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[发明专利]掺锆铌酸锂晶体-CN200610129356.0无效
发明人：刘士国;孔勇发;赵艳军;许京军;陈绍林;黄自恒;张玲 -专利权人：南开大学
申请日： 2006-11-11 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：掺锆铌酸锂晶体。本发明属非线性光学晶体领域。它的特征是在铌酸锂晶体中掺入锆离子，锆离子Zr⁴⁺的掺入量大于0.01mol％。本发明提供了一种新的抗光折变掺杂离子Zr⁴⁺，它的掺杂阈值低，易于生长出高品质的晶体，且抗光折变能力强，超过阈值以后晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高6个量级，比同成分掺镁(4.6mol％)铌酸锂晶体提高了3个量级。本发明之掺锆铌酸锂晶体，完全可以取代高掺镁铌酸锂晶体的应用，具有巨大的市场前景。
掺锆铌酸锂晶体

[发明专利]一种大功率压电陶瓷材料-CN90108248.1无效
发明人：邝安祥;周桃生;何昌鑫;柴荔英;谢菊芳 -专利权人：湖北大学
申请日： 1990-10-29 - 公布日： 1994-08-17 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明是对铌镁锆钛酸铅和铌锰锆钛酸铅进行了最佳组合和改性，从而获得在大功率使用下性能优异的铌镁酸铅，铌锰酸铅，锆酸铅，钛酸铅(PMMN)四元系压电陶瓷材料。解决了大功率压电变压器材料问题。
一种大功率压电陶瓷材料

[发明专利]压电功能膜、致动器以及喷墨头-CN201780071648.X有效
发明人：水原健介;张替贵圣 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：压电体层包含添加铌的锆钛酸铅。基底层包含：添加铌的钛酸铅、或者添加(铌、镧)的钛酸铅、或者添加(铌、镧、镁)的钛酸铅的任意一种。
压电功能致动器以及喷墨

[发明专利]铌镁酸铅-钛酸铅和锆钛酸铅异质结构薄膜及其制备方法-CN201710046406.7有效
发明人：孙华君;郭庆虎;隋慧婷;史文轩 -专利权人：武汉理工大学;淄博高新技术产业开发区先进陶瓷研究院
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌镁酸铅‑钛酸铅和锆钛酸铅异质结构薄膜及其制备方法，铌镁酸铅‑钛酸铅和锆钛酸铅薄膜以不同的顺序组成多层异质结构薄膜。本发明降低了容温变化率，提高了介电峰的宽化，增大其应用领域。
铌镁酸铅钛酸铅锆钛酸铅异质结构薄膜及其制备方法

[发明专利]锆掺杂铌镁酸铅陶瓷的制备方法-CN201210247244.0无效
发明人：樊慧庆;彭彪林;李强 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2012-07-17 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明公开了一种锆掺杂铌镁酸铅陶瓷的制备方法，用于解决现有方法制备的锆掺杂铌镁酸铅陶瓷介电常数小、调谐率低的技术问题。由于选择合适的掺杂元素锆，通过先预合成铌酸镁粉体，再加入二氧化锆和氧化铅粉体进行二次预合成，制备的铌镁酸铅陶瓷与背景技术相同的温度300K条件下，介电常数由背景技术的10000～12000提高到10829
掺杂铌镁酸铅陶瓷制备方法

[发明专利]一种高抗弯强度高Q值微波介质材料及其制备方法-CN202210209218.2在审
发明人：林慧兴;王思民;何飞;姜少虎;彭海益;任海深 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：所述微波介质材料的化学组成包括：铌酸镁基体、以及分散在铌酸镁基体中的片状氧化物作为第二相；所述片状氧化物相为片状氧化铝、片状氧化锡、片状氧化硅、片状氧化锆、片状氧化钛、片状氧化钨中的至少一种，0.1≤x
一种抗弯强度微波介质材料及其制备方法

