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[发明专利]陶瓷-铜复合体、陶瓷电路基板、功率模块及陶瓷-铜复合体的制造方法-CN201980086356.2有效
发明人：汤浅晃正;中村贵裕;西村浩二 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：陶瓷‑铜复合体，其为具备陶瓷层、铜层和存在于陶瓷层与铜层之间的钎料层的平板状陶瓷‑铜复合体，其中，将陶瓷‑铜复合体沿着与其主面垂直的面切断时，在铜层的切面中，将具有自(102)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(102)％、具有自(101)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(101)％、具有自(111)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(111)％、具有自(112)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(112)％时，满足特定的式(1)。
陶瓷复合体路基功率模块制造方法

[发明专利]一种碘铋铜晶体的制备方法-CN202010561558.2有效
发明人：孙瑞;徐家跃;申慧 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种碘铋铜晶体的制备方法，包括碘铋铜多晶料的制备和碘铋铜晶体的生长；将原料按照化学计量比进行称量，然后装入石英坩埚内，并对石英坩埚进行抽真空密封，然后将石英坩埚置于摇摆炉内分段加热得到碘铋铜多晶料；之后将装有多晶料的石英坩埚置于晶体炉内进行晶体生长，最终得到碘铋铜晶体。本发明采用摇摆炉和晶体炉两步法成功生长出碘铋铜晶体，得到的碘铋铜晶体的尺寸为17×80mm，克服了现有碘铋铜晶体生长的技术瓶颈，解决了碘铋铜晶体无法成功生长的技术难题，为碘铋铜晶体的生长提供了新思路。
一种碘铋铜晶体制备方法

[发明专利]一种卤铜铯晶体的制备方法-CN202111219006.4有效
发明人：刘满营;范二闯;郑直 -专利权人：许昌学院
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C01G3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种卤铜铯晶体的制备方法。首先制备晶体母液：按铜与铯的原子比为2：1称量铜源和铯源；将称量好的铜源、铯源、氢卤酸混合均匀，氢卤酸过量，装入密闭反应釜中进行水热反应形成卤铜铯CsCu2X3晶体母液；卤铜铯晶体生长：在上述卤铜铯母液中，缓慢加入晶体生长剂，合成卤铜铯CsCu2X3晶体。本发明通过水热反应和晶体调节生长技术成功得到纯净的卤铜铯晶体，解决了卤铜铯晶体的制备难题，为卤铜铯晶体的制备提供了新思路。
一种卤铜铯晶体制备方法

[实用新型]一种硫酸铜晶体粉末干燥分离装置-CN202222946622.6有效
发明人：王雷;宋淑明;孙文浩;方平 -专利权人：昆山中环实业有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： F26B11/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硫酸铜晶体粉末干燥分离装置，涉及硫酸铜粉末加工技术领域，包括底板、硫酸铜晶体干燥分离单元和硫酸铜晶体拨动单元；底板为矩形；硫酸铜晶体干燥分离单元包含加热盒、活动块、矩形密封板、固定块一、螺杆、固定块二、螺纹孔、矩形加热片、矩形导热板、温控开关、易取导热盛放盒、矩形槽、矩形支撑块、握持柱、S形排气管、转轴和支撑耳；硫酸铜晶体拨动单元安装在矩形密封板的侧面中部。在将硫酸铜晶体加热变成粉末后，可以方便的将硫酸铜粉末从加热盒中取出，还可以方便的在加热时对硫酸铜晶体进行拨动，使得硫酸铜晶体受热均匀，从而提高结晶水分离的速度。
一种硫酸铜晶体粉末干燥分离装置

[实用新型]一种硫酸铜晶体干燥机-CN202020098942.9有效
发明人：丁培青;薛咏立;杨宪蔷;陈达;刘路路 -专利权人：宿迁久巨环保科技有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： F26B11/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硫酸铜晶体干燥机，涉及硫酸铜晶体领域，包括干燥箱，干燥箱的顶部转动连接有转杆，转杆的底端固定连接有干燥筒。本实用新型中，通过将硫酸铜晶体放置在干燥筒内，通过启动伺服电机带动转轴的转动，通过第一锥齿轮和第二锥齿轮带动转杆的转动，从而带动干燥筒的转动，齿轮的转动，通过传送带带动拨动筒的转动，启动烘干器，烘干器对干燥筒内的硫酸铜晶体进行烘干，干燥筒的转动带动被烘干的硫酸铜晶体转到另一边，通过拨动筒对硫酸铜晶体拨动，将硫酸铜晶体进行翻边，然后再经过烘干器进行烘干，同时启动风机，对干燥筒内的硫酸铜晶体进行吹干，从而加快硫酸铜晶体的干燥速率。
一种硫酸铜晶体干燥机

