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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种带隙基准源电路-CN201510500870.X有效
  • 胡上;沈煜 - 英特格灵芯片（天津）有限公司
  • 2015-08-14 - 2017-01-18 - G05F3/26
  • 该电路包括第十一晶体管、第五晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第六晶体管、运算放大器。第三晶体管、第四晶体为二极管连接方式。第三晶体管、第四晶体管构成第一运放环路的一部分，第三晶体管、第四晶体管工作在亚阈值区，从而使第三晶体管、第四晶体管电压差为正温度系数电压。第四晶体管与第五晶体管相接，第五晶体管与第六晶体管相接，第五晶体管、第十一晶体管、运算放大器相接，第六晶体管为二极管连接方式。第六晶体管工作在亚阈值区，从而使第六晶体管电压为负温度系数电压，进而使该电路输出零温度系数的基准电压。本发明可用于深亚微米工艺集成电路中。
  • 一种基准电路
  • [实用新型]一种带隙基准源电路-CN201520614804.0有效
  • 胡上;沈煜 - 英特格灵芯片（天津）有限公司
  • 2015-08-14 - 2015-12-23 - G05F3/28
  • 该电路包括第十一晶体管、第五晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第六晶体管、运算放大器。第三晶体管、第四晶体为二极管连接方式。第三晶体管、第四晶体管构成第一运放环路的一部分，第三晶体管、第四晶体管工作在亚阈值区，从而使第三晶体管、第四晶体管电压差为正温度系数电压。第四晶体管与第五晶体管相接，第五晶体管与第六晶体管相接，第五晶体管、第十一晶体管、运算放大器相接，第六晶体管为二极管连接方式。第六晶体管工作在亚阈值区，从而使第六晶体管电压为负温度系数电压，进而使该电路输出零温度系数的基准电压。本实用新型可用于深亚微米工艺集成电路中。
  • 一种基准电路
  • [发明专利]像素驱动电路及其驱动方法-CN202010276374.1有效
  • 付建国;黄泰钧;王振岭 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2020-04-09 - 2021-03-16 - G09G3/32
  • 一种像素驱动电路包括发光二极管、第二晶体管、脉冲幅度调制晶体管、控制晶体管、扫描晶体管与脉冲宽度调制晶体管。发光二极管包括阳极与阴极。第二晶体管的输入端连接阴极。脉冲幅度调制晶体管的输出端连接第二晶体管的控制端。控制晶体管的输入端连接第二晶体管的控制端与脉冲幅度调制晶体管的输出端。扫描晶体管的输出端连接控制晶体管的控制端，扫描晶体管配置为接收控制扫描信号，控制扫描信号达到等于扫描晶体管的阈值电压的时间是发光二极管的发光时间。脉冲宽度调制晶体管的输出端连接扫描晶体管的输入端。
  • 像素驱动电路及其方法
  • [实用新型]差分电流采样电路-CN201220508315.3有效
  • 王纪云;王晓娟;周晓东 - 郑州单点科技软件有限公司
  • 2012-10-01 - 2013-03-13 - G01R19/00
  • 该电路五只PMOS晶体管源极均接电压源，第一至第五NMOS晶体管源极均接地；第一PMOS晶体管漏极接第二PMOS晶体管漏极、第一NMOS晶体管栅极、第二NMOS晶体管栅极和漏极，栅极接第五NMOS晶体管漏极、第六NMOS晶体管漏极、第四PMOS晶体管栅极、第五PMOS晶体管栅极和漏极；第五PMOS晶体管栅极接第四PMOS晶体管栅极；第一NMOS晶体管栅极接第二NMOS晶体管栅极；第三NMOS晶体管漏极接第二PMOS晶体管栅极、第三PMOS晶体管栅极和漏极，栅极接第四PMOS晶体管漏极、第五PMOS晶体管栅极、第四PMOS晶体管栅极和漏极。
  • 电流采样电路
  • [发明专利]有机发光二极管显示装置及其像素-CN202110597605.3在审
  • 朴世爀;林栽瑾;金鸿洙;卢珍永;李孝真 - 三星显示有限公司
  • 2021-05-31 - 2021-12-07 - G09G3/3233
  • 本申请公开了有机发光二极管显示装置及其像素。有机发光二极管显示装置的像素包括电容器、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管以及有机发光二极管。第三晶体管包括在第一晶体管的漏极和栅极节点之间彼此串联耦接的第一子晶体管和第二子晶体管，并且第四晶体管包括在初始化电压的线和栅极节点之间彼此串联耦接的第三子晶体管和第四子晶体管。第八晶体管响应于发射信号将参考电压施加至第一子晶体管和第二子晶体管之间的第一节点，并且第九晶体管响应于发射信号将参考电压施加至第三子晶体管和第四子晶体管之间的第二节点。
  • 有机发光二极管显示装置及其像素
  • [发明专利]功率放大器增益切换电路-CN202310297480.1有效
  • 包怡鹏 - 尊湃通讯科技（南京）有限公司
  • 2023-03-24 - 2023-06-13 - H03G3/30
