专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果1323567个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]水电解二次电池-CN03159586.3有效
  • 柳田胜功;井上尊夫;中西直哉;船桥淳浩;能间俊之 - 三洋电机株式会社
  • 2003-09-29 - 2004-05-19 - H01M10/40
  • 一种水电解二次电池,具有正极(1)、负极活性物质采用石墨材料的负极(2)、及水电解液,并在水电解液中,至少含有饱和环状碳酸酯和具有的双键的环状碳酸酯,同时,当具有的双键的环状碳酸酯的含有量定为x(g)、负极的石墨材料的量定为B(g)、石墨材料的比表面积定为A(m2/g)、石墨材料的c轴向的微的尺寸定为Lc、a轴向的微的尺寸定为La时,满足0.05×10<这种水电解二次电池,能够在水电解二次电池的循环寿命优良的同时,高效率输出特性也优良。
  • 水电二次电池
  • [发明专利]在由膜构成的层的固定化方法及层叠体-CN201180012024.3有效
  • 涩泽邦彦;佐藤刚 - 太阳化学工业株式会社
  • 2011-03-03 - 2013-01-23 - C01B31/02
  • 本发明的目的在于提供可在设置于基材上的由膜构成的层,将由与该膜的表面的羟基发生缩合反应的材料构成的层进行固定的、具有充分的保持力和该保持力的均匀性的膜,以及在设置于基材上的由膜构成的层的表面将与该膜的表面的羟基发生缩合反应的材料进行固定的方法通过使由上述膜构成的层含有Si和O,从而可提高所述由与羟基发生缩合反应的材料构成的层的密合耐久性以及结合状态的均匀性。尤其是通过使用氟硅烷偶联剂,从而能够赋予疏水/疏油性、耐摩耗性、耐药品性、低摩擦性、胶粘性等高功能。
  • 非晶质碳膜构成固定方法层叠
  • [发明专利]电子照相用调色剂-CN201580067680.1有效
  • 渡边省伍;片山浩平;日高安启;垣内宏树 - 花王株式会社
  • 2015-11-25 - 2020-06-12 - G03G9/087
  • 本发明提供一种电子照相用调色剂,其含有包含结晶性树脂及树脂的粘合树脂及脱模剂,上述结晶性树脂含有结晶性复合树脂C,所述结晶性复合树脂C包含缩聚树脂成分和苯乙烯树脂成分,所述缩聚树脂成分由特定的醇成分与羧酸成分缩聚而得到,上述树脂含有复合树脂AC和聚酯AP,所述复合树脂AC包含缩聚树脂成分和苯乙烯树脂成分,所述缩聚树脂成分由醇成分与特定的羧酸成分缩聚而得到,所述聚酯AP由醇成分与特定的羧酸成分缩聚而得到,上述聚酯AP的软化点高于上述复合树脂AC的软化点,聚酯AP与复合树脂AC的软化点之差为10℃以上且50℃以下。
  • 电子照相调色
  • [发明专利]水电解二次电池及其制造方法-CN202010072971.2在审
  • 金武史弥;山见慎一;高桥健太郎 - 三洋电机株式会社
  • 2020-01-21 - 2020-10-09 - H01M4/133
  • 本发明提供一种低温再生特性、循环特性和高温保存特性优异的水电解二次电池及其制造方法。在作为实施方式的一例的水电解二次电池中,负极包含:石墨粒子的表面被被覆的被覆石墨粒子、丁苯橡胶、以及选自羧甲基纤维素和羧甲基纤维素盐中的至少一者,被覆石墨粒子所含的包含由第一构成的层和由第二构成的粒子,第二的导电性高于第一的导电性,粒子的BET比表面积为37~47m2/g,丁苯橡胶的平均一次粒径为150~210nm,羧甲基纤维素和羧甲基纤维素盐中的至少一者的重均分子量为
  • 水电二次电池及其制造方法
  • [发明专利]光伏元件及其制造方法-CN201480016801.5有效
  • 小林英治 - 长州产业株式会社
  • 2014-03-18 - 2017-06-06 - H01L31/0747
  • 所述光伏元件(10)包括n型结晶半导体基板(11)、在n型结晶半导体基板(11)的一侧层叠的p型硅薄膜(13)、以及在n型结晶半导体基板(11)的另一侧层叠的n型硅薄膜(15),所述光伏元件(10)具有存在于n型结晶半导体基板(11)和p型硅薄膜(13)之间的本征硅薄膜(12),n型结晶半导体基板(11)和n型硅薄膜(15)直接接合,n型硅薄膜(15)侧被用作光入射面
  • 元件及其制造方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top