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[发明专利]一种铟箔片表面处理方法-CN202111074466.2有效
发明人：岳晓聪;黄宇彬;许廷勇;梁振耀;童培云 -专利权人：先导薄膜材料有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B08B7/04 文献下载
摘要：本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种铟箔片表面处理方法，其包括以下步骤，步骤一：设置一个盛酸容器和多个盛水容器；步骤二：将铟箔片投入盛酸容器中酸洗；步骤三：将铟箔片投入第一盛水容器中水洗；步骤四：将铟箔片投入第二盛水容器中水洗；步骤五：向铟箔片的表面滴洒异丙醇，擦拭铟箔片表面的生成物；步骤六；将铟箔片投入第三盛水容器中水洗；步骤七：对铟箔片进行干燥；步骤八：剪切铟箔片；步骤九：真空打包铟箔片。与现有技术相比，表面清洗后的铟箔片在封装过程中能够避免因铟箔片本身的杂质导致封装失效，提高封装效率，也保证了铟箔片的导热能力。该铟箔片表面处理方法简单可靠、清洗效果好。
一种铟箔片表面处理方法

[发明专利]一种用于GDMS检测的高纯电解锰样品的制备方法及高纯电解锰样品杂质分析方法-CN202010752644.1在审
发明人：吴景晖;缪成旭;宋彦明;姚力军 -专利权人：宁波创润新材料有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： G01N30/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于GDMS检测的高纯电解锰样品的制备方法，包括以下步骤：S1、首先分别取两粒铟放在聚四氟乙烯模具中，施加压力将两粒铟均压成圆片，即得A铟片和B铟片，取A铟片在中间挖出圆孔；S2、分别将A铟片和B铟片洗净后，用镊子夹取B铟片，吹干后备用；S3、将电解锰样品切割成块状，并以电解锰样品的溅射面向上放进聚四氟乙烯杯子中，洗净后，用镊子夹取电解锰样品，吹干后以电解锰样品的溅射面向上放在B铟片上，用镊子夹取A铟片，吹干后放在电解锰样品的溅射面上，将A铟片和B铟片压制结合，且A铟片和B铟片的直径均大于电解锰样品的对角线长度。
一种用于 gdms 检测高纯电解锰样品制备方法杂质分析

[发明专利]一种锂铟合金电极及其制备方法与应用-CN202211613038.7在审
发明人：唐豪;潘瑞军;朱冠楠;王义飞;蔡毅 -专利权人：上海轩邑新能源发展有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：本申请提供一种锂铟合金电极及其制备方法与应用。锂铟合金电极的制备方法包括如下步骤：S1，提供锂片和铟片；S2，将所述锂片、所述铟片压合并合金化，得到锂铟合金；S3，将所述锂铟合金粉碎，得到锂铟合金粉；S4，压制所述锂铟合金粉，得到锂铟合金电极。根据本发明实施例的锂铟合金电极制备方法，首先利用锂和铟来制备锂铟合金粉，并通过锂铟合金粉来压制锂铟合金电极，在制备锂铟合金粉时，通过调节所使用的原料中锂的质量比，能够简单地调节所制备得到的锂铟合金电极中的锂含量，满足全固态电池的正极、负极测评要求；另外，本发明的制备方法制备Li‑In电极，不会发生锂或者铟的延展，因而不容易造成电池短路，显著提高电池制作的效率。
一种合金电极及其制备方法应用

[实用新型]一种防止铟片溅射的芯片封装结构-CN202123391212.1有效
发明人：张国栋;潘明东;张中;龙欣江;许连军 -专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种防止铟片溅射的芯片封装结构，包括基板、分别固定在基板上的转接板和被动元件、固定在转接板上的芯片、覆盖在芯片上的铟片、以及设置在铟片上的散热片，铟片的周边围设硅胶条，且在硅胶条上设有排气孔，散热片压紧铟片及硅胶条，且散热片边缘固定在基板上。本实用新型在铟片周围设置一圈硅胶条，在封装过程中，即使温度过高造成铟金属的沸腾，硅胶条能够有效进行阻挡，防止铟金属外溢及飞溅，保护周围电容等元器件不被污染失效；同时，在铟金属液态状态下，硅胶条能够防止液态铟金属外流，保证了铟金属的覆盖率及其导热效果；此外，硅胶条上预留排气孔，避免硅胶条整体形成密闭腔体，有效防止增设硅胶条而产生的炸裂现象。
一种防止溅射芯片封装结构

