“高光产额钨酸铅”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果4795403个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]高光产额钨酸铅（PbWO4）闪烁晶体的生长方法-CN201510569092.X有效
发明人：张志军;冯鹤;徐展;王红;胡关钦;赵景泰 -专利权人：上海大学
申请日： 2015-09-09 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高光产额的钨酸铅闪烁晶体的生长方法。利用该方法制备的高光产额钨酸铅闪烁晶体，在X‑射线激发下，其光产额可达到下降法生长的钨酸铅晶体的20倍，其发光峰位为465‑495 nm，较下降法得到生长的钨酸铅晶体略有红移。在紫外线激发下，其光致发光强度可达到下降法生长的钨酸铅晶体的100倍。该高光产额钨酸铅闪烁晶体大大拓宽了钨酸铅晶体的应用领域，解决了现有技术中存在的钨酸铅晶体因光产额低而不能得到广泛应用，及掺杂改性和工艺优化仍不能实现高光产额输出的难题。
高光产额钨酸铅 pbwo sub 闪烁晶体生长方法

[发明专利]异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法-CN200610148126.9有效
发明人：严东生;谢建军;袁晖;廖晶莹;沈炳孚;童乃柱;邵培发;叶崇志;熊巍;李培俊;吴泓澍;展宗贵;陈良;朱翔宇 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2006-12-27 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明涉及异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法，属于晶体生长领域。离子双掺杂，在此基础上引入Mo⁶⁺，V⁵⁺，Nb⁵⁺，Zr⁴⁺和Ti⁴⁺等高价离子协同掺杂来提高钨酸铅晶体的光产额，掺杂量分别为100～8000ppm(at％)、100～5000ppm(at％)和0～10000ppm(at％)，制备方法上利用改进的坩埚下降法来生长具有相对较快衰减，光产额明显提高的阴阳异价离子协同掺杂的钨酸铅单晶本发明可以同时生长多根高光产额PWO晶体，适于批量生产。
离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法

[发明专利]阴阳离子同时双掺杂的高光产额钨酸铅晶体及其生长方法-CN200510029744.7有效
发明人：严东生;殷之文;廖晶莹;沈炳孚;童乃志;邵培发;袁晖;谢建军;叶崇志;周乐萍;李培俊;吴泓澍;杨培志;倪海洪;刘光煜 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2005-09-16 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用改进的坩埚下降法生长阴阳离子同时双掺杂的高光产额快衰减钨酸铅闪烁晶体的制备方法，属于晶体生长领域。使用本发明提供的工艺技术可克服阴阳离子双掺杂PWO晶体生长过程中原料及掺杂剂挥发的问题，生长出光产额达到BGO晶体的7.3％的阴阳离子双掺杂PWO晶体。用本发明可以同时生长2根、6根或28根高光产额钨酸铅晶体，适于大批量生产。
阴阳离子同时掺杂高光产额钨酸铅晶体及其生长方法

[发明专利]钨酸铅单晶-CN98106681.X无效
发明人：薄善行 -专利权人：古河机械金属株式会社
申请日： 1998-04-20 - 公布日： 2002-10-09 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：用三氧化钨和氧化铅或钨酸铅生产的钨酸铅单晶，其中每一摩尔钨酸铅含有3×10-7摩尔到1×10-3摩尔镧。靠提高光透射率和减少自吸收来增加钨酸铅单晶的光发射量，可以获得做辐射探测器的闪烁体用的钨酸铅单晶。
钨酸铅单晶

[发明专利]高纯钨酸铅粉体的制备方法-CN202210562479.2在审
发明人：胡智向;李德官;曾成亮;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：本发明属于化工材料技术领域，公开了一种高纯钨酸铅粉体的制备方法。所述方法选用分析纯级钨酸铵和分析纯级硝酸铅作为原料，将硝酸铅溶液以一定的速率滴入钨酸铵溶液中进行化学反应，然后陈化、氨水处理、洗涤反应产物，得到纯度为4N以上的高纯钨酸铅粉体。
高纯铅粉制备方法

[发明专利]一种高闪烁性能钨酸铅粉体的制备方法-CN201010523241.6无效
发明人：王红;赵景泰;胡关钦;陈昊鸿;张志军 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2010-10-28 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高闪烁性能钨酸铅粉体的制备方法，包括如下具体步骤：a)将水溶性铅盐溶液，匀速滴加入pH值≥7的水溶性钨酸盐溶液中，使反应溶液在30～80℃下进行共沉淀化学反应；b)将得到的钨酸铅沉淀进行过滤、清洗、烘干；c)将得到的钨酸铅晶粒进行热处理。由本发明方法制备得到的钨酸铅粉体的发光峰位于450～500nm的蓝光波段，属于快发光分量；发光强度高，与将现有的下降法生长的钨酸铅晶体磨成的粉体的发光强度相比，明显提高15倍左右，可达到将下降法生长的锗酸铋晶体磨成的粉体的发光水平
一种闪烁性能铅粉制备方法

