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[发明专利]一种高织构度及高电致应变性能的钛酸铋钠基无铅压电织构陶瓷及其制备方法-CN202210819578.4有效
发明人：戴叶婧;赖丽香;李斌 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及无铅压电织构陶瓷制备技术领域，特别涉及一种高织构度及高电致应变性能的钛酸铋钠基无铅压电织构陶瓷及其制备方法。本发明结合了离子掺杂改性和织构技术，通过熔盐法制备得到钛酸铋模板晶体，通过反应模板晶粒生长法(RTGG)结合改进的流延成型工艺，制备得到一种高织构度及高电致应变性能的钛酸铋钠基无铅压电织构陶瓷，化学式为(Ti1‑xNbx)O3(0≤x≤0.015)，陶瓷晶粒沿001高度取向，织构陶瓷具有较高的织构度
一种高织构度高电致应变性能钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]用于显示器应用的织构化表面-CN201810601625.1有效
发明人： J·P·汉米尔顿;K·W·科齐三世;A·李;J·M·米斯;D·A·诺兰;V·拉维钱德兰;I·G·鲁达斯;N·J·史密斯;C·C·沃尔科特;R·扬森通 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： G02B5/02 文献下载
摘要：本文公开了一种具有织构化表面的基板。所述基板可以是例如包含光导的发光体，例如用于显示设备的背光灯元件，其中光导例如玻璃基板的表面构造成具有织构化表面，该织构化表面具有预定的RMS粗糙度和预定的织构相关长度。在织构化表面上可提供多个光散射抑制特征。本文所述的织构化表面可有效减少基板表面的静电充电。本文还公开了制备织构化表面的方法。
用于显示器应用织构化表面

[发明专利]用于显示器应用的织构化表面-CN201480075859.7有效
发明人： J·P·汉米尔顿;K·W·科齐三世;A·李;J·M·米斯;D·A·诺兰;V·拉维钱德兰;I·G·鲁达斯;N·J·史密斯;C·C·沃尔科特;R·扬森通 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G02B5/02 文献下载
摘要：本文公开了一种具有织构化表面的基板。所述基板可以是例如包含光导的发光体，例如用于显示设备的背光灯元件，其中光导例如玻璃基板的表面构造成具有织构化表面，该织构化表面具有预定的RMS粗糙度和预定的织构相关长度。在织构化表面上可提供多个光散射抑制特征。本文所述的织构化表面可有效减少基板表面的静电充电。本文还公开了制备织构化表面的方法。
用于显示器应用织构化表面

[发明专利]一种织构化压电陶瓷及其制备方法和用途-CN201910043876.7有效
发明人：陈朗;马晓姿;袁国亮 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明涉及一种织构化压电陶瓷及其制备方法和用途，所述织构化压电陶瓷包括模板晶体材料和钪酸铋钛酸铅基体材料，所述钪酸铋钛酸铅基体材料定向生长在模板晶体材料上；所述织构化压电陶瓷保持了钪酸铋钛酸铅基体材料本体较高的居里温度的特性，其居里温度≥435℃，且本发明所述织构化压电陶瓷的织构度很高，其织构度≥83％，使得织构化压电陶瓷的性能接近单晶性能，其机电耦合系数Kp最高可达0.71，Kt最高可达0.64，机械品质因数Qm最高可达248，且其具有较高的致密度，其密度≥7.36g/cm3，本发明所述的织构化压电陶瓷的压电常数最高可达1480pC/N，其在压电传感器、压电电机和高精度位移方面具有广阔的前景
一种织构化压电陶瓷及其制备方法用途

[发明专利]一种3D打印钛合金的表面改性设备及其表面改性方法-CN202210655792.0在审
发明人：田斌;冯青源;黄志刚;毕崇浩;王子妍 -专利权人：北京工商大学
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C24/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种3D打印钛合金的表面改性设备及其表面改性方法，该设备包括实验台组件、光学检测组件、加压组件和织构制备组件，所述加压组件包括组合式压板装置和应力平衡压头，压板装置和应力平衡压头与上方加压杆连接，所述织构制备组件包括激光织构装置和/或挤压织构装置，还包括预置织构应力板，预置织构应力板分别与激光织构装置和/或挤压织构装置匹配设置，预置织构应力板用于限制织构制备过程中织构边缘出现隆起。本发明的技术方案很好地延续了3D打印技术本身的增材理念，在不减少3D打印钛合金本身材料的基础上，获得所需的表面粗糙度的同时提高其耐磨性能等表面性能，延长3D打印钛合金工件的使用寿命。
一种打印钛合金表面改性设备及其方法