[发明专利]一种在长石晶体中生长铜纳米材料的方法-CN202011210279.8有效
发明人：周青超;王成思;沈锡田 -专利权人：中国地质大学（武汉）;滇西应用技术大学
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： B22F9/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种在长石晶体中生长铜纳米材料的方法，该制备方法通过高温扩散的手段将铜元素引入到长石晶体内部，为了缩短长石晶体中铜纳米材料的生长周期，将长石晶体中生长铜纳米材料的过程分离为扩散和形核生长两个阶段在扩散阶段通过增加扩散原料中铜的浓度加快铜由扩散原料到长石晶体的扩散过程。在形核与生长阶段不再添加扩散原料，进一步升高温度加快铜离子在长石晶体内部的扩散，加速铜纳米粒子生长过程。这种方法可以极大地缩短铜纳米材料在长石晶体内部的生长周期。
一种长石晶体生长纳米材料方法

[发明专利]一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法和电子器件-CN202111497826.X有效
发明人：庞超;龚政;胡诗犇;潘章旭;郭婵;王建太;邹胜晗;李育智;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法和电子器件，涉及半导体技术领域。该铜铟硒纳米晶体由铜铟硒纳米晶体的制备方法制备而成，该铜铟硒纳米薄膜由铜铟硒纳米薄膜的制备方法制备而成，其中电子器件包括上述的铜铟硒纳米薄膜。由铜铟硒纳米薄膜的制备方法能够减少副产物的产生，并且通过第一前驱体及第二前驱体制备的铜铟硒纳米晶体会使得纳米晶体表面富含硫元素，进而减少有机长链配体，以实现减少粒子之间的间距，载流子以更短的粒子间距通过相邻纳米晶体之间的势垒，因此其能够增强电子耦合并改善电传输特性，能使得由铜铟硒纳米晶体制备的纳米电子器件的性能得到增强。
一种铜铟硒纳米晶体薄膜及其制备方法电子器件

[发明专利]一种利用尿素调控五水硫酸铜晶体生长形貌的方法-CN202010072752.4有效
发明人：庄欣欣;郑石贵;叶李旺;许智煌 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C01G3/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用尿素调控五水硫酸铜晶体生长形貌的方法，包括配制含硫酸铜和尿素的混合溶液，蒸发结晶，通过调控所述尿素与五水硫酸铜晶体的质量比从而得到不同形貌的斜六棱柱五水硫酸铜晶体。本发明以尿素为添加剂，通过控制尿素与五水硫酸铜晶体的添加比例，使得尿素分子选择性地吸附于五水硫酸铜晶体表面，与水分子竞争吸附位点，降低五水硫酸铜晶体特定晶面的生长速率，从而有效控制五水硫酸铜晶体的形貌和尺寸，使其产生斜六棱柱状晶体形貌。该调控方法操作简单、设备简易、原料成本较低，调控效果明显且重复性良好，为控制五水硫酸铜晶体的生长形貌提供了一种新的方法，制备所得产品可应用于对形貌有特殊要求的领域。
一种利用尿素调控硫酸铜晶体生长形貌方法

[实用新型]一种硫酸铜晶体生产系统-CN201720192881.0有效
发明人：邱国华;罗海平 -专利权人：东莞市新意工业废物处理有限公司
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： C01G3/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及废水处理技术领域，具体涉及一种硫酸铜晶体生产系统，包括酸性蚀刻废液预处理装置、碱性蚀刻废液预处理装置、中和罐、过滤装置、第一酸化设备、反应釜、第一结晶槽、硫酸铜晶体储存容器和硫酸铜晶体提纯装置本实用新型的生产系统设备简单，工艺操作简便，可实现工艺整改的两个方案，从除杂和提纯两个方面降低硫酸铜晶体的杂质含量，提高硫酸铜晶体的纯度，具有多功能性和多选择性的特点，除杂效果好，杂质去除率达97%以上，提高产品的品质质量，硫酸铜晶体产品主含量达96%以上，且制得的硫酸铜晶体的各项指标均达到硫酸铜产品行业标准YS/T94‑2007二级品的要求。
一种硫酸铜晶体生产系统

[发明专利]可逆转化铯铜卤素钙钛矿纳米晶体及其制备方法-CN202011325940.X在审
发明人：严宇辰;汪岳铭;李丹;赵文博;张桥;曹暮寒;陈淑桦 -专利权人：苏州大学
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C01G21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种可逆转化铯铜卤素钙钛矿纳米晶体及其制备方法，混合前驱物溶液与介孔载体，然后在真空条件下于80～100℃加热，得到初始铯铜卤素钙钛矿纳米晶体；然后对初始铯铜卤素钙钛矿纳米晶体进行水雾处理，得到转换铯铜卤素钙钛矿纳米晶体；再进行干燥得到初始铯铜卤素钙钛矿纳米晶体；完成铯铜卤素钙钛矿纳米晶体的可逆转化。本发明实现了蓝色荧光物质与黄色荧光物质之间的多次可控转化，具有识别性非常明显、转化条件简便、转化过程快速、转化循环次数高等优点，为新型无机铜卤钙钛矿的应用研究奠定了基础。
可逆转化卤素钙钛矿纳米晶体及其制备方法

