专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]金属多孔体及使用该金属多孔体的电池用电极、以及金属多孔体的制法-CN201010557380.0有效
  • 土田齐;齐藤英敏;西村淳一 - 富山住友电工株式会社
  • 2010-11-19 - 2011-07-27 - H01M4/70
  • 本发明提供一种使其中残留的碳降低从而使品质大幅提高的片状金属多孔体,其通过以树脂多孔体为骨架并实施导电化处理后,实施金属镀敷、并且至少实施热处理而获得,所述热处理包括在氧化性气氛下加热的第一工序和在还原氛下加热的第二工序,该还原氛由第一还原和第二还原构成,各还原被分别供给到第二工序的热处理室中,其中第一还原以氢气或氢气与惰性气的混合气体为主,第二还原在第一还原中添加H2O而获得;在第二工序中,将第二还原加入到热处理室的连续地加入金属多孔体一侧的开口部附近,并将第一还原加入到热处理室的连续地排出金属多孔体一侧的开口部附近。
  • 金属多孔使用电池用电以及制法
  • [发明专利]氧化硅膜的成膜方法以及成膜装置-CN200510084288.6有效
  • 长谷部一秀 - 东京毅力科创株式会社
  • 2005-07-15 - 2006-02-15 - H01L21/316
  • 一种成膜方法,在能够选择性地供给含硅气体、氧化性气以及还原的处理区域之内,利用CVD在具有金属表面的被处理基板之上形成氧化硅膜。该成膜方法交互具有第一至第四工艺。在第一工艺中,向处理区域供给含硅气体,而停止向处理区域供给氧化性气以及还原。在第二工艺中,停止向处理区域供给含硅气体、氧化性气以及还原。在第三工艺中,同时向处理区域供给氧化性气以及还原,而停止向处理区域供给含硅气体。在第四工艺中,停止向处理区域供给含硅气体、氧化性气以及还原
  • 氧化方法以及装置
  • [发明专利]高温还原的净化方法-CN90100015.9无效
  • 末弘贡;濑户彻;光冈薰明;井上健治 - 三菱重工业株式会社
  • 1990-01-04 - 1994-01-19 - C01B17/04
  • 本发明是关于高温还原净化方法,其特征在于(1)利用干式法用吸收剂映收除去高温还原中所含的硫化物的高温还原的净化方法中,将还原供给再生系统(包括用吸收剂吸收上述硫化物的吸收系统及该吸收剂的再生系统)放出的含亚硫酸气体中,使这种混合气体通入装填有催化剂的反应器在加压条件下使该亚硫酸气体与该还原本反应,直接生成单质硫以液体硫的形式回收。(2)将亚硫酸气体还原反应的反应器的催化剂层分为数层,或者将该层分为数段,其间设置热交换器、硫冷凝器,在上述反应过程中进行亚硫酸气体还原的温度调节,以除去由该反应所生成的硫。
  • 高温原性气体净化方法
  • [发明专利]利用合成气直接还原铁矿石的方法和设备-CN200880017379.X有效
  • J·O·贝塞拉-诺沃亚;P·-E·杜亚特-埃斯卡雷诺;E·津德亚斯-马丁内斯 - 伊尔技术有限公司
  • 2008-05-14 - 2010-06-23 - C21B13/00
  • 本发明涉及用于通过还原块或丸形式的铁矿石生产金属化产品(DRI)的直接还原装置,其中DRI反应器中使用的还原包含酸性气例如含硫化合物和二氧化碳。补充还原一般通过在高压下部分氧化烃(合成气)制得,同时DRI反应器通常在低压下工作。从DRI反应器中流出的还原物流(顶部气体),经过冷却和脱水之后,其压力水平增加到所述合成气的压力水平,由此得到的循环还原与补充合成气组合,并在单一的酸性气吸收单元中处理,以形成清洁的、提升的还原的组合物流,该组合物流随后在涡轮机中膨胀,以使组合的还原压力降低到DRI反应器的压力水平,之后加热到优选高于950℃的温度,然后用于DRI反应器中用于生产所述DRI。用于增加初始冷却循环气体压力的压缩机使用的能量来自于膨胀涡轮机(用于降低高压组合的还原的压力)。
  • 利用合成气直接还原铁矿石方法设备
  • [实用新型]电解槽测试系统-CN202120222002.0有效
  • 李建伟;涂毛毛;刘永浩;郭亮;栾邹杰;关宏泰 - 阳光电源股份有限公司
  • 2021-01-25 - 2021-12-10 - G01N27/26