[发明专利]一种双轴织构高温超导缓冲层的制备方法-CN201510206017.7有效
发明人：张贺;蔡渊;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：苏州新材料研究所有限公司
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种双轴织构高温超导缓冲层的制备方法，一个沉积源沉积MgO到基底上，在MgO薄膜生长的同时，离子束A以和基底法线成40～50度角轰击生长中的MgO，离子束B也同时以和基底法线成40～50度角轰击生长中的MgO，离子束A和离子束B的夹角为55～65度且离子束A和离子束B在基底平面的投影的夹角为85～95度，双轴织构缓冲层有至少一层高温生长的外延层生长在所述的双轴织构的MgO上，外延层的Phi扫描的FWHM小于7度。本发明提供的方法，可以更好的控制双轴织构缓冲层沿特定取向生长，制得优异双轴织构特性的缓冲层，为外延生长ReBCO超导层或其他功能层薄膜提供所必须的单一取向高织构度的优质缓冲层模板。
一种双轴织构高温超导缓冲制备方法

[发明专利]一种织构化氮化硅陶瓷基板及其切割方法和应用-CN202110348819.7有效
发明人：伍尚华;李林;伍海东;张凤林 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B28D1/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种织构化氮化硅陶瓷基板及其切割方法和应用，涉及氮化硅陶瓷基板制备技术领域。所述方法应用于织构化氮化硅陶瓷中，所述方法包括：通过电镀金刚石线锯沿着与所述织构化氮化硅陶瓷的织构化方向垂直的方向将所述织构化氮化硅陶瓷切割为织构化氮化硅陶瓷基板。本发明实施例中，通过电镀金刚石线锯沿着与所述织构化氮化硅陶瓷的织构化方向垂直的方向将所述织构化氮化硅陶瓷切割为织构化氮化硅陶瓷基板，由此得到的织构化氮化硅陶瓷基板的厚度方向与其织构化方向一致，从而具备了更好的导热性能，其热导率超过100m‑1﹒k‑1，同时所述织构化氮化硅陶瓷基板的表面粗糙度小于0.1μm，从而能够满足电子器件基板对高导热性的要求
一种织构化氮化陶瓷及其切割方法应用

[发明专利]曲轴组件、泵体组件、压缩机、空调器-CN201910786491.X在审
发明人：丁少鹏;史正良;刘鹏飞;关蕴奇 -专利权人：珠海格力节能环保制冷技术研究中心有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： F04C29/00 文献下载
摘要：其中曲轴组件，包括止推端面，所述止推端面上具有润滑环带，所述润滑环带环绕曲轴轴体的轴线设置，所述润滑环带内具有多个织构弧段，每个所述织构弧段内包括多个织构凹槽，由所述织构弧段两端边缘朝向所述织构弧段中央的方向，所述织构凹槽的深度递增或者递减。根据本发明的一种曲轴组件、泵体组件、压缩机、空调器，通过深度变化的周向织构凹槽的设置，形成止推端面的周向波度，提高织构凹槽的动压效应，提升流体膜的承载能力，保证止推端面的润滑状态的稳定性。
织构曲轴组件弧段泵体组件润滑环压缩机止推端空调器承载能力润滑状态深度变化止推端面轴线设置流体膜曲轴轴波度动压递减环绕递增保证

[实用新型]曲轴组件、泵体组件、压缩机、空调器-CN201921383186.8有效
发明人：丁少鹏;史正良;刘鹏飞;关蕴奇 -专利权人：珠海格力节能环保制冷技术研究中心有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： F04C29/00 文献下载
摘要：其中曲轴组件，包括止推端面，所述止推端面上具有润滑环带，所述润滑环带环绕曲轴轴体的轴线设置，所述润滑环带内具有多个织构弧段，每个所述织构弧段内包括多个织构凹槽，由所述织构弧段两端边缘朝向所述织构弧段中央的方向，所述织构凹槽的深度递增或者递减。根据本实用新型的一种曲轴组件、泵体组件、压缩机、空调器，通过深度变化的周向织构凹槽的设置，形成止推端面的周向波度，提高织构凹槽的动压效应，提升流体膜的承载能力，保证止推端面的润滑状态的稳定性。
曲轴组件压缩机空调器

[发明专利]织构化玻璃上的多结构型薄膜硅太阳能电池-CN201180053229.6无效
发明人： J·贝拉特;K·W·科克三世;G·E·科恩克;S·马加诺维克;J·迈耶 -专利权人：康宁股份有限公司;东电电子太阳能股份公司
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明描述了太阳能电池或者所谓串联型太阳能模块，即光伏吸收器件在具有织构化表面的基材上的堆叠排列。薄膜太阳能电池具有包含织构化表面的基材以及包含与所述织构化表面相邻的透明导电氧化物的前电极层，其中电极层的厚度小于织构化表面的粗糙度。
织构化玻璃结构薄膜太阳能电池

