专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]便于确定腐蚀位置的金属接地网-CN201510500100.5有效
  • 高攀亮 - 宁夏中科天际防雷股份有限公司
  • 2015-08-15 - 2019-10-29 - H01R4/66
  • 一种便于确定腐蚀位置的金属接地网,包括横向金属件组、纵向金属件组、测试引导线及接地网模型指示装置,横向金属件组包括横向金属件,纵向金属件组包括纵向金属件,纵向金属件与横向金属件垂直,且纵向金属件与横向金属件固定接触的位置形成交点,测试引导线的数量与交点的数量相对应,每根测试引导线的一端与一个交点电性连接,另一端与接地网模型指示装置电性连接;接地网模型指示装置包括基体、设置在基体上地形模拟层,地形模拟层与埋设便于确定腐蚀部位的金属接地网的地形环境相对应,地形模拟层上还设置有数量、位置与实际的交点一一相对应的金属插孔座,金属插孔座的底端依次穿过地形模拟层、基体后与对应的测试引导线电性连接。
  • 便于确定腐蚀位置金属接地
  • [实用新型]便于确定腐蚀位置的金属接地网-CN201520614151.6有效
  • 高攀亮 - 宁夏中科天际防雷股份有限公司
  • 2015-08-15 - 2015-12-09 - H01R4/66
  • 一种便于确定腐蚀位置的金属接地网,包括横向金属件组、纵向金属件组、测试引导线及接地网模型指示装置,横向金属件组包括横向金属件,纵向金属件组包括纵向金属件,纵向金属件与横向金属件垂直,且纵向金属件与横向金属件固定接触的位置形成交点,测试引导线的数量与交点的数量相对应,每根测试引导线的一端与一个交点电性连接,另一端与接地网模型指示装置电性连接;接地网模型指示装置包括基体、设置在基体上地形模拟层,地形模拟层与埋设便于确定腐蚀部位的金属接地网的地形环境相对应,地形模拟层上还设置有数量、位置与实际的交点一一相对应的金属插孔座,金属插孔座的底端依次穿过地形模拟层、基体后与对应的测试引导线电性连接。
  • 便于确定腐蚀位置金属接地
  • [发明专利]一种低压输气管道内腐蚀评价系统及方法-CN202310134902.3在审
  • 谢飞;杜懿杰;王丹;孙东旭;张庆晗 - 辽宁石油化工大学
  • 2023-02-20 - 2023-07-18 - G06F30/23
  • 一种低压输气管道内腐蚀评价系统及方法,涉及天然气管道内腐蚀评价技术领域。解决现有管道内腐蚀评价方法对于管道腐蚀的影响因素预测不全,且预测评估准确性低的问题。评价方法:根据管道基础数据、运行数据和路由数据,获得易腐蚀位置的临界倾角和实际倾角,进而获得易腐蚀位置,分析易腐蚀位置,获得分析数据和腐蚀影响因素;根据分析数据,获得冲蚀腐蚀模型,并结合腐蚀影响因素,进行风险排序,获得管道的易腐蚀位置排序图。根据排序图,处理易腐蚀位置,获得管道剩余壁厚数据。采用管道寿命剩余公式对分析管道壁厚数据,获得管道剩余寿命数据,并获得管道评价周期。本发明适用于管道内的腐蚀评价,尤其是低压和无接发球装置的管道。
  • 一种低压输气管道腐蚀评价系统方法
  • [发明专利]用于芯片的腐蚀装置及腐蚀方法-CN202310092482.7在审
  • 马腾达;王成刚 - 中国电子科技集团公司第十一研究所
  • 2023-01-29 - 2023-06-09 - H01L21/67
  • 本发明提出了一种用于芯片的腐蚀装置及腐蚀方法,腐蚀装置包括:腐蚀瓶、芯片载板及真空泵,腐蚀瓶盛有腐蚀液。芯片载板设于腐蚀瓶内,芯片载板设有多个位置槽,待腐蚀芯片真空吸附固定于对应的位置槽。真空泵与位置槽的真空吸孔连通,用于对真空吸孔抽气,以固定位置槽中对应的待腐蚀芯片。本发明可以实现碲锌镉基芯片的批量腐蚀,大幅提高工作效率;能够有效地减少芯片夹取次数,减低损坏概率,提高成品率;所采用的腐蚀装置及技术成本低廉,操作简单;芯片以竖直的方式浸入腐蚀液中可有效降低腐蚀后芯片表面腐蚀印记的产生概率
  • 用于芯片腐蚀装置方法
  • [发明专利]一种用于材料腐蚀形貌准原位表征的方法-CN202310290753.X在审
  • 姜龙涛;韩慧敏;晁振龙;王春雨;陈国钦;修子扬;武高辉 - 哈尔滨工业大学
  • 2023-03-23 - 2023-08-04 - G01N23/2251
