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[发明专利]一种钛酸钡基粉体制备方法、钛酸钡基粉体及超级电容器-CN201910719732.9有效
发明人：钱秀洋;黄向东;毛文峰;长世勇;顾晓瑜;裴锋 -专利权人：广州汽车集团股份有限公司
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：为克服现有钛酸钡基粉体存在尺寸分布宽，介电性能差的问题，本发明提供了一种钛酸钡基粉体制备方法，包括以下操作步骤：钛酸钡基前驱体悬浊液制备：将钡源、钛源和草酸混合，得到钛酸钡基前驱体悬浊液；碳吸附：向钛酸钡基前驱体悬浊液中加入碳模板，所述碳模板为多孔碳材料，得到碳包裹的钛酸钡基前驱体；煅烧：将碳包裹的钛酸钡基前驱体进行煅烧，热分解后得到钛酸钡基粉体。同时，本发明还公开了上述制备方法制备得到的钛酸钡基粉体及超级电容器。本发明提供的制备方法能够制备得到结晶性能优异、粒径小、粒径均匀的四方相钛酸钡基粉体，大大改善了钛酸钡基粉体的介电性能。
一种钛酸钡体制方法基粉体超级电容器

[发明专利]钛酸钡颗粒、钛酸钡/含氟聚合物复合材料及其制备方法-CN201610365752.7有效
发明人：刘晓林;李成;曲鹏 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明涉及钛酸钡颗粒、钛酸钡/含氟聚合物复合材料及其制备方法，所述复合材料的制备方法包括：1)提供钛酸钡颗粒、含氟聚合物、以及有机溶剂，所述钛酸钡颗粒为权利要求1或2所述的珊瑚状钛酸钡颗粒；2)将所述钛酸钡颗粒用儿茶酚类有机酸进行改性，得到改性钛酸钡颗粒；3)将所述改性钛酸钡颗粒与所述含氟聚合物以及所述有机溶剂充分混合，得到混合浆料；4)利用所述混合浆料进行浇注并干燥，得到所述复合材料。本发明的钛酸钡/聚合物高介电常数复合材料可用作储能电介质材料。
钛酸钡颗粒聚合物复合材料及其制备方法

[发明专利]钛酸钡颗粒粉末及其制造方法以及分散体-CN201910242726.9有效
发明人：藤田龙次;河口誉元;宇根本英知;冲田朋子;三岛祐司;黑川晴己;三泽浩光 -专利权人：户田工业株式会社
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明提供高纯度、高结晶性且具有高分散性的微细的钛酸钡颗粒粉末及其制造方法以及分散体，该钛酸钡颗粒粉末为在水系溶剂中长期稳定的钛酸钡颗粒粉末。碳酸钡覆盖层具有在水溶剂中抑制钛酸钡的水解、抑制来自钛酸钡颗粒的Ba2+离子的溶出的作用。该钛酸钡颗粒粉末的特征在于：在平均一次粒径为10～300nm的钛酸钡颗粒粉末中，非晶状的碳酸钡覆盖层的平均层厚为0.08～2.0nm。该钛酸钡颗粒粉末的制造方法包括：调整水溶剂中钛酸钡颗粒的浓度和Ba2+离子浓度的第一工序；和使从钛酸钡颗粒提取的Ba2+离子与Na2CO3反应，从而由非晶状的碳酸钡覆盖钛酸钡颗粒表面的第二工序。
钛酸钡颗粒粉末及其制造方法以及散体

[发明专利]Cu包覆钛酸钡纳米颗粒及其制备方法-CN201510100191.3在审
发明人：颜欢 -专利权人：苏州欢颜电气有限公司
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： B22F1/02 文献下载
摘要：本发明属于电子材料与器件领域，尤其涉及一种Cu包覆钛酸钡纳米颗粒及其制备方法，Cu位于钛酸钡颗粒的表面，Cu与钛酸钡的质量比为0.02～0.3:1。钛酸钡纳米颗粒的制备，通过粗化和敏化-活化对钛酸钡纳米颗粒进行预处理，将活化后的钛酸钡纳米颗粒分散于铜盐溶液中，加入还原剂将铜盐还原成铜单质，即得钛酸钡纳米颗粒表面包覆Cu的产品，所得产品具有高介电常数
cu 钛酸钡纳米颗粒及其制备方法

