专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]磁存储装置-CN201910094358.8在审
  • 玖村芳典 - 东芝存储器株式会社
  • 2019-01-30 - 2020-03-20 - H01L43/02
  • 实施方式的磁存储装置具备:第1线;第2线,设置在所述第1线的上层侧;第3线,设置在所述第2线的上层侧;第1存储器单元,设置在所述第1线与所述第2线之间,包含含有磁性层的第1积层构造;第2存储器单元,设置在所述第2线与所述第3线之间,包含含有磁性层的第2积层构造;及光反射层,设置在所述第1线的上层侧且所述第3线的下层侧,具有较光透过率高的光反射率。
  • 存储装置
  • [实用新型]TFT阵列基板-CN200820054576.6无效
  • 杨海鹏 - 上海广电光电子有限公司
  • 2008-01-09 - 2008-11-05 - G02F1/1362
  • 本实用新型公开了一种TFT阵列基板,包括焊盘、信号线,在所述阵列基板像素电极层的线区域,对应于每一根信号线旁不设置信号线的区域还设置与信号线一一对应的修复线,在修复线的一侧设有至少两个与对应信号线重叠的连接凸块,连接凸块与对应信号线通过接触孔连接导通,所述的连接凸块至少包括设置于修复线两端的连接凸块。本实用新型的TFT阵列基板在线处某一层金属发生断路时,无需增加任何工艺步骤,信号可以通过另一层线绕过断线处传送到像素区域,使线区断路引起的线缺陷问题得到有效的解决,从而大大改善了画面显示质量。
  • tft阵列
  • [发明专利]半导体存储装置-CN201910675138.4有效
  • 荒井史隆;后藤正和;近藤正树;细谷启司;百百信幸 - 铠侠股份有限公司
  • 2019-07-24 - 2023-07-28 - H10B43/10
  • 实施方式的半导体存储装置包含:第1线层(33);第1信号线(37);第1存储单元MC,设置在第1线层与第1信号线之间,存储第1信息;第2至第4线层(SG0a~SGD2a),积层在第1线层的上方;第5至第7线层(SG0b、CSL、及SG2b),分别在第3方向上与第2至第4线层分开地配置;第2信号线(45),连接于第1信号线,并配置在第2线层与第5线层之间、第3线层与第6线层之间、及第4线层与第7线层之间;以及第3信号线(45),连接于第1及第2信号线以及第6线层,并配置在第2信号线与第5至第7线层之间。
  • 半导体存储装置
  • [实用新型]空调机的室外机-CN201420792137.0有效
  • 高尾润;浦川昌和;冈本隆良 - 大金工业株式会社
  • 2014-12-12 - 2015-05-06 - F24F1/06
  • 本实用新型提供空调机的室外机,能够容易安装端子。该室外机具有:室外机外壳;设备,其被收纳在该室外机外壳中;以及端子,其与电源线和信号线中的至少一方连接。端子具有供螺钉贯穿插入的贯通孔、和设于下表面的凸部。室外机外壳的侧板(35)具有通过将侧板的一部分向内侧弯折而形成的弯折部(5)。在弯折部(5)设有与端子的贯通孔对应的螺纹孔(53)、和与端子的凸部卡合的卡合部(54)。凸部卡合在弯折部(5)的卡合部(54)上,且螺钉被拧入于贯通孔与螺纹孔(53)的连通部分,由此端子被安装在弯折部(5)上。
  • 空调机室外
  • [发明专利]半导体存储装置-CN201910854455.2在审
  • 荒井史隆;细谷启司;百百信幸 - 东芝存储器株式会社
  • 2019-09-10 - 2020-05-08 - H01L27/11517
  • 实施方式的半导体存储装置包含:第1线(BL);第2线(SL);第3线(SG);第4线(WL);第5线(TG);半导体层(46),一端位于第4线与第5线之间,另一端连接于第1线;存储单元(MC);导电层,一端连接于第2线,另一端连接于半导体层;第1绝缘层(45),以延伸存在于第3线与半导体层之间、第4线与半导体层之间、及第5线与导电层之间的方式设置;氧化物半导体层(44),以延伸存在于第4线与第1绝缘层之间、及第5线与第1绝缘层之间的方式设置;以及第2绝缘层(43),以延伸存在于第4线与氧化物半导体层之间、及第5线与氧化物半导体层之间的方式设置。
  • 半导体存储装置
  • [发明专利]半导体存储装置-CN201710135270.7有效
  • 下城义朗 - 东芝存储器株式会社
  • 2017-03-08 - 2021-07-02 - H01L27/11556
  • 实施方式的半导体存储装置具备:基板;第1线,设置在基板的第1方向侧;第2线,设置在第1线的第1方向侧;多条第3线,设置在第2线的第1方向侧,沿第1方向相互隔开地排列,且沿相对于第1方向交叉的第2方向延伸;第4线,设置在第3线的第1方向侧;半导体部件,沿第1方向延伸,贯通多条第3线,且一端部连接在第2线;电荷蓄积部件,设置在半导体部件与第3线之间;以及导电部件,连接在第1线与第4线之间,且与第2线及多条第3线绝缘。多条第3线的一条配置在导电部件的第2方向两侧,且多条第3线的一条的配置在导电部件的第2方向两侧的部分一体地形成。
  • 半导体存储装置

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