[发明专利]一种铌酸锂薄膜和磷化铟基光电外延片集成方法-CN202310283928.4在审
发明人：吴立枢;钱广;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种铌酸锂薄膜和磷化铟基光电外延片集成方法，包括以下步骤：样品准备：清洗自下而上包含衬底层、介质层和铌酸锂层的铌酸锂薄膜和自下而上包括磷化铟衬底层和磷化铟外延功能层的磷化铟基光电外延片；第一键合：使用临时粘合材料将磷化铟基光电外延片的磷化铟外延功能层正面与临时载片进行第一键合；衬底去除：去除磷化铟基光电外延片的衬底层；第二键合：将铌酸锂薄膜的铌酸锂层正面与磷化铟外延功能层的磷化铟外延功能层背面通过键合材料进行第二键合；分离临时材料：分离磷化铟外延功能层上的临时载片并去除临时粘合材料。本申请避免了铌酸锂薄膜上生长磷化铟外延片导致的晶格失配和缺陷密度高的问题。
一种铌酸锂薄膜磷化光电外延集成方法

[发明专利]一种高纯铟脱氧方法-CN202211674408.8在审
发明人：赵科湘;文劼 -专利权人：株洲科能新材料股份有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C22B58/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯铟脱氧方法，该方法是将5N级以上析出铟加入熔铟罐中并加入丙三醇浸没析出铟，再加热熔铟罐使析出铟完全熔化成铟液，将铟液充分搅拌使铟氧化物上浮至铟液表面，再将铟液从熔铟罐底部的出料口利用导管引出，导管另一端置于装有丙三醇的模具的丙三醇液面以下，铟液转移至模具中铸成铟锭，所得铟锭依次采用酸液洗涤、超纯水洗涤和干燥，该方法在高纯析出铟片熔融加工过程中可以避免其与空气大量接触而氧化，同时能够将已生成的铟氧化物转移到高纯铟锭表面，从而易于被清洗去除，很好地解决了电解铟片易氧化及铟氧化物难脱除的技术问题。
一种高纯脱氧方法

[发明专利]一种铟片及其制备方法与应用-CN202310951383.X在审
发明人：姚力军;潘杰;王学泽;郝海天;钟伟华 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B21J5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种铟片及其制备方法与应用，所述制备方法包括：对金属铟进行至少一次压片，得到铟片；每次所述压片的压力分别独立地为0.3～0.7MPa，时间分别独立地为5～10s。本发明提供的铟片的制备方法的较为简单，制备得到铟片的时间较短，对能源的损耗较小，且制备得到的铟片的表面平整度满足GDMS测试的要求。
一种及其制备方法应用

[实用新型]黑体铟网片-CN200320123477.6无效
发明人：朱升和 -专利权人：朱升和
申请日： 2003-12-19 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： H01J61/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及低压荧光灯管技术领域，特别是涉及起跳技术的辅汞齐，即铟网片技术，包括铟层、网体，在铟层和网体间设置吸热层。本实用新型在铟层和网体间设置吸热层，提高铟网片的辐射系数，可以更快地吸收热辐射的热能，使铟网片即铺汞齐瞬间升温至300℃以上，更快、更大量地释放Hg原子，帮助灯管快速起跳，缩短光通建立时间；同时，灯管点亮稳定后，铟网片的温度较低，更有利于铟层的定位，避免蠕动。
黑体铟网片

[发明专利]一种基于温度梯度的半球谐振陀螺铟焊装置及工艺方法-CN202211273207.7在审
发明人：李朝将;刘德飘;金鑫;刘晓豪;张嘉城;蔚行 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： B23K31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于温度梯度的半球谐振陀螺铟焊装置及工艺方法，属于半球谐振陀螺铟焊装配技术领域。本发明的铟焊工艺方法步骤为：1、根据谐振子和电极基座的尺寸，卷制相应厚度和高度的铟片；2、固定电极基座，将卷制的圆筒形铟片预制在谐振子中心杆或基座中心孔上，并固定谐振子；3、检测装置检测谐振子和电极基座位姿，进行轴孔对位装配；4、加热设备通电加热，圆筒形铟片高度方向上存在温度梯度，下端先熔化，上端未熔化铟片逐渐滑落并熔化，最后填充装配间隙；5、铟片完全熔化后停止加热，铟冷却凝固后完成铟焊。
一种基于温度梯度半球谐振陀螺装置工艺方法

[发明专利]一种便于CPU测试的装置及方法-CN202210762662.7在审
发明人：杨淑贞 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：本发明提供一种便于CPU测试的装置及方法，属于服务器技术领域，其包括散热器和固定座，所述散热器的底部安装有散热器底座，所述固定座位于散热器底座的下部且连接到所述散热器底座上，所述固定座上设置有铟片安装结构，所述铟片安装到所述铟片安装结构中，所述铟片安装结构为下部敞开式结构，所述铟片的下表面露出在固定座的底部，使用时CPU与所述固定座连接并且所述固定座不会阻挡所述铟片与CPU的接触，达到更加利于散热的效果，使用一种装载高导热率铟片的固定座来替代导热硅脂，在保证散热的前提下，实现CPU的快速拆装和铟片的重复利用，从而节约成本和CPU拆装时间，提高工作效率。
一种便于 cpu 测试装置方法