[发明专利]钛酸钡的制造方法及电子部件-CN201480032943.0有效
发明人：小西伸弥;藤井和也;名田一茂 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可以制造虽然粒径微细到80～150nm但正方晶性仍高的钛酸钡粉末的钛酸钡的制造方法，从而可以应对层叠陶瓷电容器等的元件厚度的薄层化。通过将比最终制造的钛酸钡粉末更微粒的钛酸钡粉末分散在例如乙醇等溶剂中而制作浆料。然后，在制造装置(10)的压力容器(18)中，通过一边将浆料加压一边使溶剂气化而分离钛酸钡粉末。然后，对分离出的钛酸钡粉末进行热处理。由此，制造出钛酸钡粉末。
钛酸钡制造方法电子部件

[发明专利]一种钛酸钡掺杂改性碳基复合材料及其制备方法-CN202011493122.0有效
发明人：张福勤;王化中;吕波;杨宇;夏莉红 -专利权人：中南大学
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C04B35/83 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸钡掺杂改性碳基复合材料及其制备方法，所述制备方法为将分散有钛酸钡粉末的混合液，喷洒在单层全网胎纤维的双表面，然后将单层含有钛酸钡粉末的全网胎纤维叠层针刺获得钛酸钡掺杂碳纤维预制体，然后将钛酸钡掺杂碳纤维预制体进行化学气相沉积致密即得钛酸钡掺杂改性碳基复合材料所制得的钛酸钡掺杂改性碳基复合材料为中心有孔洞的圆柱体。本发明创新性的采用在预制体制备前期就可以达到钛酸钡均匀分散在预制体上的目的。该发明方法简单可控，复合材料中钛酸钡颗粒均匀分布，同时具有成本低廉，原料易得，对纤维无损等特性，适合于规模化生产及应用。
一种钛酸钡掺杂改性复合材料及其制备方法

[发明专利]钛酸钡-镍锌铁氧体复合陶瓷材料及其制备方法-CN201310339538.0无效
发明人：朱朋莉;郑琪;孙蓉 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛酸钡-镍锌铁氧体复合陶瓷材料及其制备方法。该钛酸钡-镍锌铁氧体复合陶瓷材料包括钛酸钡相和镍锌铁氧体相，所述镍锌铁氧体相包覆所述钛酸钡相，所述镍锌铁氧体相的摩尔百分含量为33mol%～91mol%。这种钛酸钡-镍锌铁氧体复合陶瓷材料综合了镍锌铁氧体和钛酸钡的优点，并且，镍锌铁氧体相包覆钛酸钡相，镍锌铁氧体相的摩尔百分含量为33mol%～91mol%，使得钛酸钡和镍锌铁氧体不是简单叠加，镍锌铁氧体这种磁性介质的连续性提高了磁性能，故能够保证高的磁导率，亦能实现介电性能的提高，使得钛酸钡-镍锌铁氧体复合陶瓷材料的磁导率和介电性能较高。
钛酸钡铁氧体复合陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种高四方相钛酸钡粉末及其制备方法、钛酸钡厚膜陶瓷及其制备方法和应用-CN201810504005.6有效
发明人：邹艺轩;鲁圣国 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及介电材料技术领域，具体涉及一种高四方相钛酸钡粉末及其制备方法、钛酸钡厚膜陶瓷及其制备方法和应用。本发明提供了一种高四方相钛酸钡粉末，所述高四方相钛酸钡粉末的比表面为7.5m2/g～9.5m2/g；所述高四方相钛酸钡粉末的粒径为50nm～100nm；所述高四方相钛酸钡粉末的高四方率c/a为1.0072～1.0092；所述高四方相钛酸钡粉末的四方相含量为65％～80％。本发明高四方相钛酸钡粉末粒径小且活性高，能够用于制备超薄厚膜陶瓷。本发明还提供了一种钛酸钡厚膜陶瓷，该钛酸钡厚膜陶瓷具有较高的介电常数、击穿场强度和电卡效应，与钛酸钡薄膜陶瓷相比，具有更好的电学特性，厚度达到微米级，可作为MLCC的组成部分，提升MLCC的性能。
一种四方钛酸钡粉末及其制备方法陶瓷应用