[发明专利]一种铌镁酸铅气凝胶的制备方法-CN201811544365.5在审
发明人：刘国强 -专利权人：安徽升鸿电子有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌镁酸铅气凝胶的制备方法，包括以下步骤：将草酸铌、氢氧化镁加入乙二醇甲醚中，反应完成后，降至室温，得到铌镁前驱液；将醋酸铅加入铌镁前驱液中，搅拌反应，降至室温，得到铌镁铅前驱液；再将铌镁前驱液滴入铌镁铅前驱液中，不断搅拌，得到铌镁酸铅溶胶；向铌镁酸铅溶胶中滴加去离子水，搅拌后，密封静置直至形成铌镁酸湿凝胶，再密封老化，得老化后的铌镁酸铅湿凝胶；再将老化后的铌镁酸铅湿凝胶浸入有机溶剂中，每天更换一次有机溶剂，得到的铌镁酸铅湿凝胶置于超临界干燥釜内，经超临界干燥，得铌镁酸铅气凝胶，本发明制备得到的铌镁酸铅气凝胶纯度更高，粒度更小，温度稳定性、机械性能高，降低了污水的排放，节能环保。
铌镁酸铅前驱液铌镁气凝胶湿凝胶制备有机溶剂老化机械性能超临界干燥釜超临界干燥温度稳定性乙二醇甲醚搅拌反应节能环保密封静置氢氧化镁去离子水浸入草酸铌醋酸铅再密封铌镁酸滴加滴入污水排放

[发明专利]用于电致发光显示器的低焙烧温度的厚膜介电层-CN02825726.X有效
发明人：李武;吴承熙;杨迈之;吴兴炜;李成义;丹尼尔·J·西尔;威廉·M·斯迈;叶羽丰;张辉 -专利权人：伊菲雷技术有限公司
申请日： 2002-12-16 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：该复合厚膜介电层包括：(a)厚膜组合物的下部区域层，它包括：铌镁酸铅(PMN)、铌镁酸铅－钛酸铅(PMN－PT)、钛酸铅、钛酸钡和氧化铅中的一种或多种；含有氧化铅、氧化硼以及二氧化硅的玻璃粉组合物；(b)上部区域，它包括锆钛酸铅(PZT)和/或钛酸钡的至少一层，以及(c)含有(a)和(b)复合层的中间复合区域。
用于电致发光显示器焙烧温度厚膜介电层

[发明专利]双掺铌酸锂晶体-CN200710150590.6无效
发明人：刘士国;吴胜青;孔勇发;许京军;陈绍林;黄自恒;张玲 -专利权人：南开大学
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：一种双掺铌酸锂晶体，本发明属非线性光学晶体领域。本发明将抗光折变掺杂离子Zr⁴⁺和光折变离子Fe³⁺共同掺入铌酸锂晶体中，具有掺杂阈值低，易于生长出高品质晶体的特点，且晶体具有优异的光折变性能，其光折变响应时间比掺铁铌酸锂晶体缩短两个量级，比镁铁双掺铌酸锂晶体减少近1个量级，比铪铁双掺铌酸锂晶体缩短了五倍；光折变灵敏度比铪铁双掺铌酸锂晶体提高了2～3倍。本发明之锆铁铌酸锂晶体，具有优于其它双掺(如镁铁、铟铁、锌铁、铪铁等)铌酸锂晶体光折变性能的特点，因此在三维体全息存储的应用上具有巨大的市场前景。
双掺铌酸锂晶体

[发明专利]一种铌镁酸铅-钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法-CN202210259100.0有效
发明人：汪尧进;王佳佳;李玲;张骥;王书豪;李响;丁冠中 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌镁酸铅‑钛酸铅基压电陶瓷材料，所述压电陶瓷材料用以下通式表示：(1‑x)(0.68PbMg1/3Nb2/3)‑x(Bi0.5Na0.5)ZrO3，其中0.00＜x≤0.07；所述铌镁酸铅‑钛酸铅基压电陶瓷材料的制备方法包括如下步骤：(1)制备前驱体MgNb2O6；(2)制备基体材料0.68PMN‑0.32PT本发明制备的铌镁酸铅‑钛酸铅‑锆酸铋钠三元系压电陶瓷，压电系数d33可达1040pC/N，室温下的介电常数εr可达6559
一种铌镁酸铅钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种铌镁酸铅-锆钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法-CN202210395272.0在审
发明人：汪尧进;李响;王书豪;王佳佳;游浩然;丁冠中 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌镁酸铅‑锆钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法。本发明制备的铌镁酸铅‑锆钛酸铅基压电陶瓷材料的压电系数d33可达530pC/N，机械品质因数Qm可达624；且制备工艺步骤简单、易于操作、重复性好、成品率高；烧结过程中采用相同组分粉料作为保护气氛进行埋粉
一种铌镁酸铅锆钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法

