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[发明专利]一种阵列基板、显示面板及制作方法-CN201611025995.2有效
发明人：吴天一;马骏 -专利权人：上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板、显示面板及制作方法，所述阵列基板包括：第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管形成于衬底基板的上方，所述第一薄膜晶体管包含金属氧化物薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包含非晶硅薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管位于所述阵列基板的显示区，所述第二薄膜晶体管位于所述阵列基板的周边电路区。本发明通过在阵列基板显示区使用金属氧化物薄膜晶体管，在阵列基板周边电路区使用非晶硅薄膜晶体管，解决了金属氧化物薄膜晶体管无法同时满足显示面板对正偏压稳定性和阈值电压要求的问题，实现了在改善画面显示效果的同时
一种阵列显示面板制作方法

[实用新型]一种阵列基板和显示面板-CN202020099612.1有效
发明人：秦旭;侯亚辉;张露;胡思明;韩珍珍 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板和显示面板，该阵列基板包括衬底、多个像素单元和高电位电源电压线，其中，每个像素单元包括至少一薄膜晶体管组，每个薄膜晶体管组包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的有源层分别包括沟道区域、源区域和漏区域，第一薄膜晶体管的漏区域与第二薄膜晶体管的源区域连接在一起，从而使第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管连接在一起，且第一薄膜晶体管的漏区域和第二薄膜晶体管的源区域构成薄膜晶体管组的双栅节点；双栅节点在衬底上的正投影至少部分位于高电位电源电压线在衬底上的正投影中
一种阵列显示面板

[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置-CN201410852998.8在审
发明人：刘翔 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，其中，该阵列基板包括：第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管形成于衬底基板的上方，第一薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶硅管或非晶硅薄膜晶体管，第一薄膜晶体管位于阵列基板的周边区域，第二薄膜晶体管位于阵列基板的显示区域。本发明的技术方案可有效的解决多晶硅薄膜晶体管无法应用于6G以上的大尺寸显示面板的生产的问题，彻底突破准分子激光晶化工艺瓶颈的限制，有非常高的应用价值。
阵列及其制造方法显示装置

[发明专利]薄膜晶体管电路及显示装置-CN201910460534.5在审
发明人：刘念;卢马才 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本揭示提供一种薄膜晶体管电路及显示装置，薄膜晶体管电路包括多个薄膜晶体管、输入端和输出端，其中，第一个薄膜晶体管的栅极与输入端相连接，第i个薄膜晶体管的栅极与第i‑1个薄膜晶体管的漏极连接，第i个薄膜晶体管的漏极与第i+1个薄膜晶体管的栅极连接，多个薄膜晶体管的源极连接与一处并同输出端连接，构成了一个栅极自对准结构的薄膜晶体管电路，所述电路在正、负偏压下均可正常工作。
薄膜晶体管薄膜晶体管电路显示装置漏极输出端连接源极连接栅极连接负偏压输出端输入端自对准电路

[发明专利]基于多种薄膜晶体管三维集成的半导体结构-CN202310512186.8在审
发明人：郭小军;郑炼凯;陈苏杰;尹晓宽;欧阳邦;邓立昂 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于多种薄膜晶体管三维集成的半导体结构。所述基于多种薄膜晶体管三维集成的半导体结构包括：衬底；N层薄膜晶体管层，沿第一方向依次叠置，每层所述薄膜晶体管层包括若干个薄膜晶体管，且至少存在两层所述薄膜晶体管层中的所述薄膜晶体管的类型不同；N层所述薄膜晶体管层中的至少一层所述薄膜晶体管层用于形成传感电路、至少一层所述薄膜晶体管层用于形成存储电路、以及至少一层所述薄膜晶体管层用于形成计算和信号处理电路，且至少存在两层所述薄膜晶体管层形成的所述电路的类型不同。
基于多种薄膜晶体管三维集成半导体结构

[发明专利]阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板-CN202110822871.1有效
发明人：蒙艳红 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：阵列基板包括衬底基板和设置在衬底基板上的薄膜晶体管层，衬底基板具有显示区和位于显示区一侧的边框区。薄膜晶体管层包括位于边框区的第一薄膜晶体管，以及位于显示区的第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管的漏极与第二薄膜晶体管的栅极电连接，第一薄膜晶体管的源极和漏极与第二薄膜晶体管的栅极同层设置。通过使第一薄膜晶体管的源漏极与第二薄膜晶体管的栅极同层设置，第一薄膜晶体管的源漏极与第二薄膜晶体管的栅极时可通过一道光罩制程形成，由此简化了阵列基板的制作过程，降低了制作成本。
阵列制作方法显示面板

[发明专利]移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置-CN201310320479.2无效
发明人：韩承佑 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-07-27 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：所述移位寄存器单元包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第九薄膜晶体管、第十薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管、第十二薄膜晶体管
移位寄存器单元显示装置

[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置-CN201710723490.1在审
发明人：盛晨航;徐海燕 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种显示面板和显示装置，显示面板包括衬底基板、驱动电路层和有机发光单元；驱动电路层包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管用于驱动有机发光单元发光；第二薄膜晶体管用于控制第一薄膜晶体管的开启与关断；第一薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为非晶硅薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的源极、漏极以及有源层同层设置。第一薄膜晶体管较高的载流子迁移率和工作电流满足有机发光单元的发光要求；第二薄膜晶体管较低的漏电流保证显示面板功耗较小，满足显示面板高亮度和低功耗的要求；同时第一薄膜晶体管的源极、漏极和有源层同层设置，实现显示面板薄型化设计要求
薄膜晶体管显示面板有机发光单元驱动电路层同层设置显示装置漏极源层源极发光多晶硅薄膜晶体管非晶硅薄膜晶体管载流子迁移率薄型化设计衬底基板工作电流低功耗漏电流功耗关断制备驱动保证

