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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种电源修正电路和服务器-CN202010569342.0在审
发明人：李艳艳 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2020-06-20 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G06F1/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种电源修正电路和服务器，电路包括：第一信号组，其包括第一选择器件和第二选择器件，第一选择器件的GND管脚和VCC管脚与第二选择器件的GND管脚和VCC管脚反接；第二信号组，其包括第三选择器件和第四选择器件，第三选择器件的GND管脚和VCC管脚与第四选择器件的GND管脚和VCC管脚反接，第三选择器件的GND管脚连接到第一选择器件的GND管脚，第三选择器件的VCC管脚与第一选择器件的VCC管脚连接；其中，第一信号组配置为当输入端输入
一种电源修正电路服务器

[发明专利]选择器器件、电阻式类型存储器器件及相关联的制造方法-CN202111511906.6在审
发明人：加布里埃尔·纳瓦罗 -专利权人：法国原子能及替代能源委员会
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明的主题是旨在选择电阻式存储器单元的选择器器件(S)，其包括包含第一活性材料(105)的第一选择器器件(S1)和包含第二活性材料(108)的第二选择器器件(S2)，第一选择器器件(S1)和第二选择器器件
选择器器件电阻类型存储器相关制造方法

[发明专利]集成电路器件及其操作方法与偏压产生器电路-CN202010669059.5在审
发明人：张延安;李伯浩;李嘉富;史毅骏;池育德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：提供一种集成电路器件。所述集成电路器件包括：功能器件，包括选择器件；以及偏压产生器电路，耦合到所述选择器件，且被配置成检测所述功能器件的泄漏电流且基于所检测的所述泄漏电流产生偏压电压。所述偏压电压被提供到所述选择器件以控制所述选择器件。
集成电路器件及其操作方法偏压产生器电路

[发明专利]具有双层选择器件的三维非易失性存储器-CN201410021190.5有效
发明人：罗伊·E·朔伊尔莱因;劳尔-亚德里恩·塞尔内亚 -专利权人：桑迪士克3D有限责任公司
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储系统，包括：存储器胞元的单片三维存储器阵列；连接到所述存储器胞元的字线；连接到所述存储器胞元的多个垂直定向位线；多个全局位线；连接到所述全局位线的第一组选择器件；连接到所述垂直定向位线和所述第一组选择器件的第二组选择器件，所述第一组选择器件在第一水平上，并且所述第二组选择器件在所述第一水平上方的第二水平上；以及连接到所述第一组选择器件和所述第二组选择器件的选择线。
具有双层选择器件三维非易失性存储器

[发明专利]访问相变存储器-CN200580017632.8有效
发明人：沃德·帕金森;查尔斯·丹尼森;斯蒂芬·郝金斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2005-06-24 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种存储器(100)，包括相变存储元件(130)以及串联连接的第一(125)和第二(120)选择器件。第二选择器件(120)具有比第一选择器件(125)更高的阻抗和更大的阈值电压。在一个实施例中，第一选择器件可以具有基本上等于其保持电压的阈值电压。在一些实施例中，选择器件(120、125)以及存储元件(130)可以由硫族化合物制成。在一些实施例中，选择器件(120、125)可以由非可编程硫族化合物制成。具有更高的阈值电压的选择器件会对组合带来更低的漏电流，但也会增大骤回。这种增大的骤回可以由具有较低阈值电压的选择器件抵消，从而在一些实施例中得到具有较低漏电流和较高性能的组合。
访问相变存储器

[发明专利]家用电器用的控制装置-CN201880032244.4有效
发明人：朱塞佩·德隆奇;鲁恰努·贤安 -专利权人：德隆奇电器单一股东有限责任公司
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G05G9/04 文献下载
摘要：家用电器(20)用的选择器装置，其包括：选择器件(14)，其用于选择家用电器(20)的确定程序和/或功能；驱动器件(19)，其能够接通或断开家用电器(20)并位于选择器件(14)中；以及照明器件(28)，其适于发出设备(20)已接通或断开的信号，并且与选择器件(14)和驱动器件(19)相关联。
家用器用控制装置

[发明专利]存储器器件及其制造方法-CN202110476859.X在审
发明人：杨柏峰;王圣祯;杨世海;林佑明;马礼修;贾汉中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：在一些实施例中，本发明涉及存储器器件。在一些实施例中，存储器器件具有：衬底；以及下部互连金属线，设置在衬底上方。存储器器件也具有：选择器沟道，设置在下部互连金属线上方；以及选择器栅电极，包裹选择器沟道的侧壁并且通过选择器栅极电介质与选择器沟道分隔开。存储器器件也具有：存储器单元，设置在选择器沟道上方并且电连接至选择器沟道；以及上部互连金属线，设置在存储器单元上方。通过将选择器放置在后端互连结构内，可以节省前端间隔，并且提供更大的集成灵活性。本申请的实施例还涉及制造存储器器件的方法。
存储器器件及其制造方法

[发明专利]芯片及芯片烧写方法-CN201611004840.0有效
发明人：尹飞飞;刘宇;鹿甲寅;檀珠峰 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G06F9/24 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种芯片及芯片烧写方法，该芯片包括：选择器、一次性编程器件和控制器；其中，控制器分别与选择器的选择端和一次性编程器件连接，控制器用于检测一次性编程器件的器件值，当一次性编程器件的器件值在第一预设范围内时，向选择器的选择端提供第一选择信号；选择器的第一输入端用于接收访问数据，选择器的第二输入端用于接收预设无效值，选择器的输出端与一次性编程器件连接；选择器用于，在选择端输入第一选择信号时，控制第二输入端接收的数据从选择器的输出端输出
芯片方法