[发明专利]离子扩散法改性钨酸铅晶体的工艺-CN201110425979.3有效
发明人：向卫东;邵明国;梁晓娟;黄海宇;陈兆平 -专利权人：温州大学
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子扩散法改性钨酸铅晶体的工艺，包括以下步骤：1)以PbO粉末和WO3粉末为原料，按照n(PbO)∶n(WO3)＝1∶1摩尔比精确配料，利用坩埚下降法或提拉法生长钨酸铅晶体；2)将生成的钨酸铅晶体经X射线定向仪精确定向、切割、研磨成厚度为2～5mm规格的钨酸铅晶片，清洗后得到纯钨酸铅晶体样品；3)将步骤(2)得到的纯钨酸铅晶体样品放入装有金属氧化物粉末的坩埚中，使纯钨酸铅晶体样品被金属氧化物粉末严实包裹，然后将坩埚放入马弗炉中，升温至800～1000℃，保温12～36h后扩散结束，然后降温至室温，得到改性的钨酸铅晶体。
离子扩散改性钨酸铅晶体工艺

[发明专利]Yb和Er双掺杂钨酸铅晶体上转换材料及其制备方法-CN200810064784.9无效
发明人：刘维海;徐衍岭;王锐;王佳;徐超;刘彦梅 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：Yb和Er双掺杂钨酸铅晶体上转换材料及其制备方法，它涉及一种钨酸铅晶体上转换材料及其制备方法。它解决了现有技术制备的Er掺杂钨酸铅晶体上转换材料的发光强度低的问题。本发明Yb和Er双掺杂钨酸铅晶体上转换材料由WO₃、PbO、Er₂O₃和Yb₂O₃制成。方法：1.称取所需成分；2.烧结；3.采用提拉法生长晶体，即得Yb和Er双掺杂钨酸铅晶体上转换材料。本发明在Er掺杂钨酸铅晶体上转换材料中掺杂元素镱(Yb)，在保留Er掺杂钨酸铅晶体原有优良性能的基础上，提高了Er掺杂钨酸铅晶体的绿光波段发光强度近三倍。
yb er 掺杂钨酸铅晶体转换材料及其制备方法

[发明专利]钨酸铅壳体相变微胶囊及其制备方法-CN201810389487.5有效
发明人：杨文彬;娄兰;蒋卓妮;何方方;范敬辉;张凯 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： C09K5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨酸铅壳体相变微胶囊及其制备方法，包括：将相变材料、柠檬酸盐、乳化剂溶液和去离子水混合，乳化，得到相变材料乳液；取铅盐溶液滴入相变材料乳液中，搅拌，然后将钨酸盐溶液滴入相变材料乳液，搅拌，铅盐和钨酸盐通过沉淀反应生成钨酸铅沉积在相变材料乳滴表面，形成包覆芯材的壳体；将反应后的体系冷却至室温，取出相变微胶囊，用去离子水洗涤，烘干，得到钨酸铅壳体相变微胶囊。本发明制备的钨酸铅壳体相变微胶囊解决了相变材料的泄漏、相分离及过冷问题以及热导率不高的技术问题。同时，钨酸铅壳体和石蜡相变材料具有的屏蔽γ‑射线和中子能力，也使该钨酸铅壳体相变微胶囊具有相变储能和防辐射双功能。
钨酸铅壳体相变微胶囊及其制备方法

[发明专利]Yb和Zn双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法-CN200710072441.2无效
发明人：徐衍岭;王锐;杨春晖;王斌举;杨同勇 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2007-07-02 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：Yb和Zn双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法，它涉及一种钨酸铅晶体及其制备方法。它解决了现有钨酸铅晶体存在V_Pb、V_O及晶体诱导色心Pb³⁺、O^－和F缺陷，光学性能差的问题。Yb和Zn双掺杂钨酸铅晶体由氧化钨、氧化铅、氧化镱和氧化锌制成；氧化钨与氧化铅的摩尔比为1∶1，氧化镱的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50～300ppm，氧化锌的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50～1050ppm本发明在钨酸铅晶体中掺杂元素镱和锌，在保留钨酸铅晶体原有优良性能的基础上，大幅度改善其光学性能。本发明Yb和Zn双掺杂钨酸铅晶体的制备过程中不需要抽真空或充入惰性保护气体。
yb zn 掺杂钨酸铅晶体及其制备方法