  • 一种用于材料腐蚀形貌准原位表征的方法,涉及一种用于材料腐蚀形貌表征的方法。为了解决现有的材料腐蚀形貌原位表征方法存在试验条件苛刻且腐蚀环境受限等问题。方法:待腐蚀样品预处理、待腐蚀样品位置标记、在腐蚀之前将已经做位置标记的样品进行微观形貌表征、对样品进行腐蚀、将步骤四腐蚀后的样品进行清洗再次进行微观形貌表征形貌的动态观测。本发明用维氏硬度计的菱形压痕作为标记位置,材料在腐蚀性气氛中腐蚀多个时间段,可实现对材料某一区域的腐蚀形貌动态观测。该方法的腐蚀形貌表征效果近似于原位腐蚀表征,而所需实验条件简单且腐蚀气氛不受限制,需样品数量少,效率高。
  • 一种用于材料腐蚀形貌原位表征方法
  • [发明专利]一种管道腐蚀检测评价方法-CN202310038288.0在审
  • 吴庆涛;徐国亮;许磊 - 西安东方宏业科技股份有限公司
  • 2023-01-10 - 2023-04-25 - G01N17/00
  • 本发明公开了一种管道腐蚀检测评价方法,包括:预先沿待测管道轴向在其外壁间隔设置多组腐蚀金属试片,并测量各腐蚀金属试片在无损状态下的电位,作为标准值;每间隔预设时间,采集各腐蚀金属试片的电位,确定各腐蚀金属试片当前采集电位与各自标准值之间的差值,并根据预先构建的数据库,确定待测管道外壁的腐蚀位置腐蚀程度;每间隔预设时间,利用超声波探头在待测管道相应检测点发射超声导波信号,并接收超声导波信号沿待测管道传播过程中,在管壁厚度发生变化位置处反射回的回波信号;根据回波信号确定待测管道的综合腐蚀位置及对应的综合腐蚀程度。本发明可同时对检测管道内外壁的整体的腐蚀位置腐蚀状态进行检测,并进行综合评价。
  • 一种管道腐蚀检测评价方法
  • [实用新型]一种具有防腐蚀功能的管道工程用通风装置-CN202021273686.9有效
  • 方琼;吴和凌 - 马鞍山蓝鲸电子科技有限公司
  • 2020-07-02 - 2021-05-25 - F16L29/00
  • 本实用新型公开了一种具有防腐蚀功能的管道工程用通风装置,包括耐腐蚀框架,所述耐腐蚀框架外部外侧的边侧位置固定安装有外接装配框架,所述耐腐蚀框架外部外侧的中间位置固定安装有外接装配管,所述耐腐蚀框架外部边侧的中间位置活动安装有传动轮,所述耐腐蚀框架外部上端的一侧位置固定安装有电机座,所述耐腐蚀框架外部上端的另一侧位置活动安装有风向调节旋钮,所述驱动电机的输出轴固定连接有主动轮,所述主动轮与传动轮之间活动连接有传动带。该具有防腐蚀功能的管道工程用通风装置,通过将耐腐蚀框架整体设计为采用奥氏体不锈钢的中空况结构,使其整体在实际应用使用工作中使用稳定性较好的基础上能够具有较好的耐腐蚀性。
  • 一种具有腐蚀功能管道工程通风装置
  • [发明专利]一种用于电缆隧道的电缆腐蚀在线监测装置-CN202210813858.4在审
  • 吴敏 - 杭州中荷智慧城市科技有限公司
  • 2022-07-12 - 2022-09-23 - G01N3/42
  • 本发明涉及电缆监测领域,尤其涉及一种用于电缆隧道的电缆腐蚀在线监测装置。为了解决电缆的外表层裂纹较难探测出,以及电缆在不同位置腐蚀的速度也不同,从而难以判断电缆受腐蚀程度的技术问题。本发明提供了这样一种用于电缆隧道的电缆腐蚀在线监测装置,包括有托举单元和监测单元等;托举单元上连接有监测电缆腐蚀程度的监测单元。在本发明中,将检测部件设置在沿轨道移动的小车上,实现定期对电缆不同位置的受腐蚀情况进行监测,通过分别检测电缆局部位置的湿度以及硬度,并在不同时间内的受腐蚀情况进行对比,判断电缆的受腐蚀速度,通过在同一位置,对比相邻的两个电缆多个部位的受腐蚀情况,找出电缆腐蚀速度出现异常的区域。
  • 一种用于电缆隧道腐蚀在线监测装置
  • [发明专利]GPP芯片腐蚀方法-CN201410018975.7有效
  • 邱志述;徐刚 - 乐山无线电股份有限公司;成都先进功率半导体股份有限公司
  • 2014-01-15 - 2014-04-09 - H01L21/306
  • 本发明公开了一种GPP芯片腐蚀方法,包括步骤:一、将光刻处理完毕后的硅片竖直放入腐蚀液中进行一阶段腐蚀,硅片在腐蚀液中的位置为初始位置;二、步骤一中腐蚀完成后,取出硅片,以所述初始位置为参考顺时针旋转硅片90°后将硅片竖直放入腐蚀液进行二阶段腐蚀;三、步骤二中腐蚀完成后,取出硅片,在步骤二硅片旋转90°后的基础上再将硅片顺时针旋转90°后竖直放入腐蚀液进行三阶段腐蚀;四、步骤三中腐蚀完成后,取出硅片,在步骤三硅片旋转90°的基础上再将硅片顺时针旋转90°后竖直放入腐蚀液进行四阶段腐蚀;五、步骤四完成后取出硅片进行清洗。本发明方法腐蚀的硅片的沟槽深度的均匀性好,使制作出的GPP芯片性能参数更优。
  • gpp芯片腐蚀方法

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