  • 该功率放大器包括第一晶体管阵列、第二晶体管阵列、第三晶体管阵列、第四晶体管阵列、共源共栅晶体管对阵列以及后端信号转换电路。第一晶体管的漏极耦合到第二晶体管的漏极形成虚地，第一晶体管的栅极耦合到第二晶体管的栅极，第一晶体管的源极和第二晶体管的源极分别接地。第三晶体管、第四晶体管的源极分别耦合到第一晶体管、第二晶体管的漏极，第三晶体管和第四晶体管的栅极分别耦合到输入端，第三晶体管阵列和第四晶体管阵列分别耦合到共源共栅晶体管对阵列；共源共栅晶体管对阵列通过输出端耦合到后端信号转换电路
  • 功率放大器增益切换电路
  • [发明专利]恒定跨导运算放大器和用于操作的方法-CN201010200818.X有效
  • 林庆宗 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2010-06-11 - 2011-07-13 - H03F3/45
  • 实施例是一种电路，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一开关、以及第二开关。第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、以及第四晶体管均为相同的导电类型。第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、以及第四晶体管的源极电连接到一起。第一晶体管和第三晶体管的漏极电连接到一起，并且第二晶体管和第四晶体管的漏极电连接到一起。第三晶体管的特征是第一晶体管的特征的三倍，使得满足其中，“T1”表示第一晶体管，以及“T3”表示第三晶体管，并且第四晶体管的特征是第二晶体管的特征的三倍，使得满足其中，“T2”表示第二晶体管，以及“T4”表示第四晶体管。
  • 恒定运算放大器用于操作方法
  • [发明专利]像素电路-CN202010115031.7有效
  • 林志隆;张瑞宏;林捷安;郑贸熏 - 友达光电股份有限公司
  • 2020-02-25 - 2021-05-25 - G09G3/3258
  • 一种像素电路，包括一第一晶体管、一第二晶体管、一第三晶体管、一第四晶体管、一第五晶体管、一第六晶体管、一第一电容、一有机发光二极管、及一漏电流平衡电路。第一晶体管、第三晶体管、第六晶体管及有机发光二极管串接于系统高电压与系统低电压之间。第二晶体管传送数据电压至第三晶体管。第五晶体管传送系统低电压至第三晶体管。第一电容耦接系统高电压与第三晶体管的控制端。第四晶体管耦接第三晶体管的控制端与第二端。漏电流平衡电路向第三晶体管的控制端提供多个漏电流。
  • 像素电路
  • [发明专利]像素电路-CN202010668272.4有效
  • 王贤军;王雅榕;张竞文;范振峰;张琬珩;苏松宇 - 友达光电股份有限公司
  • 2020-07-13 - 2021-07-20 - G09G3/32
  • 一种像素电路，包括发光元件、第一晶体管、第二晶体管、第一电容、第三晶体管、第四晶体管及第五晶体管。第一晶体管及第四晶体管受控于一发光信号。第三晶体管及第五晶体管受控于一扫描信号。发光元件、第一晶体管、第二晶体管、第四晶体管及第五晶体管串接于一系统高电压与一系统低电压之间。第三晶体管耦接于一数据信号与第一晶体管的控制端之间。第一电容耦接于第二晶体管的控制端与下游端之间。第五晶体管耦接于第二晶体管的下游端与充电参考电压之间。充电参考电压的电流小于系统低电压的电流。
  • 像素电路
  • [发明专利]基极电流消除电路及运算放大器输入结构-CN202310282475.3在审
  • 李文昌;李伟业 - 中国科学院半导体研究所
  • 2023-03-21 - 2023-07-25 - H03F1/30
  • 本公开提供一种基极电流消除电路及运算放大器输入结构，电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管，第一电阻和第二电阻。第一晶体管的发射极连接至第六晶体管的基极，集电极连接第二电阻的第一端，第二电阻的第二端连接第六晶体管的发射极；第二晶体管的发射极和第三晶体管的发射极均连接第一电阻的第一端；第二晶体管的集电极连接第四晶体管的发射极和第五晶体管的发射极，第三晶体管的集电极连接第一晶体管的基极、第四晶体管的基极和第五晶体管的基极，第三晶体管的基极、第二晶体管的基极、第四晶体管的发射极和第五晶体管的发射极连接。
  • 基极电流消除电路运算放大器输入结构
  • [实用新型]一种镜像全加器电路-CN201520343069.4有效
  • 刘倩;丁成乐 - 哈尔滨理工大学
  • 2015-05-25 - 2015-09-16 - H03K19/20
  • 一种镜像全加器电路，涉及一种全加器，本实用新型为解决现有全加器电路采用的晶体管个数很多，导致关键路径上的延迟极大的问题。本实用新型包括进位电路和求和电路，进位电路和求和电路均为镜像结构；第一进位电路包括PMOS晶体管a、PMOS晶体管b和PMOS晶体管c，第二进位电路包括NMOS晶体管d、NMOS晶体管e和NMOS晶体管f，第一求和电路包括PMOS晶体管g、PMOS晶体管h、PMOS晶体管i、PMOS晶体管j和PMOS晶体管k，第二求和电路包括NMOS晶体管m、NMOS晶体管n、NMOS晶体管o、NMOS晶体管p和NMOS晶体管q；本实用新型用于数字集成电路。
  • 一种全加器电路
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