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- [发明专利]用于苛刻介质的半导体器件-CN201910521798.7有效
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A·J·范德维尔
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迈来芯科技有限公司
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2019-06-17
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2022-07-15
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H01L27/02
- 一种半导体器件(100),包括:第一和第二掺杂半导体层(112,122),其中第一层(112)是单晶硅层,并且第二层(122)是多晶硅层;氧化物层(127),覆盖第一和第二层(112,122);以及互连,其电连接第一与第二层(112,122),该互连包括金属合金(124),该金属合金(124)具有与第一层(112)接触的第一部分和与第二层(122)接触的第二部分,其中第一部分和第二部分之间的金属合金的一部分跨越第二层(122)的侧壁(133);至少一个电子组件(115)形成在第一层和/或第二层(112,122)中;此外,半导体器件包括化学计量钝化层(128),其覆盖第一和第二层(112,122)和氧化物层(127)。
- 用于苛刻介质半导体器件
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