[实用新型]铌镁酸钡钛酸锶钡复合微波介质陶瓷片-CN201120363110.6有效
发明人：单连伟 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： B32B18/00 文献下载
摘要：铌镁酸钡钛酸锶钡复合微波介质陶瓷片。微波介质陶瓷广泛应用于卫星、雷达、移动通信等众多领域，20世纪后期，微电子信息处理技术和电子信息技术获得了快速的发展，这极大促进了微波移动通信技术的发展需求。一种铌镁酸钡钛酸锶钡复合微波介质陶瓷片，其组成包括：铌镁酸钡膜（1）、钛酸锶钡膜（2），所述的铌镁酸钡膜上复合钛酸锶钡膜，然后再复合铌镁酸钡膜，再复合铌镁酸钡膜，如此反复，将铌镁酸钡膜和钛酸锶钡膜交替复合成层叠结构
铌镁酸钡钛酸锶钡复合微波介质陶瓷

[发明专利]一种铌钪酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅‑锆酸铅铁电单晶材料-CN201510627514.4有效
发明人：惠增哲;龙伟;李晓娟;方频阳;赵金 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌钪酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅‑锆酸铅铁电单晶材料，该材料化学式为xPb(Sc1/2Nb1/2)O3‑yPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑zPbTiO3‑(1‑x‑y‑z)PbZrO3，其中本发明在PMN‑PT体系中引入铌钪酸铅（PSN）和锆酸铅（PZ），将其改为四元体系PSN‑PMN‑PT‑PZ，一方面与PMN‑PT相比，在不降低压电性能的前提下可有效地提高TR‑T；另一方面与PSN‑PT
一种铌钪酸铅铌镁酸铅钛酸铅铅铁电单晶材料

[发明专利]用于多层磁性材料的改良式晶种层-CN201810124824.8有效
发明人：诺真·杰;童儒颖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-10-10 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种磁性元件，其中揭露一种如氮化钽/镁复合式晶种层以增强垂直磁异向性于覆盖式磁性层，其可为参考层、自由层或是偶极层。晶种层由一单一层所形成，晶种层为一合金，其包含钽(Ta)、锆(Zr)、铌(Nb)、氮化钽(TaN)、氮化锆(ZrN)、氮化铌(NbN)及钌(Ru)之一，以及镁(Mg)、锶(Sr)、钛(Ti)、铝(Al)、钒(V)、铪(Hf)、硼(B)、硅(Si)、镁锆(MgZr)及镁铌(MgNb)之一，由镍镉或其合金所制成的成长促进层可插入在晶种层及磁性层间，磁性元件具有至少400℃的热稳定性。
用于多层磁性材料改良式晶种层

[发明专利]生物降解镁合金闭合夹-CN202311090623.8在审
发明人：张奕奕;徐维华;张祖仁 -专利权人：上海博洽医疗器械有限公司
申请日： 2023-08-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： A61B17/122 文献下载
摘要：一种生物降解镁合金闭合夹的生物降解镁合金的基体材质可以为在纯镁（Mg）中加入合金元素稀土钆（Gd）、铌（Nd）和/或锆（Zr）的生物降解镁稀土系合金。生物降解镁合金闭合夹的生物降解镁合金的基体材质也可以为在纯镁中加入合金元素锌（Zn）和稀土钆、铌和/或锆的生物降解镁锌稀土系合金。
生物降解镁合金闭合

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