  • 本实用新型公开一种电解槽测试系统,该电解槽测试系统包括测试电源、储存件和测试组件,测试电源用于向待测电解槽供电,待测电解槽用于产生还原或氧化性气,储存件与待测电解槽连通,储存件用于接收并储存自待测电解槽排出的还原或氧化性气;在第一方向上,测试组件设置于待测电解槽与储存件之间,测试组件用于检测自待测电解槽排向储存件内的气体;其中,第一方向为还原或氧化性气从待测电解槽到储存件的流动方向。本实用新型技术方案通过将待测电解槽产生的还原或氧化性气排向储存件,以使储存件接收并存储待测电解槽产生的还原或氧化性气,以便后续使用该还原或氧化性气,避免了浪费。
  • 电解槽测试系统
  • [发明专利]半导体处理用氧化装置和方法-CN200710192901.5有效
  • 井上久司;问谷昌孝;水野功胜 - 东京毅力科创株式会社
  • 2007-09-21 - 2008-03-26 - H01L21/00
  • 本发明涉及一种半导体处理用氧化装置,包括具有以隔开间隔的堆积状态收纳多个被处理基板的处理区域的处理容器;对所述处理区域进行加热的加热器;对所述处理区域内进行排气的排气系统;向所述处理区域供给氧化性气的氧化性气供给系统;和向所述处理区域供给还原还原供给系统。氧化性气供给系统包括在与所述处理区域对应的上下方向的长度上延伸的氧化性气喷嘴,氧化性气喷嘴具有存在于与所述处理区域对应的上下方向的整个长度上的多个气体喷射孔,还原供给系统包括与沿所述处理区域的上下排列的多个区段相对应的、具有不同高度的多个还原喷嘴,各还原喷嘴具有存在于对应的区段高度的气体喷射孔。
  • 半导体处理氧化装置方法
  • [发明专利]修复土壤的方法-CN201810134511.0有效
  • 庄绪亮;吴尚华;徐圣君;庄国强 - 中国科学院生态环境研究中心
  • 2018-02-09 - 2020-08-04 - B09C1/08
  • 本发明公开了一种修复土壤的方法,包括以下步骤:在土壤中插入管道,所述管道的一端露出于土壤,另一端插入所述土壤中,所述管道上开设有通气孔;将还原与空气的混合气体或者还原通入所述管道内,并使所述还原与空气的混合气体或者还原通过通气孔进入土壤中本发明采用气相淋洗的方式实现土壤中重金属的原位还原稳定化,气相淋洗所采用还原均为价格低廉易得的气体,气相淋洗的操作简单易行,而且对于原位土壤不会产生二次污染和对土壤性质的破坏。
  • 修复土壤方法
  • [发明专利]深沟槽清洗方法-CN202210597565.7在审
  • 蔡亚果;张小龙;赵春山;张武志;曹亚民 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2022-05-30 - 2022-09-06 - H01L21/02
  • 本发明公开了一种深沟槽清洗方法,其用于背照式图像传感器制作工艺,通过改变干法刻蚀清洗环境修复深沟槽表面的损伤,在执行所述干法刻蚀时通过增加还原流量和比例修复深沟槽表面的损伤。还原通过可产生还原的前驱体产生,在执行所述干法刻蚀时通过标定深沟槽表面逐步增加还原流量和比例修复深沟槽表面的损伤。本发明通过在进行背照式图像传感器深沟槽清洗时,改变干法刻蚀清洗环境修复深沟槽表面的损伤,增加Dry strip中还原流量和比例修复深沟槽表面的损伤,降低缺陷密度,从而降低白像素形成。通过实验证明,本发明通过增加还原流量,白像素P50可改善20~25%,P95改善10~20%。
  • 深沟清洗方法
  • [实用新型]一种镓镁或铟镁合金合成炉-CN201320841090.8有效
  • 冯先达;黄和明 - 南京中锗科技股份有限公司
  • 2013-12-19 - 2014-06-25 - F27B14/04
  • 本实用新型一种镓镁或铟镁合金合成炉,包括箱体、炉体、真空系统、电源系统和控制柜,所述炉体架设在所述箱体上,所述电源系统通过电缆与所述控制柜相连,所述控制柜通过导线与所述箱体的内加热系统连接,所述真空系统包括真空泵、过滤器和还原进气阀,所述真空泵和过滤泵依次通过管道与所述炉体连接,所述过滤器和所述炉体的连接管道上设有还原进气阀;本实用新型在传统真空合成炉的基础上,在真空环境中冲入还原,以还原置换出空气,故金属在还原环境中即使高温也不会挥发,还原也避免了氧化现象的发生,得到的产品合金成分符合工艺要求,合格率大大提高。
  • 一种镁合金合成

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