个电介质层的上部部分中。碳掺杂剂区在所述单个电介质层的上部部分中，碳掺杂剂区在所述多个导线中的相邻导线之间。
用于先进集成电路结构制造电介质电容恢复

[发明专利]电子部件-CN201611126434.1有效
发明人：工藤敬实;西山健次;大仓辽 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01F27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够防止无机电介质层的裂缝等结构缺陷，抑制品质的可靠性的降低的电子部件。电子部件具有基板、被设置在基板上的电容器用下部电极、被设置在基板上以便覆盖下部电极的无机电介质层、被直接设置在无机电介质层上并隔着无机电介质层与下部电极对置的电容器用上部电极、和与下部电极或者上部电极电连接的线圈无机电介质层的上表面是平坦的。
电子部件

[发明专利]一种包含高电阻陶瓷热熔射材料的静电卡盘-CN201911411347.4在审
发明人：杨冬野;袁蕾 -专利权人：苏州芯慧联半导体科技有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种包含高电阻陶瓷热熔射材料的静电卡盘，自下而上依次为金属母材、电介质层、导电电极层以及上部电介质层，其中下部电介质或上部电介质层均由经过熔射滤光处理的Al2
一种包含电阻陶瓷热熔射材料静电卡盘

[发明专利]小型天线-CN200480041004.9无效
发明人：玉冈弘行 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2004-09-15 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： H01Q9/42 文献下载
摘要：本发明的多频共用天线(1)，包括：3层结构的电介质，通过高介电材料组成的电介质层(11、13)挟持着低介电材料组成的中央电介质层(12)的上部和下部来叠层形成；供电用导体图形(21)，形成在中央电介质层(12)和上部的电介质层(13)之间，在3层结构的电介质的规定的侧面，基端与供电点相连；以及接地用导体图形(22)，形成在中央电介质层(12)和下部的电介质层(11)之间，在规定的侧面基端被接地。
小型天线

[发明专利]布线结构及其制造方法-CN202010343046.9在审
发明人：黄文宏 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：所述布线结构包含上部导电结构、下部导电结构、下部包封物和中间层。所述上部导电结构包含至少一个上部电介质层，以及与所述上部电介质层接触的至少一个上部电路层。所述下部导电结构包含至少一个下部电介质层，以及与所述下部电介质层接触的至少一个下部电路层。所述下部包封物环绕所述下部导电结构的外围侧表面。所述中间层安置于所述上部导电结构与所述下部导电结构之间，以将所述上部导电结构和所述下部导电结构接合在一起。所述上部导电结构电连接到所述下部导电结构。
布线结构及其制造方法

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