[发明专利]一种具有表面微织构的粗糙表面参数表征方法-CN201810984786.3有效
发明人：朱春霞;方超;刘曦宏;邵永 -专利权人：沈阳建筑大学
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G01B21/18 文献下载
摘要：本发明提供一种具有表面微织构的粗糙表面参数表征方法，涉及摩擦学与表面工程技术领域。该方法包括：待加工器件的表面加工出具有一定粗糙度的粗糙表面；在粗糙表面加工出具有特定形貌特征的织构表面；对未形成织构区域的粗糙表面进行表征；根据粗糙表面上不同类型的织构区域，对形成织构区域的粗糙表面进行表征；对具有表面微织构的粗糙表面进行表征。本发明提供的一种具有表面微织构的粗糙表面参数表征方法，采用织构叠加的方法，不仅能表征单一粗糙表面，而且能够表征具有多种类型织构的表面，根据得到的粗糙表面参数对一些有特定需求的表面进行加工，使其能够满足实际应用中的需求
一种具有表面微织构粗糙参数表征方法

[发明专利]一种双轴织构的氧化镍缓冲层及其制备方法和应用-CN202310841606.7在审
发明人：雷黎;楼欣妍;张昭;赵高扬 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C8/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种双轴织构的氧化镍缓冲层及其制备方法和应用，涉及涂层导体制备技术领域。本发明提供的双轴织构的氧化镍缓冲层的制备方法，包括以下步骤：将镍合金在还原性气氛中进行再结晶退火处理，得到双轴织构化镍合金；将所述双轴织构化镍合金在氧化性气氛中进行氧化处理，得到双轴织构的氧化镍缓冲层。本发明利用可控氧化再结晶织构法制备氧化镍缓冲层，制备得到的氧化镍缓冲层具有良好的c轴取向，且表面粗糙度较低，具有良好的面内、面外生长织构。
一种双轴织构氧化缓冲及其制备方法应用

[发明专利]提高单向流体动压润滑效应的仿生织构表面及其制备方法-CN202011221796.5在审
发明人：侯启敏;杨学锋;王守仁;李万洋;肖居鹏;段德荣;乔阳;王高琦;温道胜;刘文涛 -专利权人：济南大学
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： B23K26/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高单向流体动压润滑效应的仿生织构表面及其制备方法。该方法分别仿照鲨鱼盾鳞和鲤鱼鳞片等特殊结构设计了V型和U型等织构类型，利用碳化硼粉末将试件在磨砂玻璃上研磨至光亮并进行抛光，将试件放在无水乙醇中浸泡，并用超声清洗器清洗，将抛光后的试样在表面粗糙度测量仪上测量粗糙度ra平均值达到0.05μm以内，处理完成后用飞秒激光器扫描出织构形貌。上述方法制备的仿生织构表面，随着润滑液单向流经织构时，液体在织构中所占空间逐渐减小，压力逐渐增大，织构收敛端会形成高压区，油膜压力升高，在摩擦副和油膜间形成单向动压润滑效果，从而实现耐磨和提高承载力的作用
提高单向流体润滑效应仿生表面及其制备方法

[发明专利]双面光电转换元件-CN201510920400.9在审
发明人：陈松裕;林钰璇;厉文中;杜政勋;黄崇杰;彭成瑜 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：半导体基板的第一表面具有第一织构化结构，而半导体基板的第二表面具有第二织构化结构。第一织构化结构的斜面切线与半导体基板的垂直入射线之间夹角为第一角度，而第二织构化结构的斜面切线与半导体基板的垂直入射线之间夹角为第二角度。第二角度大于第一角度，且第二角度大于等于80°并小于90°。
双面光电转换元件

[发明专利]一种织构化Ta/Ag宽温区自润滑涂层及其制备方法-CN201810930269.8有效
发明人：李建亮;张夏菲;王俊;李航;熊党生 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种织构化Ta/Ag宽温区自润滑涂层的制备方法，包括以下步骤：1)、基材的预处理；2)、溅射沉积Ta过渡层；3)、表面织构化处理：4)、溅射沉积Ag润滑相，得到织构化Ta/Ag宽温区自润滑涂层本发明的织构化Ta/Ag宽温区自润滑涂层的制备方法的激光织构化处理过程中，Ta涂层的热影响区小，化学性质稳定，孔边缘粗糙度低，低的粗糙度有助于润滑膜的铺展与润滑寿命的延长。Ta作为过渡层改善了基体与Ag润滑膜之间的结合能力，可起到优异的承载效果；织构微孔可在摩擦过程中存储银磨屑颗粒，延长表面润滑膜寿命；微孔的深度远大于Ta过渡层的厚度，这种贯穿过渡层的孔，可有效消除孔加工中的应力
一种织构化 ta ag 宽温区润滑涂层及其制备方法

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