专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]陶瓷基材表面复合金属的制备方法-CN201911382063.7有效
  • 石伟平;王忠伟;王一超 - 深圳市欣天科技股份有限公司
  • 2019-12-27 - 2022-05-20 - B22F9/08
  • 本发明揭示了陶瓷基材表面复合金属的制备方法,通过气雾化法制备金属粉末,将筛选好的金属粉末混合得到混合金属粉末;对陶瓷基材表面进行粗化打磨形成粗化面并进行超声清洗;将陶瓷基材设置在1200℃~2500℃高温空间内,向陶瓷基材的粗化面进行混合金属粉末的超音速喷涂,沉积形成致密的金属涂层,再通过电镀工艺在金属涂层上进行镀层成型。本发明采用冷喷涂与高温空间相配合的方法,满足在陶瓷基材上形成屏蔽金属涂层的需求,涂层无贯通孔隙,沉积结构稳定且平整度较优,再在其上进行电镀作业,具备非常优异地屏蔽性能、耐腐蚀性能、牢固特性。
  • 陶瓷基材表面复合金属制备方法
  • [发明专利]预成型装置及金属铠装生产装置-CN201811082240.5有效
  • 梅林;刘晓凤;李越;刘步勇;张少田;王东雪 - 沈阳亨通光通信有限公司
  • 2018-09-17 - 2023-08-29 - B21D43/09
  • 本发明公开了预成型装置及金属铠装生产装置,涉及预成型设备技术领域。第一预成型块以及第二预成型块、导辊组件、以及驱动件;导辊组件包括第一导辊、第二导辊以及第三导辊;第一托板安装在支架上;第一预成型块与第二预成型块均安装在第一托板上,第一预成型块与第二预成型块之间形成允许金属带通过、将金属带两边压出圆角的加工通道;第一导辊、第二导辊以及第三导辊均安装在支架,与支架转动连接;第一导辊、第二导辊以及第三导辊相互平行设置;第一导辊的轴心、第二导辊的轴心以及第三导辊的轴心三点的连线为三角形;驱动件分别与第一导辊、第二导辊以及第三导辊连接;该预成型装置使得金属带预成型效果好。
  • 成型装置金属铠装层生产
  • [发明专利]一种三金属气缸垫-CN201310518723.6无效
  • 丁政和 - 芜湖荣基密封系统有限公司
  • 2013-10-26 - 2014-03-12 - F02F11/00
  • 发明公开了一种三金属气缸垫,包括有两冷轧板基片和一不锈铁基片组成的垫片本体,垫片本体上分布有气缸孔、水孔、定位孔、挺杆孔,不锈铁基片的厚度为0.15mm,其位于两冷轧板基片之间,冷轧板基片的厚度为0.23mm,且冷轧板基片的两端面上分别涂覆有电泳黑涂层,两冷轧板基片的结构相同,分别设有相互对应的间隔设置的凸台,气缸孔周边的不锈铁基片上设有翻边,垫片本体的边缘处分布有螺栓孔,垫片本体的一端设有间隔的弧形定位卡槽
  • 一种三层金属气缸
  • [发明专利]金属管材的制备方法及装置-CN201210031134.0无效
  • 王智斌;李廷举;胡新胜;张忠涛;王同敏 - 金龙精密铜管集团股份有限公司
  • 2012-02-13 - 2012-07-04 - B22D19/08
  • 本发明公开了一种双金属材料的制备方法和装置。由内层金属液保温炉1、外层金属液保温炉7、电磁发生装置5和10、模具4、牵引机构13、冷却装置6和11、锯切装置14等组成。制备方法为:将熔化、精炼好的内层金属和外层金属分别浇入到保温炉中。开启第一组电磁发生装置和冷却装置,启动牵引装置连续牵引出内层管坯,打开外层金属液控制控流阀门,通过浇道将外层金属液浇注到模具与内层管坯形成的空间中形成外层管坯,打开第二组磁场发生装置和冷却装置,连续牵引,当复管坯的长度满足要求后,利用锯切装置进行锯切。
  • 双金属管材制备方法装置
  • [发明专利]金属间介电构成图形的方法-CN03138696.2无效
  • 李光熙;郑铉潭;李敬雨;李守根 - 三星电子株式会社
  • 2003-06-03 - 2004-01-21 - H01L21/768
  • 一种在金属间介电上构成图形的方法,包括a)在包含其上形成图形的下层电路的半导体基底上依次排放下层蚀刻阻止、下层介电、上层蚀刻阻止和上层介电,b)在上层介电、上层蚀刻阻止和下层介电构成图形形成通孔,曝光下层电路上的下层蚀刻阻止,c)用紫外线辐照通孔,d)在得到的包括通孔的半导体基底上形成光刻胶,并在光刻胶上构成图形,e)使用构成图形的光刻胶作为蚀刻掩模构成图形上层介电以形成上层介电通孔周围的线路
  • 金属间介电层构成图形方法

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