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[发明专利]一种基于忆阻器的高密度MEA神经信号采集处理电路-CN202310445106.1在审
发明人：刘洋 -专利权人：陕西格芯国微半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： A61B5/294 文献下载
摘要：本发明提供一种基于忆阻器的高密度MEA神经信号采集处理电路，包括CMOS高密度膜电极阵列、信号预处理单元、莫特忆阻器单元、时序控制电路。CMOS高密度膜电极阵列由CMOS膜电极组成，信号预处理单元由滤波电路与运算放大器组成，CMOS高密度膜电极阵列用于对脑电波进行收集，然后由信号预处理单元对脑电波进行滤波与提取，并将信号传输给莫特忆阻器单元，莫特忆阻器单元把模拟信号转换为数字信号，时序控制电路用于控制莫特忆阻器单元的输出。本发明公开了一种基于莫特忆阻器的高密度MEA神经信号采集处理电路。重点解决了传统技术中数模转换部分无法大规模阵列集成的以及高功耗痛点。
一种基于忆阻器高密度 mea 神经信号采集处理电路

[发明专利]纳米结构快速开关忆阻器及其制造方法-CN200910072447.9无效
发明人：温殿忠;柏晓辉 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2009-07-02 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：纳米结构快速开关忆阻器及其制造方法，涉及到一种纳米结构忆阻器结构与制造方法，它克服了现有的忆阻器制造模型开关速度相对比较低的问题。本发明的纳米结构快速开关忆阻器包括有三层纳米膜，分别为P型半导体层、中性半导体层和N型半导体层，所述忆阻器的两个电极还可以采用交叉布置的方式。本发明的制作方法中，采用电解的方法在多孔模板的纳米孔洞中制作纳米金属线，所述纳米金属线用于连接三层纳米膜和电极，所述的三层纳米膜采用磁控溅射的方法获得，最后采用压印技术制备忆阻器的电极引线。本发明所述的忆阻器的开关速度快，更适用于在即将出现的更快、更节能的即开型PC或模拟式计算机中实现存储数据功能。
纳米结构快速开关忆阻器及其制造方法

[发明专利]一种忆阻器及其制备方法-CN201911054145.9有效
发明人：王军;刘贤超;崔官豪;周泓希;苟军;史佳欣;刘德幸 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种忆阻器及其制备方法，属于半导体器件微纳加工技术领域，方法包括将电阻率满足第一阈值条件、晶向为100的低阻硅片作为低阻硅衬底；在所述低阻硅衬底上制备具有孔阵列的掩膜层；刻蚀所述低阻硅衬底得到具有三维锥形结构阵列的低阻硅衬底，所述具有三维锥形结构阵列的低阻硅衬底作为第一电极层；去除所述掩膜层，在所述具有三维锥形结构阵列的低阻硅衬底上依次沉积介质层和金属层，所述金属层作为第二电极层。本发明在低阻硅衬底和金属层均引入三维锥形结构阵列，使忆阻器的开和关状态更明显、更容易受控，且采用低阻硅衬底直接作为下电极，减少了忆阻器膜层，降低忆阻器漏电的概率，同时可增大忆阻器阵列面积。
一种忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种环境友好型的纤维素基自支撑忆阻器及其制备方法-CN202110871633.X有效
发明人：杨蕊;夏剑;缪向水;徐义纯 -专利权人：华中科技大学;湖北江城实验室
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种环境友好型的纤维素基自支撑忆阻器及其制备方法，属于半导体信息相关技术领域。该忆阻器自下而上包括柔性衬底、底电极层、功能层和顶电极；所述柔性衬底为再生纤维素膜，所述功能层为纤维素膜。本发明制备的纤维素基自支撑忆阻器解决了传统硅基忆阻器无法大面积制备、工艺繁琐且对环境有害的问题。本发明采用的材料为环境友好型天然高分子材料，来源广泛，制备工艺简单，成本低廉，对环境无毒无污染，为大面积制备柔性有机忆阻器提供了新的制备方法。
一种环境友好纤维素支撑忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种垂直单分子膜忆阻器及其制备方法-CN202310511920.9在审
发明人：贾传成;杨澜;张恩予;句宏宇;郭雪峰 -专利权人：南开大学
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10K10/50 文献下载
摘要：本申请提供了一种垂直单分子膜忆阻器及其制备方法，其中，垂直单分子膜忆阻器包括衬底、依次设置在衬底上的源极、自组装单分子膜、漏极和栅极；自组装单分子膜包括柱芳烃分子体系，柱芳烃分子的结构式如式A所示。本申请的自组装单分子膜包括具有双稳态的柱芳烃分子体系，柱芳烃分子体系由柱芳烃分子和银离子组成。柱芳烃分子具有空腔，空腔中可以容纳银离子。将柱芳烃分子体系应用于垂直单分子膜忆阻器，通过调控源漏电压或栅压可以实现银离子在柱芳烃分子的空腔内移动，实现高阻值与低阻值之间的转换调控，获得结构稳定、高效、可调控的垂直单分子膜忆阻器。
一种垂直分子膜忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种基于聚多巴胺修饰黑磷纳米片的仿生忆阻器及其制备方法和应用-CN201910843185.5有效
发明人：张斌;樊菲;颜青;曹亚明;陈彧 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于忆阻器领域，具体涉及一种基于聚多巴胺修饰黑磷纳米片的仿生忆阻器及其制备方法和应用。本发明中所制备的Al/PDA‑BP薄膜/ITO/PET器件的电流‑电压特性曲线表现出了忆阻器性能，并成功模拟了神经突触的非线性电流传输特性，这为黑磷材料应用于忆阻器领域提供了参考。具体来说，柔性PET基底上的导电ITO薄膜作为底电极扮演突触后膜的角色，均匀的经聚多巴胺成膜修饰后的黑磷纳米片薄膜作为活性层充当突触间隙，铝(Al)电极既充当顶电极又扮演突触前膜的角色。
一种基于多巴胺修饰黑磷纳米仿生忆阻器及其制备方法应用

