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[发明专利]自适应偏置电路-CN201510113984.9有效
发明人：史蒂芬·戴维;法比安·里维埃 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2015-03-16 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：一种用于放大交变信号的放大器装置，包括放大器和自适应偏置电路，放大器被配置为接收用于放大的交变信号和来自自适应偏置电路用于偏置放大器的偏置信号，自适应偏置电路包括PTAT电路，其中PTAT电路被配置为接收交变信号以及基于交变信号调制偏置信号
自适应偏置电路

[发明专利]自适应偏置电路-CN202210749975.9在审
发明人：樊龙;张宗楠;李一虎 -专利权人：四川和芯微电子股份有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种自适应偏置电路，其包括线性补偿子电路与稳压子电路，稳压子电路包括，第一晶体管、第二晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻及第四电阻，所述第一电阻的一端与功率放大电路的功率晶体管连接，另一端与第一晶体管的基极连接；第一晶体管的集电极与第二电阻的一端、第四电阻的一端、第二晶体管的基极共同连接，所述第二电阻的另一端与基准电压源连接；第二晶体管的基极还与线性补偿子电路连接，其基极还与线性补偿子电路功率放大电路连接，其集电极与第三电阻的一端连接本发明的自适应偏置电路对基准电压的波动的敏感性很小且具有线性化补偿能力，使射频功率放大器在复杂的应用环境中能稳定、线性的工作。
自适应偏置电路

[实用新型]自适应偏置电路-CN202221645205.1有效
发明人：樊龙;张宗楠;李一虎 -专利权人：四川和芯微电子股份有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自适应偏置电路，其包括线性补偿子电路与稳压子电路，稳压子电路包括，第一晶体管、第二晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻及第四电阻，所述第一电阻的一端与功率放大电路的功率晶体管连接，另一端与第一晶体管的基极连接；第一晶体管的集电极与第二电阻的一端、第四电阻的一端、第二晶体管的基极共同连接，所述第二电阻的另一端与基准电压源连接；第二晶体管的基极还与线性补偿子电路连接，其基极还与线性补偿子电路功率放大电路连接，其集电极与第三电阻的一端连接本实用新型的自适应偏置电路对基准电压的波动的敏感性很小且具有线性化补偿能力，使射频功率放大器在复杂的应用环境中能稳定、线性的工作。
自适应偏置电路

[发明专利]用于差分功率放大器的自适应偏置电路的系统和方法-CN200910253968.4有效
发明人：李洞护;安奎焕;韩正侯;李彰浩;乔伊·拉斯卡尔 -专利权人：三星电机株式会社;佐治亚科技研究公司
申请日： 2009-12-11 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：提供了用于差分功率放大器的自适应偏置电路的系统和方法。所述自适应偏置电路可包括差分放大器、低通滤波器、共源放大器或共发射极放大器。自适应偏置电路可根据输入信号功率水平产生自适应偏置输出信号。随着输入功率水平升高，自适应偏置电路可增加自适应偏置输出信号的偏置电压或偏置电流。可根据自适应偏置输出信号来偏置功率放大器(例如，差分放大器)，以降低在低功率操作水平的电流消耗。
用于功率放大器自适应偏置电路系统方法

[发明专利]一种自适应线性化偏置电路结构-CN201210147095.0无效
发明人：牛玉琴 -专利权人：牛玉琴
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：一种自适应线性化偏置电路结构属于通信技术领域，尤其涉及一种自适应线性化偏置电路。本发明提供了一种对于输入信号功率变化适应性强，线性度好、效率高的自适应线性化偏置电路。本发明包括线性化偏置电路，其结构要点线性化偏置电路通过自适应电路与射频放大器单元电路相连，自适应电路端口与输入信号相连；所述自适应电路根据输入信号功率的变化调整功率放大器单元的偏置电压。
一种自适应线性化偏置电路结构