[发明专利]两位磁阻随机存取存储器器件架构-CN202280011282.8在审
发明人： A·杜塔;E·R·埃瓦茨 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种磁阻随机存取存储器(MRAM)器件，包括选择性地连接到第一位线的第一单元和选择性地连接到第二位线的第二单元。该MRAM器件进一步包括连接到第一单元且连接到第二单元的共享晶体管。该MRAM器件进一步包括第一选择器器件和第二选择器器件。第一选择器器件被配置为当施加至第一选择器器件的电压大于阈值激活电压时允许电流流过第一单元至共享晶体管。第二选择器器件被配置为当施加至第二选择器器件的电压大于阈值激活电压时允许电流流过第二单元至共享晶体管。该MRAM单元进一步包括连接到共享晶体管的栅极的字线。
磁阻随机存取存储器器件架构

[发明专利]具有不对称垂直选择器件的三维非易失性存储器-CN201410020388.1有效
发明人：罗伊·E·朔伊尔莱因 -专利权人：桑迪士克3D有限责任公司
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：被定为在基板上方并且不在基板中的存储器胞元的单片三维存储器阵列；连接到存储器胞元的字线；在基板上方并且不在基板中的多个垂直定向位线，垂直定向位线连接到存储器胞元；多个全局位线；在基板上方并且不在基板中的多个不对称垂直定向选择器件，不对称垂直定向选择器件连接到垂直定向位线和全局位线，不对称垂直定向选择器件具有第一栅极接口和第二栅极接口；以及连接到选择器件的多个选择线，每个不对称垂直定向选择器件使选择线中的一个连接到用于各个不对称垂直定向选择器件的第一栅极接口，并且使选择线中的另一个连接到用于各个不对称垂直定向选择器件的第二栅极接口。
具有不对称垂直选择器件三维非易失性存储器

[发明专利]非易失性半导体存储器-CN200610073851.4有效
发明人：桥本洁和;菅原宽 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2006-03-31 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种非易失性半导体存储器，包括：用于存储数据的多个存储器件；用于提供用于数据写入的高电压的写电路；连接在所述写电路和所述多个存储器件之间的多个选择器，用于从所述多个存储器件中选择一个存储器件；以及控制电路，用于从所述多个选择器中选择一个选择器、将控制电压输入到所选选择器的控制端、以及根据所述控制电压设置存储器件的写电压。
非易失性半导体存储器

[发明专利]半导体器件-CN202210171597.0在审
发明人：成东俊;朴淳五 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件。一种制造存储器件的方法包括在基板上顺序地形成初级选择器件层、初级中间电极层和初级可变电阻层并且然后蚀刻初级选择器件层、初级中间电极层和初级可变电阻层，由此形成选择器件、中间电极和可变电阻层。选择器件的侧部分和可变电阻层的侧部分的至少之一被去除，使得中间电极在平行于基板的顶部的第一方向上的第一宽度大于可变电阻层在第一方向上的第二宽度或选择器件在第一方向上的第三宽度。盖层形成在选择器件的被蚀刻的侧部分的侧壁和可变电阻层的被蚀刻的侧部分的侧壁的至少之一上。
半导体器件

[发明专利]存储器件以及制造存储器件的方法-CN201710083498.6有效
发明人：成东俊;朴淳五 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开了存储器件及其制造方法。一种制造存储器件的方法包括在基板上顺序地形成初级选择器件层、初级中间电极层和初级可变电阻层并且然后蚀刻初级选择器件层、初级中间电极层和初级可变电阻层，由此形成选择器件、中间电极和可变电阻层。选择器件的侧部分和可变电阻层的侧部分的至少之一被去除，使得中间电极在平行于基板的顶部的第一方向上的第一宽度大于可变电阻层在第一方向上的第二宽度或选择器件在第一方向上的第三宽度。盖层形成在选择器件的被蚀刻的侧部分的侧壁和可变电阻层的被蚀刻的侧部分的侧壁的至少之一上。
存储器件以及制造方法

[发明专利]射频电路、智能终端、通信控制方法及存储介质-CN202210676405.1在审
发明人：黄志红 -专利权人：深圳市泰衡诺科技有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本申请提供一种射频电路、智能终端、通信控制方法及存储介质，所述射频电路包括第一功放器件、第二功放器件、第一双工器、第二双工器、第一多路选择器和第二多路选择器；所述第一双工器的第二端连接所述第一多路选择器的第一端，所述第二双工器的第二端连接所述第二多路选择器的第一端；所述第一多路选择器的第二端连接所述第一功放器件的第一端，所述第一多路选择器的第三端连接所述第二功放器件的第二端，所述第二多路选择器的第二端连接所述第一功放器件的第二端，所述第二多路选择器的第三端连接所述第二功放器件的第二端。本申请可以有效减少所需器件和端口的数量，缓解摆件空间和产品成本问题。
射频电路智能终端通信控制方法存储介质

[发明专利]波长选择器件、波长选择的方法和ROADM-CN202111658828.2在审
发明人：周挺;杨维利;陈杰 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：本申请提供了一种波长选择器件、波长选择的方法和ROADM，属于光通信技术领域。波长选择器件包括输入端口、衍射部件、交换引擎和输出端口，输入端口用于输入入射光束，衍射部件上光束入射位置处的刻线间距不完全相同，光束入射位置处的刻线间距与波长选择器件的通道的带宽相关，衍射部件用于将该入射光束色散为多个子光束采用本申请的技术方案，波长选择器件中衍射部件的光束入射位置处的刻线间距不完全相同，使得在不改变波长选择器件的光路复杂度的前提下，能够调整波长选择器件的通道的带宽。
波长选择器件方法 roadm

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