[发明专利]钛酸钡微粒粉末、分散体和涂膜的制造方法-CN202110042140.5在审
发明人：国森敬介;山本一美;黑川晴己;河口誉元 -专利权人：户田工业株式会社
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明在于提供一种适用于光学膜用途等、保持小的粒径、介电常数大的钛酸钡颗粒粉末、以及能够高效地制造上述钛酸钡颗粒粉末的钛酸钡的制造方法。本发明的钛酸钡微粒粉末的一次颗粒的平均粒径为20～60nm，相对介电常数为300～800，本发明的钛酸钡微粒粉末的制造方法中，在100～250℃的温度范围中进行水热处理，进行水洗、干燥、粉碎，制造平均粒径为10～50nm的钛酸钡微粒粉末，将得到的钛酸钡微粒粉末在100℃～400℃的温度范围进行热处理。
钛酸钡微粒粉末散体制造方法

[发明专利]一种高介电常数高抗电强度介质材料及制备方法-CN202110985703.4有效
发明人：杜正明 -专利权人：四川特锐祥科技股份有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开一种高介电常数高抗电强度介质材料及制备方法，该高介电常数、高抗电强度介质材料包括改性钛酸钡A、改性钛酸钡B和助溶剂；所述改性钛酸钡A与改性钛酸钡B的重量比为0.98～1.15；助溶剂的重量为改性钛酸钡A与改性钛酸钡B重量和的1％～5％；所述改性钛酸钡A的结构式为：BaxBi(1‑x)TiySn(1‑y)，其中，x取值范围为0.9～0.99,y取值范围为0.9～0.995；所述改性钛酸钡B的结构式为：
一种介电常数高抗电强度介质材料制备方法

[发明专利]一种电致变色钛酸钡光子晶体及其制备方法-CN202310159792.6在审
发明人：李昕;雍思宽;张群 -专利权人：北京服装学院
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明属于钛酸钡技术领域，公开了一种电致变色钛酸钡光子晶体及其制备方法。该电致变色钛酸钡光子晶体的制备方法，包括下列步骤：四氯化钛与盐酸混合得到四氯化钛水溶液，氯化钡、水、四氯化钛水溶液混合，得到钡钛水溶液；将钡钛水溶液与氢氧化钠溶液混合，分散后得到钡钛浆液，然后进行水热反应得到钛酸钡粉末；向钛酸钡粉末中加入分散剂得到四方相钛酸钡胶体溶液，然后将ITO玻璃插入钛酸钡胶体溶液中，采用电泳沉积法得到钛酸钡光子晶体。利用电泳沉积法使钛酸钡微球在ITO玻璃表面进行有序排列，得到有序的光子晶体膜，利用四方相钛酸钡微球的反压电效应，通过改变电压使其排列结构发生变化，从而反射不同波长的光，得到不同的颜色。
一种变色钛酸钡光子晶体及其制备方法

[发明专利]一种水转移铁电薄膜硅基波导调制器-CN202211319493.6在审
发明人：王俊嘉;陶梦雪;董国华 -专利权人：东南大学
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：以钛酸钡材料为例，水转移法是通过将生长的铝酸锶/钛酸锶异质结浸入去离子水中溶解铝酸锶层以获得钛酸钡层，再转移到硅基波导调制器上。目前已有的钛酸钡硅基波导调制器多是基于在氧化层钛酸锶上外延沉积钛酸钡的方法制备钛酸钡，对比于现有的氧化缓冲层制备钛酸钡薄膜的方法，采用水转移的方法可以制备得到具良好铁电性和外延性、优异的柔韧性的高质量钛酸钡薄膜并使其无损转移到衬底上发明中列举一个钛酸钡电光硅基波导调制器的实施例，可以发现，采用水转移方法制备的钛酸钡用于硅基波导调制器中可以得到具有优异电光性能的调制器，证明了水转移钛酸钡方法用于调制的可行性和高效性。
一种转移薄膜基波调制器