[发明专利]一种改进型电流可调的自适应偏置电路-CN202310630758.2在审
发明人：张杰;赵峰 -专利权人：成都通量科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进型电流可调的自适应偏置电路，包括电流调节电路和自适应偏置电路；电流调节电路通过电流调节节点连接自适应偏置电路的第二端口；电流调节电路用于调节第一电流，并通过调节后的第一电流调节自适应偏置电路的第二电流；自适应偏置电路的第二端口连接电流调节电路的电流调节节点；自适应偏置电路根据电流调节电路调节后的第一电流调节第二电流，并通过调节后的第二电流调节偏置电流。本发明通过电流调节电路可以实现偏置电流可调，进而调节功率管的静态电流并保持可靠的射频性能，并且通过采用三电源供电可以实现偏置电流对电源电压的波动不敏感，提高功率管的可靠性。
一种改进型电流可调自适应偏置电路

[发明专利]用于功率放大器的自混合自适应偏置电路的系统和方法-CN200910261077.3有效
发明人：李洞护;安奎焕;李彰浩;乔伊·拉斯卡尔 -专利权人：三星电机株式会社;佐治亚科技研究公司
申请日： 2009-12-22 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：提供了一种用于功率放大器的自混合自适应偏置电路的系统和方法。所述自混合自适应偏置电路包括混合器、低通滤波器或移相器、偏置供给块。自混合自适应偏置电路可根据输入信号功率级产生自适应偏置信号。由于输入功率级升高，所以自适应偏置电路增加偏置电压或偏置电流，以使功率放大器与传统的偏置技术相比在低功率操作水平节省电流消耗，并在高功率操作水平获得更好的线性。此外，可使用自适应偏置输出信号来去除三阶互调谱项(IM3)，以进一步增强线性作为辅助效果。
用于功率放大器混合自适应偏置电路系统方法

[发明专利]带有自适应线性化偏置电路的射频功率放大器-CN201010274707.3在审
发明人：张宗楠;陈立强;张健;张海英 -专利权人：沈阳中科微电子有限公司
申请日： 2010-09-07 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明属通信技术领域，具体而言，涉及一种带有自适应线性化偏置电路的射频功率放大器，它包括自适应线性化偏置电路部分(101)及与其相接的射频放大器单元电路(102)；所述自适应线性化偏置电路部分(101)包括线性化偏置电路及自适应电路部分(103)；所述线性化偏置电路中偏置异质结双极型晶体管(HBT2)的发射极与射频放大器单元电路(102)放大异质结双极型晶体管(HBT1)的基极相接；所述自适应电路部分(103)含有自适应电容(Cadaptive)；所述自适应电容(Cadaptive)与线性化偏置电路中的隔直电容(C1)并接。
带有自适应线性化偏置电路射频功率放大器

[发明专利]用于功率事件检测比较器的自适应偏置电路-CN201910313309.9在审
发明人： K.弗龙科萨克;M.普德 -专利权人：辛纳普蒂克斯公司
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H03K5/22 文献下载
摘要：一种系统包括：电源；自适应偏置功率事件检测比较器；以及用于自适应偏置功率事件检测比较器的自适应偏置电路。所述自适应偏置功率事件检测比较器配置成将对应于电源的电压电平的第一输入与对应于参考电压的第二输入进行比较。所述自适应偏置电路配置成基于电源的电压电平降低到更接近于参考电压来增加对于自适应偏置功率事件检测比较器的偏置电流。
比较器偏置功率事件检测自适应自适应偏置电路电源参考电压电压电平功率事件偏置电流配置检测

[发明专利]一种自适应红外焦平面阵列读出电路-CN201410474760.6有效
发明人：吕坚;魏林海;吴传福;吕静;周云 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-09-18 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： G01J5/24 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种自适应红外焦平面阵列读出电路，包括自适应衬底温度补偿电路和偏置电路，该自适应衬底温度补偿电路基于通道级微测辐射热计盲电阻产生自适应偏置电压，并用该自适应偏置电压偏置像素级微测辐射热计红外敏感电阻本发明的实施例的电路中，利用随衬底温度变化的自适应偏置电压，实现了对衬底温度的补偿，去除掉了TEC，大大减小了芯片封装的体积及制造成本，同时大大提高整体电路的均匀性及可靠性。
一种自适应红外平面阵列读出电路