[发明专利]Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法-CN200710072440.8无效
发明人：徐衍岭;杨春晖;王锐;杨同勇;王斌举 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2007-07-02 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法，它涉及一种钨酸铅晶体及其制备方法。它解决了现有钨酸铅晶体存在V_Pb、V_o及晶体诱导色心Pb³⁺、O^－和F缺陷，光学性能差的问题。Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体由氧化钨、氧化铅、氧化钇和氧化锌制成；氧化钨与氧化铅的摩尔比为1∶1，氧化钇的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50～200ppm，氧化锌的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50～1050ppm本发明在钨酸铅晶体中掺杂元素钇和锌，在保留钨酸铅晶体原有优良性能的基础上，大幅度改善其光学性能。本发明Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体的制备过程中不需要抽真空或充入惰性保护气体。
zn 掺杂钨酸铅晶体及其制备方法

[发明专利]一种钨合金颗粒散裂靶材料-CN201811654310.X在审
发明人：庞立龙;王志光;孙建荣;崔明焕;台鹏飞 -专利权人：中国科学院近代物理研究所
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G21G4/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种钨合金颗粒散裂靶材料，所述钨合金为钨镍铁合金，钨镍铁合金颗粒呈球状。钨合金颗粒散裂靶材料具有高的中子产额、高的耐磨性、高的抗辐照性、耐力学冲击和热冲击的疲劳性、优秀的热学和磁学性能、加工制备成本低等，其综合性能优异。
钨合金靶材料钨镍铁合金耐磨性辐照磁学性能综合性能疲劳性热冲击热学制备耐力加工

[发明专利]一种可见光光电探测器的制备方法-CN201910213231.3有效
发明人：吕燕飞;徐竹华;赵士超 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H10K30/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种可见光光电探测器的制备方法，本发明在绝缘基底上沉积由钙钛矿型晶体结构的铯铅碘和二硫化钨单分子层薄膜构成的复合材料。二硫化钨单分子层薄膜是直接带隙半导体材料，是较好的光电导材料，室温稳定性好，载流子迁移率高。二硫化钨单分子层薄膜能够提供电子传输的额外通道，提高铯铅碘的电学性能。同时二硫化钨阻隔氧气和水汽向复合材料内部扩散，降低空气和水对铯铅碘的分解，提高铯铅碘的稳定性。本发明制备的光探测器，具有性能稳定、光电响应速度快，光响应度好，光探测范围宽的优点。
一种可见光光电探测器制备方法

[发明专利]一种钨酸铅纳米管状晶体的制备方法-CN201710309361.8有效
发明人：王永刚;王玉江;雷静果;张慧勇 -专利权人：洛阳理工学院
申请日： 2017-05-04 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨酸铅纳米管状晶体的制备方法，即先制备钨酸钠、硝酸铅、聚乙二醇(PEG‑6000)和乙酸钾的去离子水溶液，然后将硝酸铅溶液和乙酸钾溶液混合，得到乙酸铅沉淀溶液，再将钨酸钠溶液与聚乙二醇溶液相混合，最后将钨酸钠和聚乙二醇的混合溶液与乙酸铅沉淀溶液混合，然后将混合溶液放入到温控微波水热仪中，进行微波处理后，得到钨酸铅纳米管状晶体。本发明首次成功制备出钨酸铅纳米管状晶体，并且因其具有独特的一维管状结构，在发光、光纤、光催化、微波、闪烁体、探测器等方面，具有更加优异的性能，本发明所提供的方法，具有反应操作简便、消耗的能量少、条件温和
一种钨酸铅纳米管状晶体制备方法

[发明专利]一种单斜相钨酸铅的制备方法-CN201110326074.0有效
发明人：黄建花;杨晓隆 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2011-10-24 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单斜相钨酸铅的制备方法，包括：在搅拌状态下，将浓度为0.001mol/L～0.01mol/L的可溶性铅盐水溶液滴加到浓度为0.004mol/L～0.02mol/L的可溶性钨酸盐水溶液中，可溶性铅盐与可溶性钨酸盐的摩尔比为1.24～5，滴完继续搅拌5min～60min，得到反应体系；反应体系在5℃～45℃陈化66h～82h后，经洗涤、离心分离、干燥后，得到单斜相钨酸铅。本发明单斜相钨酸铅的制备方法，反应条件温和，制备过程操作简单。原料为廉价的无机盐，制备过程无须使用任何添加剂，一方面，使得制得的纯单斜相钨酸铅产品洁净，制备过程污染小，另一方面，降低了生产成本，易于工业化生产。
一种单斜相钨酸铅制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top