[发明专利]一种溴氧化铋忆阻器及其制备方法-CN202211040882.5在审
发明人：李燕;董小飞;孙浩;李思源;贺倩;赵雲;陈江涛 -专利权人：西北师范大学
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种溴氧化铋忆阻器，包括自下而上依次形成的底电极层FTO导电玻璃层、阻变层溴氧化铋‑聚甲基丙烯酸甲酯复合阻变膜层和顶电极层Al电极。制备方法为：制备BiOBr前驱液—制备BiOBr粉末—制备BiOBr‑PMMA复合溶液—清洗FTO导电玻璃基底—制备BiOBr‑PMMA复合阻变膜—组装Al/BiOBr‑PMMA/FTO忆阻器件。本发明中Al/BiOBr‑PMMA/FTO忆阻器件中的BiOBr具有层状结构，且具有高活性、高稳定性、无毒性等优点，原料易得无毒、对环境友好，制备步骤简单，容易操作；PMMA为一种高分子聚合物，其光学性本发明首次将BiOBr和PMMA复合作为忆阻器阻变层，并获得了阻变性能优良且稳定的忆阻器件。
一种氧化铋忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种高性能δ-CsPbI3-CN202210078682.2在审
发明人：许佳;姚建曦;姚程亮 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了属于忆阻器技术领域的一种高性能δ‑CsPbI3薄膜忆阻器及其制备方法。所述δ‑CsPbI3薄膜忆阻器的结构从下至上依次为：FTO导电玻璃基底、底电极Ag膜、AgOx界面层、δ‑CsPbI3薄膜、顶电极Ag膜。所述δ‑CsPbI3薄膜忆阻器在自然氧化的无定形AgOx层表面沉积黄相δ‑CsPbI3忆阻器具有非易失性双极性电阻开关和存储特性，具有瞬时设置/复位现象、极大的开关比、低的工作电压、极长的数据保持时间，大大提高了CsPbI3忆阻器的应用价值。
一种性能 cspbi base sub

[发明专利]一种多芯光纤忆阻器件及“擦、写、读”方案-CN202111021709.6有效
发明人：金威;程思莹;李翔;李亚茹;张毅博;张亚勋;张羽;刘志海;杨军;苑立波 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G11C13/04 文献下载
摘要：本发明提供一种多芯光纤忆阻器件及“擦、写、读”方案。该多芯光纤忆阻器件及“擦、写、读”方案，包括“读、写、擦”激光输出模块、多芯光纤忆阻器、“读”多芯探测模块，其中多芯光纤忆阻器包括多芯光纤、光学相变材料薄膜和防氧化增反膜。在多芯光纤端面后依次镀有光学相变材料薄膜和防氧化增反膜来构造多芯光纤忆阻器；各个纤芯中注入“擦、写”脉冲激光分别对各纤芯端面的光学相变材料的相态进行调控，不同相态下的光学相变材料反射率存在差异，通过“读该多芯光纤忆阻器件基于空分复用理念提升单芯光纤非易失性存储的维度，可极大地提高通信、存储容量，突破当前普通单模光纤信息容量极限。
一种光纤器件方案

[发明专利]基于纳米结构开关忆阻器的非易失存储器单元电路-CN201310311045.6无效
发明人：温殿忠;李蕾 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2013-07-23 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：基于纳米结构开关忆阻器的非易失存储器单元电路，涉及一种开关型低功率快速开关忆阻器的非易失存储器单元电路，为了解决现有非挥发存储器在硅基材料上制造MOS电容式结构的非易失存储器单元电路中，因MOS晶体管个数较多，导致硅片表面制造电路的电极联接复杂和开关忆阻器的功耗高的问题,本发明所述的MOS晶体管的漏极与纳米结构开关忆阻器的一端串联，纳米结构开关忆阻器由上电极、三层纳米膜和下电极组成；三层纳米膜由N型半导体层
基于纳米结构开关忆阻器非易失存储器单元电路

