专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种制备单层MoS2的方法-CN201610357102.8有效
  • 苏伟涛 - 杭州电子科技大学
  • 2016-05-26 - 2017-10-27 - C01G39/06
  • 本发明公开一种制备单层MoS2的新方法,具体是通过催化法提高单层MoS2尺寸和实验的重复。本发明使用含碳催化剂溶液对SiO2/Si衬底进行处理,然后利用CVD的方法来制备出单层MoS2样品。本发明方法通过催化法制备单层MoS2,将单层MoS2的尺寸提高到了几十微米,质量很好,而且提高了实验的重复。本发明方法相比较现有技术,不仅制备出了大尺寸单层MoS2,并且提高了实验的重复,实验操作起来简单,可行性强,制备周期短,成本低等优点。
  • 一种制备单层mossub新方法

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