专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]间距可扩充立体NAND存储器-CN201910382554.5有效
  • 龙翔澜 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2019-05-08 - 2021-10-15 - H01L27/1157
  • 本发明公开了一种间距可扩充立体NAND存储器,该存储器包含与多个通道线阶层交错的多个字线阶层。多个水平的数据储存阶层设置于多个字线阶层与多个通道线阶层之间,数据储存阶层包含各自的多个数据储存区域阵列,位于多个字线阶层与多个通道线阶层中相邻阶层的多条字线和多条通道线的多个交叉点上。位于交叉点外部的各自的孔洞阵列设置于通道线阶层与字线阶层中。通道线与字线具有多个侧边,是通过底切刻蚀周界来定义,伴随着介于每个阶层中的通道线与字线之间的气隙或空隙。
  • 间距扩充立体nand存储器
  • [发明专利]多分类识别器生成装置及其方法、数据识别装置及其方法-CN201310491528.9有效
  • 松永和久;中込浩一;二瓶道大;广浜雅行 - 卡西欧计算机株式会社
  • 2013-10-18 - 2017-09-15 - G06K9/62
  • 多分类识别器识别数据所表征的特征是属于多个分类中的哪个分类,具备第1阶层识别器生成单元,其生成进行1对N的识别的多个第1阶层识别器;和第2阶层识别器生成单元,其通过将多个第1阶层识别器分别输出的各计分值进行连结来生成第2阶层特征向量,输入该第2阶层特征向量来生成进行1对N的识别的多个第2阶层识别器,多分类识别器将通过使数据输入到多个第1阶层识别器而由该多个第1阶层识别器输出的各计分值进行连结来生成第2阶层特征向量,将与通过使该第2阶层特征向量输入到多个第2阶层识别器而输出了最大的计分值的第2阶层识别器相对应的分类,识别为所输入的数据所表征的特征所属的分类。
  • 分类识别数据装置方法
  • [发明专利]操作存储器的方法及存储器装置-CN201410116208.X有效
  • 陈重光;陈汉松;洪俊雄 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2014-03-26 - 2018-01-30 - G06F11/10
  • 本发明公开了一种操作存储器的方法及存储器装置,该操作存储器的方法包括接收输入数据组、储存用于输入数据组的数据的第一阶层错误更正码(Error Correction Code,ECC)、储存用于输入数据组的多个第二阶层群组数据的多个第二阶层ECC、储存数据组于存储器、以及测试数据组以决定使用第一阶层ECC或多个第二阶层ECC。此方法包括若使用第一阶层ECC,储存使用第一阶层ECC的标识。若使用多个第二阶层ECC,储存使用多个第二阶层ECC的标识。此方法包括储存多个第二阶层ECC于替换ECC存储器,以及储存指针以指示多个第二阶层ECC于替换ECC存储器的多个位置。
  • 操作存储器方法装置
  • [发明专利]一种粘合密肋型材-CN201410353739.0有效
  • 刘贻鹏 - 刘贻鹏
  • 2014-07-24 - 2014-10-15 - E04G9/10
  • 本发明公开了一种粘合密肋型材,板材中分布有加强肋,所述加强肋包括头阶层、位于头阶层下方的二阶层、位于二阶层下方的尾阶层,其中所述头阶层和二阶层在其连接处形成第一台阶,二者呈T型结构;所述二阶层和尾阶层在其连接处形成第二台阶,二者呈T型结构;整个加强肋外层为玻璃布或纤维布围成,内部胶合有镁水泥;所述二阶层中设有由竹片、苇杆或钢筋交叉编织成矩形的第一加强部;所述尾阶层中设有由竹筋、苇杆交叉编织成矩形的第二加强部。
  • 一种粘合密肋型材
  • [发明专利]集成电路系统和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202180049309.8在审
  • J·D·霍普金斯;A·N·斯卡伯勒 - 美光科技公司
  • 2021-08-05 - 2023-05-02 - H10B43/27
  • 一种集成电路系统包括存储器阵列,所述存储器阵列包括有包括横向间隔的存储器块的存储器单元串,所述横向间隔的存储器块个别地包括有包括交替的绝缘性阶层和导电性阶层的第一竖直堆叠。存储器单元串包括延伸穿过所述绝缘性阶层和所述导电性阶层的沟道材料串。所述导电性阶层个别地包括水平伸长的导电线。第二竖直堆叠在所述第一竖直堆叠旁边。所述第二竖直堆叠包括上部部分和下部部分。所述上部部分包括交替的第一绝缘阶层和第二绝缘阶层。所述下部部分包括在导体阶层的导体材料正上方的最下部绝缘体阶层。所述最下部绝缘体阶层包括含固体碳和含氮材料。紧邻阶层在所述最下部绝缘体阶层的所述含固体碳和含氮材料正上方。所述紧邻阶层包括具有与所述最下部绝缘体阶层的组成物不同的组成物的材料。公开包含方法的其它实施例。
  • 集成电路系统用于形成包括存储器单元阵列方法

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