[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置-CN201610665990.X在审
发明人：薛大鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，以在薄膜晶体管受到光照时，避免薄膜晶体管的漏电流增加，从而提高薄膜晶体管的稳定性。该薄膜晶体管中设有遮光层，遮光层用于遮挡薄膜晶体管中被栅极层反射到有源层的光线；遮光层位于所述薄膜晶体管的栅极层与栅极绝缘层之间；或，遮光层位于所述薄膜晶体管的栅极绝缘层内。上述阵列基板包括上述技术方案所提的薄膜晶体管。本发明提供的薄膜晶体管用于显示装置中。
一种薄膜晶体管阵列显示装置

[发明专利]一种显示面板及其驱动方法-CN201710500248.8有效
发明人：席克瑞;崔婷婷 -专利权人：上海中航光电子有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示面板及其驱动方法，属于显示技术领域，该显示面板包括多个像素单元组，各像素单元组包括多个像素单元，各像素单元内设有像素电极和薄膜晶体管组，每个晶体管组至少包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的第一极与数据线电连接，第一薄膜晶体管的第二极与第二薄膜晶体管的第一极电连接，第一薄膜晶体管的栅极与第一栅极控制信号线电连接，第二薄膜晶体管的第二极与像素电极电连接，第二薄膜晶体管的栅极与第二栅极控制信号线电连接，上述显示面板通过控制薄膜晶体管组中的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管分时导通来保持各像素电极的保持电压，从而避免了各薄膜晶体管因长时间受到偏压造成特性发生改变。
一种显示面板及其驱动方法

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN200910126111.6有效
发明人：大植荣司;宫泽敏夫 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种显示装置及其制造方法，该显示装置形成有薄膜晶体管，上述薄膜晶体管由n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管构成，在上述n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管中的一方薄膜晶体管的栅电极的上述栅极绝缘膜侧上形成由与该栅电极的材料不同的材料构成的金属层，在上述n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管中至少一个半导体层上形成有LDD层。
显示装置及其制造方法

[发明专利]OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法-CN201610645445.4有效
发明人：黄泰钧;梁鹏飞;周明忠;许神贤 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G09G3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法，该方法在驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测过程中，先向驱动薄膜晶体管的栅极提供一高电压，利用该提供的高电压增大驱动薄膜晶体管的栅极与源极之间的电压差，从而提升流过驱动薄膜晶体管的电流，加快驱动薄膜晶体管的源极电压的提升速度，进而加快OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测速度，减少OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测时间，提升用户体验，同时还在驱动薄膜晶体管的源极电压达到稳定之前，将驱动薄膜晶体管的栅极恢复为低电压，保证驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测的稳定性。
驱动薄膜晶体管阈值电压侦测源极电压高电压用户体验低电压电压差源极保证恢复

[发明专利]有源矩阵式显示装置的像素结构-CN200910134853.3无效
发明人：刘俊彦;柯凯元;蔡轩名;吴元均;张立勋 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2009-04-09 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：驱动电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管以及存储电容。发光组件的正极耦接至该第四薄膜晶体管的漏极，负极耦接至公共电压。分流电路包含第六薄膜晶体管，该第六薄膜晶体管的栅极耦接至该第一扫描电压，该第六薄膜晶体管的源极耦接至该第四薄膜晶体管的漏极，该第六薄膜晶体管的漏极耦接至第二参考电压。
有源矩阵显示装置像素结构

[实用新型]一种薄膜晶体管结构、阵列基板、显示面板及显示装置-CN201821252825.2有效
发明人：龙春平 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种薄膜晶体管结构、阵列基板、显示面板及显示装置，涉及显示技术领域。本申请实施例通过将至少两个薄膜晶体管并联形成薄膜晶体管结构，每个薄膜晶体管均包括栅极、有源区、源极和漏极，且相邻两个薄膜晶体管的有源区分隔设置。通过将至少两个薄膜晶体管并联，且将相邻两个薄膜晶体管之间的有源区材料刻蚀去除，使得相邻两个薄膜晶体管之间没有有源区材料，在提高薄膜晶体管结构的沟道宽长比的同时，减小薄膜晶体管结构中有源区的面积，从而可提高有源区的良率，降低薄膜晶体管的漏电流。
薄膜晶体管薄膜晶体管结构源区显示面板显示装置阵列基板并联沟道宽长比分隔设置漏电流减小刻蚀良率漏极源极去除申请

[发明专利]一种有机发光显示器的像素电路及驱动方法-CN201611117130.9在审
发明人：王建刚 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： G09G3/3258 文献下载
摘要：本发明公开一种有机发光显示器的像素电路及驱动方法，该像素电路包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、开关组件、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、电容和有机发光二极管；第一薄膜晶体管的栅极与第二扫描信号线连接，第一薄膜晶体管的第二电极与数据信号线连接，第一薄膜晶体管的第一电极与第二晶体管的第二电极和第四晶体管的第一电极连接；第二薄膜晶体管的栅极与电容第二电极连接，电容第一电极连接在第一电源，第二薄膜晶体管的第一电极与第五晶体管的第二电极和第三晶体管的第二电极连接,用以解决现有技术中驱动晶体管所耦接的电位准位变动，导致像素单元显示画面时的闪烁的问题。
薄膜晶体管第二电极第一电极晶体管像素电路电容有机发光显示器有机发光二极管驱动晶体管扫描信号线数据信号线电位驱动开关组件显示画面像素单元准位耦接电源闪烁