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- [实用新型]一种基于通用芯片的射频调制控制系统-CN202122623648.2有效
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梁玉龙
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河北森骏电子科技有限公司
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2021-10-29
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2022-04-05
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G05D27/02
- 本实用新型公开了一种基于通用芯片的射频调制控制系统，该系统包括STM32G431芯片，所述STM32G431芯片分别与温度获取模块、功率获取模块、脉宽获取模块、脉冲调制电路以及收发切换电路相连；所述STM32G431芯片用于根据通过所述温度获取模块、功率获取模块、脉宽获取模块获取到的射频调制系统的温度、功率以及脉宽处理控制和保护所述脉冲调制电路以及收发切换电路。本申请提供的控制系统，所需器件数量和种类更少，系统的稳定性更强；相较于现有方案的脉宽保护功能调节更加方便和灵活，并且可以将脉宽定量信息准确的传递给上级控制系统；通过串行总线方面产品的集中统筹管理；通过预留编程接口
- 一种基于通用芯片射频调制控制系统
- [发明专利]一种用于电磁故障注入的纳秒级电磁脉冲发生器-CN201711041567.3在审
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袁果;刘强
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天津大学
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2017-10-31
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2018-03-20
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G06F17/50
- 本发明公开了一种用于电磁故障注入的纳秒级电磁脉冲发生器，用以产生瞬态电磁脉冲信号，属于电磁故障注入领域。本发明主要包括直流电源、信号发生器、Marx发生器、MOSFET驱动电路和电磁探头。直流电源分别为Marx发生器和MOSFET驱动电路供电，信号发生器为MOSFET驱动电路提供脉冲信号，控制MOSFET的导通和关断，进而在电磁探头上产生脉宽、频率为设定值的瞬态电磁脉冲。本发明装置在负载端电磁探头两端可产生幅值可调、脉宽可变(200‑2000ns)的电压脉冲信号，进而在电磁探头上产生脉宽、频率为设定值的不同强度的瞬态电磁脉冲。本发明的电磁脉冲发生器设计原理简单，制造成本低，电路稳定性好。
- 一种用于电磁故障注入纳秒级脉冲发生器
- [发明专利]一种超短脉冲相对峰值功率检测装置及其检测方法-CN202011465165.8在审
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赵研英;耿易星
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北京大学
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2020-12-14
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2021-03-12
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G01J1/00
- 本发明公开了一种超短脉冲相对峰值功率检测装置及其检测方法。本发明利用非线性晶体的非线性效应的转换效率强烈依赖于激光脉冲的峰值功率，激光脉冲的峰值功率越大，非线性效应的转换效率越高，设置非线性晶体，并采用平均功率探测工具接收非线性效应转化后的激光脉冲的平均功率，通过调节CPA系统中的色散调节装置，对激光脉冲进行色散补偿，当平均功率最高时，此时为能够获得的最高峰值功率，结合能量计测量得到激光脉冲的能量和脉宽测量装置测量得到激光脉冲的脉宽，得到应用终端处的峰值功率；本发明能够直接在应用终端获得系统的最高峰值功率，应用于真空系统，非常适合在真空中测量应用终端的最高峰值功率，解决真空中脉宽参数测量难题。
- 一种超短脉冲相对峰值功率检测装置及其方法
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