[发明专利]高线性度射频功率放大器-CN202210409298.6有效
发明人：刘文永;刘鑫海;谷远辉;孙洪铮 -专利权人：江苏卓胜微电子股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本申请涉及一种高线性度射频功率放大器，包括：放大电路和偏置电路，偏置电路包括两个以上的自适应线性化偏置电路，各自适应线性化偏置电路连接对应的控制电源，且均连接放大电路；各自适应线性化偏置电路配置不同的电路参数对放大电路配置两个以上的不同电路参数的自适应线性化偏置电路，仅通过调整各自适应线性化偏置电路对应的控制电源的大小和比值即可实现对射频功率放大器的线性度指标的动态调整，结构简单，控制方便，有效地提升了高线性度射频功率放大器的设计和调试效率
线性射频功率放大器

[发明专利]使用自适应耦合装置将偏置电路耦合到放大器-CN202010531115.9在审
发明人： M·艾斯梅尔 -专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H03F3/195 文献下载
摘要：本公开涉及使用自适应耦合装置将偏置电路耦合到放大器。示例性偏置网络包括：自适应偏置电路，被配置为生成用于放大器的偏置信号，并且进一步包括耦合电路，被配置为将自适应偏置电路耦合至放大器。耦合电路的适应性在于其阻抗取决于放大器要放大的输入信号的功率电平。通过将耦合电路配置为具有取决于输入信号的功率电平的可变阻抗，耦合电路可以适应输入功率电平，从而可以修改偏置信号以减少/优化自适应偏置电路可引入到偏置信号中的非线性中的至少一些。
使用自适应耦合装置偏置电路放大器

[发明专利]应用于LDO的动态偏置电路及使用该动态偏置电路的LDO-CN202111058101.0有效
发明人：程心;李睿文;柳成林;张章;张永强 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于LDO的动态偏置电路，包括恒定偏置电流产生模块、自适应稳态偏置电流产生模块、自适应瞬态偏置电流产生模块以及偏置电压产生模块；自适应稳态偏置电流产生模块提供自适应稳态偏置电流，自适应稳态偏置电流可以根据负载电流的大小，自适应调整环路的偏置电流；自适应瞬态偏置电流产生模块提供自适应瞬态偏置电流，通过应用瞬态检测技术，使负载跳变瞬间消耗更多电流，提升了瞬态时的性能。本发明还公开了一种应用动态偏置电路的LDO，通过动态偏置电路、推挽放大器、功率调整管MPower、补偿电容Cm、电容C
应用于 ldo 动态偏置电路使用

[发明专利]一种低功耗自适应过零检测电路-CN202011484790.7有效
发明人：程心;柳成林;李睿文;张章;张永强 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G01R19/175 文献下载
摘要：本发明公开了一种低功耗自适应过零检测电路，包括偏置模块、自适应偏置模块和比较模块；其中偏置模块为过零检测电路提供偏置电流；自适应偏置模块根据外部输入电压VX为比较模块提供自适应偏置电流；比较模块根据外部输入电压VX的情况和自适应偏置电流调整比较模块的响应速度；当外部输入电压VX从负值上升到0V时，过零检测电路输出低电平，将外部NMOS功率管关断，防止反向电流的产生；本发明能降低过零检测电路本身的功耗，提高其响应速度
一种功耗自适应检测电路

[发明专利]一种自适应偏置宽频压控振荡器电路-CN201810815880.6有效
发明人：任艳;王宗民;张铁良;彭新芒;王金豪;管海涛 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H03B5/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种自适应偏置宽频压控振荡器电路，包括压控振荡器电路和自适应偏置电路。压控振荡器电路根据外部输入信号VCP调整负载电阻的大小，改变三个延迟单元的延时，产生与VCP相对应频率的振荡信号CLK和CLKN；自适应偏置电路通过对CLK和CLKN信号的交叉点检测，自适应调节输出VFB，VFB控制压控振荡器电路尾电流源大小。本发明通过压控振荡器电路输出信号的频率和摆幅反馈调节压控振荡器电路中尾电流源的偏置电压，稳定了输出信号的占空比，改善了振荡器的相位噪声性能，与固定偏置电压相比扩展了振荡频率范围，满足高速时钟处理电路等多种应用需求，实现了自适应偏置的高性能压控振荡器电路。
一种自适应偏置宽频压控振荡器电路

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