[发明专利]一种铟-三氧化二铟异质纳米材料复合电催化剂及其制备方法和应用-CN201910156023.4有效
发明人：张兵;孙文丽;梁瑜;黄义 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： B01J23/08 文献下载
摘要：本发明提供一种铟‑三氧化二铟异质纳米材料复合电催化剂及其制备方法和应用，通过简便的水热反应技术，与铟复合来提高三氧化二铟的电催化二氧化碳活化活性，以氢氧化铟为模板，经过洗涤，干燥，煅烧，还原等一系列过程，制备得到铟‑三氧化二铟异质纳米片复合材料。铟‑三氧化二铟异质纳米片复合材料具有成本低、合成温度低、产物纯度高、比表面积大、二氧化碳活化性能好等优点。
一种氧化二铟异质纳米材料复合催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种辉光放电质谱粉末样品制样的方法-CN202211083813.2在审
发明人：唐永森;李定明 -专利权人：艾格斯瑞（成都）仪器设备有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种辉光放电质谱粉末样品制样的方法，属于检测分析技术领域，包括：（1）取两片铟片，分别为第一铟片和第二铟片；（2）将所述第一铟片进行开通孔；（3）将待测粉末样品装入所述第二铟片上，铺开；（4）将所述第一铟片盖在第二铟片上，并且使所述通孔区域完全覆盖所述粉末样品；（5）将位于所述通孔内的粉末样品压紧等步骤；采用本发明的制样方法，所制得的样品无零散粉末分布，样品均匀性得到大幅提升，从而显著提高了检测结果的准确度和重复性
一种辉光放电粉末样品方法

[发明专利]一种具有触摸及供热功能的液晶显示器及其制造工艺-CN201310634290.0无效
发明人：王兆财;袁超艺;李超;韩喆;徐长远 -专利权人：深圳晶华显示器材有限公司
申请日： 2013-12-02 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有触摸及供热功能的液晶显示器及其制造工艺，包括第一玻璃片；镀于第一玻璃片两侧的第一层氧化铟锡导电薄膜和第四层氧化铟锡导电薄膜，第四层氧化铟锡导电薄膜外接第二控制模块；第二玻璃片，与第一玻璃片相对设置；分别镀于第二玻璃片两侧的第二层氧化铟锡导电薄膜和第三层氧化铟锡导电薄膜，第三层氧化铟锡导电薄膜外接第一控制模块；一液晶层，设置于第一层氧化铟锡导电薄膜和第二层氧化铟锡导电薄膜之间；第一偏光片，设置于第四层氧化铟锡导电薄膜上；第二偏光片，设置于第三层氧化铟锡导电薄膜上。
一种具有触摸供热功能液晶显示器及其制造工艺

[发明专利]一种基于铟材质的芯片封装测试压头及其测试方法-CN202210490589.2在审
发明人：李晓东 -专利权人：森敏特电子科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铟材质的芯片封装测试压头及其测试方法，包括压头件、承载件，所述压头件位于承载件所在的上方位置，同时所述压头件所在的下表面设置有向中部凹陷的腔体，位于所述腔体内嵌装有合金铟片；所述合金铟片所在的下端面伸出压头件所在下端面向下，且位于所述合金铟片所在下方的承载件上用于承载芯片本体，通过压头件位于承载件正上方的下压，使合金铟片正对于芯片本体上；所述合金铟片的熔点在141‑237℃、电阻率为0.13‑0.14μΩ·m。测试压头利用合金铟片延展性，能够完全贴合在不平整的芯片表面，当压头件在控温时，能够达到良好的控温效果。
一种基于材质芯片封装测试压头及其方法

[发明专利]小尺寸磷化铟晶圆与8寸硅晶圆的异质键合方法-CN202211641308.5在审
发明人：成明;赵东旭;王云鹏;王飞;范翊;姜洋 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种小尺寸磷化铟晶圆与8寸硅晶圆的异质键合方法，包括以下步骤：通过临时键合胶将磷化铟晶圆胶结在临时载片的中心位置；将胶结在临时载片上的磷化铟晶圆和8寸的硅晶圆进行化学机械抛光，并去除表面铜层，使晶圆的铜柱的高度低于晶圆的表面；对磷化铟晶圆进行光刻工艺，并在临时载片上反刻有标记；键合机依据标记识别磷化铟晶圆，将磷化铟晶圆与硅晶圆实现键合，并保证磷化铟晶圆的铜柱与硅晶圆的铜柱互连；加热去除临时载片本发明有效实现了小尺寸磷化铟晶圆与8寸硅晶圆的异质键合，同时保证了铜柱互连问题，降低了磷化铟晶圆在进行CMP、光刻和键合等过程中碎片的风险，降低了磷化铟晶圆的应用成本。
尺寸磷化铟晶圆寸硅晶圆异质键合方法

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