[发明专利]一种改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜及其制备方法-CN201810792903.6在审
发明人：刘一志;孙毅;曾凡林 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：一种改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜及其制备方法，本发明属于压电高分子杂化材料技术领域，它为了解决现有钛酸钡与聚偏氟乙烯共聚物的相容性较差的问题。本发明改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜是以聚偏氟乙烯共聚物为基质，其中含有质量百分含量为5％～20％的多巴胺改性钛酸钡；多巴胺改性钛酸钡的制备方法如下：先将多巴胺溶于水和DMF混合的有机溶剂中，然后加入钛酸钡，离心收集固相物，烘干后得到多巴胺改性钛酸钡。本发明通过多巴胺对钛酸钡进行表面改性，能够大幅提高改性钛酸钡和聚偏氟乙烯共聚物的相容性。同时所制备的复合膜材料具有良好的介电性能。
改性钛酸钡聚偏氟乙烯共聚物多巴胺制备复合膜钛酸钡杂化相容性复合膜材料压电高分子表面改性介电性能离心收集有机溶剂杂化材料固相物烘干基质

[发明专利]一种阳离子化钛酸钡-纤维素纳米复合薄膜及其制备方法-CN202310304489.0在审
发明人：陆赵情;张雨婷;闫宁;花莉;李志巧;高婷 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C08L1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种阳离子化钛酸钡‑纤维素纳米复合薄膜及其制备方法，方法包括：利用钛酸钡纳米粒子，制备被聚多巴胺包裹的钛酸钡；将被聚多巴胺包裹的钛酸钡浸于阳离子醚化剂溶液中，搅拌反应后，洗涤，干燥，得到阳离子化的钛酸钡；其中，阳离子醚化剂溶液中，阳离子醚化剂包含季铵基团；将阳离子化的钛酸钡与纳米纤维素共混，超声处理，得到分散均匀的阳离子化钛酸钡/纳米纤维素悬浮液；对分散均匀的阳离子化钛酸钡/纳米纤维素悬浮液，进行真空辅助抽滤，得到阳离子化钛酸钡‑纤维素纳米复合薄膜；本发明避免了填料粒子在基体中发生团聚，避免产生漏电通路，有效降低介电损耗，并增强击穿强度，具有绿色可降解以及较好的介电性能和力学性能。
一种阳离子钛酸钡纤维素纳米复合薄膜及其制备方法

[发明专利]超薄自支撑单晶钛酸钡薄膜制备方法-CN201510101331.9有效
发明人：陆小力;张吉文;张春福;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄自支撑单晶钛酸钡薄膜制备方法，主要解决现有技术不能直接在半导体材料上沉积单晶钛酸钡薄膜问题。其技术方案是1.在蓝宝石衬底沉积一层单晶氧化镁薄膜；2.在单晶氧化镁薄膜上沉积单晶钛酸钡薄膜；3.在单晶钛酸钡薄膜表面旋涂上聚甲基丙烯酸甲酯PMMA，用硫酸铵溶液除去单晶氧化镁薄膜，使附有聚甲基丙烯酸甲酯PMMA的钛酸钡薄膜与衬底脱离；4.将脱离蓝宝石衬底的单晶钛酸钡薄膜转移到后续所需的半导体衬底上，得到超薄自支撑单晶钛酸钡薄膜。本发明能实现在半导体衬底上生长单晶钛酸钡薄膜，且单晶钛酸钡薄膜的厚度仅为几个纳米，保证了光源照射的可靠性，可用于半导体器件制备。
超薄支撑钛酸钡薄膜制备方法

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