[发明专利]一种基于负微分电阻的忆阻器、其制备方法及应用-CN202310831354.X在审
发明人：裴逸菲;闫小兵;何惠 -专利权人：河北大学
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于负微分电阻的忆阻器、其制备方法及应用。采用两个基于负微分电阻(NDR)的忆阻器和一个电感即可形成神经元电路。本发明所提供的忆阻器实现了神经元膜的集成特性，避免了使用外部电容器，并成功地将其应用于超简化神经元电路。忆阻器中的负微分效应模拟了神经元的动作电位行为，只需要两个NDR忆阻器和一个电感器就可以实现丰富的神经元动力学和著名的Fitz Hugh Nagumo(FN)生物神经元动力学。结果表明，本发明为使用NDR忆阻器模拟FN神经元开辟了道路，并为构建高度集成的神经形态学硬件系统提供了更具竞争力的方法。
一种基于微分电阻忆阻器制备方法应用

[发明专利]一种柔性单层纳米薄膜忆阻器的制备方法-CN201510996704.3在审
发明人：郭梅;窦刚;李玉霞;李煜;于洋;孙钊 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性单层纳米薄膜忆阻器的制备方法，其运用单层纳米薄膜忆阻器在偏压下产生的空穴和电离氧离子为载流子，依靠空穴和电离氧离子产生量的变化，以实现器件电阻的变化的原理，从制备工艺简化与阻变膜纳米陶瓷材料的化学配方两方面着手，通过省略掉阻变膜陶瓷材料的预先烧结步骤、选用纳米陶瓷烧结温度更低的原料，结合采用更低的煅烧温度；并通过以X²⁺部分取代Ti⁴⁺进行B位取代，增大了阻变膜分子结构的不对称性和内部的空穴量；并采用在生瓷带上镀膜形成“柔性”下电极等系列技术手段，简化了制备工艺、缩短了工艺流程、提高了生产效率，并降低了生产能耗和制造成本，大幅提升了忆阻器的忆阻性能。
一种柔性单层纳米薄膜忆阻器制备方法

[发明专利]一种单层纳米阻变膜忆阻器的制备方法-CN201510998321.X在审
发明人：窦刚;郭梅;李玉霞;孙钊;李煜;于洋 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单层纳米阻变膜忆阻器的制备方法，其运用单层纳米薄膜忆阻器在偏压下产生的空穴和电离氧离子为载流子，依靠空穴和电离氧离子产生量的变化实现器件电阻的变化的原理，在现有技术的基础上，从制备工艺简化与阻变膜纳米陶瓷材料的化学配方两方面着手，通过省略掉阻变膜陶瓷材料的预先烧结步骤、选用金属阳离子化合价更高、纳米陶瓷烧结温度更低的原料，结合采用更低的煅烧温度，以将其控制成一种不完全的“烧结”，进而大幅增加其内部晶格缺陷和空穴等系列技术手段，简化了制备工艺、缩短了工艺流程、提高了生产效率，并降低了生产能耗和生产制造成本；同时大幅提升了忆阻器的忆阻性能和成品率。
一种单层纳米阻变膜忆阻器制备方法

[发明专利]一种以LTCC生瓷带为衬底的单层纳米薄膜忆阻器的制备方法-CN201610039902.5有效
发明人：窦刚;郭梅;李玉霞;孙钊;李煜;于洋 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种以LTCC生瓷带为衬底的单层纳米薄膜忆阻器的制备方法，其运用单层纳米薄膜忆阻器在偏压下产生的空穴和电离氧离子为载流子，依靠空穴和电离氧离子产生量的变化，以实现器件电阻的变化的原理，从备简化工艺与改进阻变膜原料配方两方面着手省略了阻变膜陶瓷材料的预先烧结步骤、选用烧结温度更低的陶瓷原料，结合采用更低的煅烧温度；并通过以X2+部分取代Ti4+进行B位取代，以增大阻变膜分子结构的不对称性和内部的空穴量；并采用在LTCC生瓷带上镀膜形成“柔性”下电极等系列技术手段，简化了制备工艺、提高了生产效率，并降低了生产能耗和制造成本，大幅提升了忆阻器的忆阻性能。
一种 ltcc 生瓷带衬底单层纳米薄膜忆阻器制备方法

[发明专利]一种单层阻变膜忆阻器的制备方法-CN201711221188.2有效
发明人：窦刚;郭梅;李玉霞 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单层阻变膜忆阻器的制备方法，其运用单层纳米薄膜忆阻器在偏压下产生的空穴和电离氧离子为载流子，依靠空穴和电离氧离子产生量的变化实现器件电阻的变化的原理，在现有技术的基础上，从制备工艺简化与阻变膜纳米陶瓷材料的化学配方两方面着手，通过省略掉阻变膜陶瓷材料的预先烧结步骤、选用金属阳离子化合价更高、纳米陶瓷烧结温度更低的原料，结合采用更低的煅烧温度，以将其控制成一种不完全的“烧结”，进而大幅增加其内部晶格缺陷和空穴等系列技术手段，简化了制备工艺、缩短了工艺流程、提高了生产效率，并降低了生产能耗和生产制造成本；同时大幅提升了忆阻器的忆阻性能和成品率。
一种单层阻变膜忆阻器制备方法

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