[发明专利]一种蓝宝石晶体覆铜衬板的制作方法及其覆铜衬板-CN202111007757.X有效
发明人：李凯旋;张博雅;李兴文 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C23C24/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝宝石晶体覆铜衬板的制作方法，包括：在蓝宝石晶体的表面涂抹氧化铝、碳酸钙混合粉末，并烧结形成混合粉末附着层；在混合粉末附着层表面涂抹活性金属钎焊料层；将铜箔经预处理后，在活性金属钎焊料层的表面烧结形成铜层，最终形成蓝宝石晶体覆铜衬板。该蓝宝石晶体覆铜衬板的晶体内部为单晶结构，微粒接触面积大，散热性能提升；改良工艺实现铜层与晶体的紧密结合，剥离强度大，表面空洞率低，电绝缘性能优异；晶体光吸收强度低，并可以实现模块芯片的光学在线监测。
一种蓝宝石晶体覆铜衬板制作方法及其

[发明专利]阵列基板以及其制作方法-CN201910747713.7在审
发明人：周星宇;林振国;徐源竣;吕伯彦 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种阵列基板，包含基板、金属遮光层、导电保护层、缓冲层、晶体管和像素电极。所述导电保护层覆盖所述金属遮光层。所述缓冲层位于所述基板上并覆盖所述导电保护层。所述晶体管位于所述缓冲层上，连接所述导电保护层。所述像素电极连接所述晶体管。有效的解决了金属氧化物薄膜晶体管驱动背板铜氧化的问题，透明导电层覆盖在遮光层铜的表面，形成对铜的保护，防止铜氧化，避免铜的扩散，减少蚀刻对铜的伤害，减小遮光层铜剥离的风险。
导电保护层缓冲层晶体管金属遮光层像素电极铜氧化遮光层基板覆盖金属氧化物薄膜晶体管蚀刻透明导电层驱动背板阵列基板减小剥离扩散伤害

[发明专利]一种非线性晶体装配结构-CN201910734637.6在审
发明人：校金涛;陈基平 -专利权人：福建科彤光电技术有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本发明公布了一种非线性晶体装配结构，包括铜热沉A和非线性晶体，非线性晶体通过铜热沉A接触固定，铜热沉B设有非线性晶体的容腔，并且非线性晶体位于铜热沉B的容腔内部，而且非线性晶体不与铜热沉B的容腔内部右侧相接触，在非线性晶体的Y轴竖直方向设置热膨胀补偿块，热膨胀补偿块的Y轴竖直方向的顶面设置第一铟箔。本发明通过优选聚四氟乙烯材料对非线性晶体LBO的非临界相位匹配条件下的各项异性热膨胀进行动态补偿，进而实现对LBO晶体的无胶无应力稳定夹持，并且在热膨胀补偿块的Y轴竖直方向的顶面设置铟箔，从而消除Y轴方向的空隙
非线性晶体铜热沉热膨胀补偿容腔竖直装配结构顶面铟箔热膨胀非临界相位匹配聚四氟乙烯材料动态补偿方向设置接触固定应力稳定夹持无胶异性优选

[实用新型]一种非线性晶体装配结构-CN201921288275.4有效
发明人：校金涛;陈基平 -专利权人：福建科彤光电技术有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本实用新型公布了一种非线性晶体装配结构，包括铜热沉A和非线性晶体，非线性晶体通过铜热沉A接触固定，铜热沉B设有非线性晶体的容腔，并且非线性晶体位于铜热沉B的容腔内部，而且非线性晶体不与铜热沉B的容腔内部右侧相接触，在非线性晶体的Y轴竖直方向设置热膨胀补偿块，热膨胀补偿块的Y轴竖直方向的顶面设置第一铟箔。本实用新型通过优选聚四氟乙烯材料对非线性晶体LBO的非临界相位匹配条件下的各项异性热膨胀进行动态补偿，进而实现对LBO晶体的无胶无应力稳定夹持，并且在热膨胀补偿块的Y轴竖直方向的顶面设置铟箔，从而消除Y
一种非线性晶体装配结构

[实用新型]一种集成式功率场效应晶体管模组-CN201520624972.8有效
发明人：陈建全 -专利权人：广州擎天实业有限公司
申请日： 2015-08-18 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成式功率场效应晶体管模组，包括功率场效应晶体管、铜底板、铜上板和触发板，所述的功率场效应晶体管为并联设置的多只，每只功率场效应晶体管的D极均与所述铜底板和铜上板两块板中的任一块板相焊接，S极均与另一块板相焊接，G极均与所述的触发板相焊接，所述功率场效应晶体管与铜底板、铜上板及触发板焊接后电气连通，所述功率场效应晶体管与铜底板、铜上板及触发板焊接后用环氧树脂灌封形成整体的模组，整个模组表现为一个该模组把多个功率场效应晶体管先并联预装成模块再进行模块间并联，使得生产工艺易于实施和控制，从而为整机的产品质量提供了保证。
一种集成功率场效应晶体管模组

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