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[发明专利]高流动性纯相二硼化钨及其制备方法-CN202211584803.7在审
发明人：张龙辉;徐国钻;杨诚辉;钟志强;周俊安;钟俊;傅雨;刘莉 -专利权人：崇义章源钨业股份有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C01B35/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高流动性纯相二硼化钨及其制备方法，该方法包括：(1)将钨粉、硼粉与磨球混合进行球磨，以便得到钨硼混合粉末；(2)在惰性气氛下，将钨硼混合粉末进行加压烧结，以便得到纯相二硼化钨粉末；(3)将纯相二硼化钨粉末进行自混；(4)将自混后的二硼化钨粉末进行筛分，以便得到高流动性纯相二硼化钨。该方法制备得到的二硼化钨物相单一，无其它杂相，同时流动性高。
流动性纯相二硼化钨及其制备方法

[发明专利]球形纯相二硼化钨的制备方法及其应用-CN202211584909.7在审
发明人：钟志强;徐国钻;张龙辉;杨诚辉;周俊安;钟俊;傅雨;刘莉 -专利权人：崇义章源钨业股份有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C01B35/04 文献下载
摘要：本发明公开了球形纯相二硼化钨的制备方法及其应用。其中制备方法包括：(1)将钨粉和硼粉进行混合，得到混合粉末；(2)在无氧气氛下对混合粉末进行加热加压处理，得到纯相二硼化钨；(3)对纯相二硼化钨进行自混处理，得到二硼化钨自混粉末；(4)对二硼化钨自混粉末进行球化处理，得到球形纯相二硼化钨。该方法不仅工艺简单，适合工业化生产，而且制备得到的二硼化钨物相单一，无其它杂相，且球形率高、流动性好、松装密度高，可满足增材制造的使用需求。
球形纯相二硼化钨制备方法及其应用

[发明专利]一种原位自生硼化钨强化CuW合金的方法-CN201910651094.1有效
发明人：杨晓红;赵伊鹏;邹军涛;梁淑华;肖鹏 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位自生硼化钨强化CuW合金的方法，将W粉、B粉以及诱导铜粉混合均匀，并压制成型，得到钨压坯；将钨压坯放入气氛烧结炉中烧结，获得钨骨架；将纯铜块放在钨骨架上方后放入铺有石墨纸的石墨坩埚内，在烧结炉中进行熔渗，即得到原位自生硼化钨强化CuW合金。本发明一种原位生成硼化钨强化CuW合金的方法，通过采用烧结‑熔渗法在CuW材料中原位生成陶瓷相W2B，由于低逸出功陶瓷相的存在使电弧得到有效分散，从而提高了CuW触头材料的耐电弧烧蚀性能，同时采用原位生成硼化钨强化CuW材料，避免了增强相的颗粒表面污染。
一种原位自生硼化钨强化 cuw 合金方法

[发明专利]一种三元系锇钨二硼化物硬质材料及其制备方法和应用-CN201710392193.3在审
发明人：龙莹;邹灿辉;郑鑫;莫杏源;林华泰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明属于无机非金属硬质材料领域，公开了一种三元系锇钨二硼化合物硬质材料的制备方法。采用机械化学法，利用高能球磨设备，以高纯锇(Os)、钨(W)、硼(B)粉为原料，在室温下合成锇钨二硼化物粉末；然后在氩气保护气氛下高温烧结，将合成的锇钨二硼化物粉末进行致密化烧结，得到三元系锇钨二硼化合物硬质材料该三元系锇钨二硼化合物硬质材料(Os1‑xWxB2)具有高致密、高硬度和高温稳定性。所制备的锇钨二硼化物材料可用于切削刀具和研磨等工业用途。
一种三元系锇钨二硼化物硬质材料及其制备方法应用

[发明专利]一种二硼化钨硬质材料及其制备方法和应用-CN201710393016.7有效
发明人：龙莹;郑鑫;邹灿辉;慕容匡;林华泰;张凤林;王成勇 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C01B35/04 文献下载
摘要：本发明属于无机非金属硬质材料，公开了一种二硼化钨硬质材料的制备方法，该方法首先采用机械化学法以高纯钨(W)粉和硼(B)粉为原料，在室温下合成二硼化钨粉末，然后在氩气保护气氛下，采用高温烧结将合成的粉末致密化，制成二硼化钨块体材料。该方法在常温常压的条件下，通过烧结可得到致密的二硼化钨块体材料。本发明制得的二硼化钨块体材料具有一定硬度、良好的稳定性和对中子具有良好的吸收效果等一系列优良性能。本发明制备的二硼化钨材料在耐腐蚀材料和切削刀具，以及新型屏蔽材料等领域中有着广泛的应用。
一种二硼化钨硬质材料及其制备方法应用

[发明专利]一种具有复合射线屏蔽性能的含硼钨基材料-CN202210546794.6在审
发明人：陈树群;刘晓艺;刘悦;魏建忠;马捷 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G21F1/06 文献下载
摘要：一种具有复合射线屏蔽性能的含硼钨基材料，属于屏蔽材料制备技术领域。该材料由纯钨基体经表面固相渗硼得到，单面硼化层的厚度约为20‑115um。
一种具有复合射线屏蔽性能含硼钨基材

[发明专利]靶及靶的生产方法-CN201980026624.1在审
发明人：皮特·波尔契克 -专利权人：普兰西复合材料有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种用于物理气相沉积的靶，所述靶具有以下化学成分：‑以下化合物中的至少两种化合物的混合物：二硼化钽(TaB2)和/或硼化钨(WB2和/或W2B5)和/或二硼化钽(TaB2)和硼化钨(WB二硼化钽(TaB2)和/或硼化钨(WB2和/或W2B5)和/或二硼化钽(TaB2)和硼化钨(WB2和/或W2B5)的混合相以外的硼化物，其中就金属纯度而言，二硼化钽(TaB2)和
生产方法

[发明专利]一种二元钨硼化物超硬材料的制备方法-CN201710736601.2有效
发明人：龙莹;郑鑫;邹灿辉;林华泰;王成勇 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： C01B35/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种二元钨硼化物超硬材料的制备方法，是采用机械合金法，利用高能球磨，在氩气保护气氛下，以高纯钨粉和硼粉为原料在室温下直接合成粉体状态的二硼化钨粉末，然后对合成的粉末进行热处理，制备得到四硼化钨材料
一种二元钨硼化物超硬材料制备方法

[发明专利]复合陶瓷组合物及其形成方法-CN201580074489.X有效
发明人： B·R·康韦;J·W·齐默尔曼 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2015-11-23 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C04B35/563 文献下载
摘要：一种包含碳化硼相的复合陶瓷组合物及其形成方法。复合陶瓷组合物包含硼化钨相、过渡金属硼化物相。复合陶瓷组合物还可包含布置在固溶体中的碳，其至少具有硼化钨相和过渡金属硼化物相。过渡金属硼化物相可包含选自Cr、Nb和Zr中的至少一种金属的硼化物。
复合陶瓷组合及其形成方法

[发明专利]高纯硼化钨的生产方法-CN201010606520.9无效
发明人：鲍迎全 -专利权人：鲍迎全
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C01B35/04 文献下载
摘要：高纯硼化钨的生产方法，它是将碳化硼50～55重量份、金属钨35～45重量份和含碳添加剂0～30重量份混合后，通过真空电阻炉在2000℃-2400℃的温度下电熔融冶炼4～5小时制得，所述含碳添加剂为木炭、它具有生产成本低且环保的优点，采用该方法加工生产的高纯硼化钨质量稳定，不易挥发氧化。
高纯硼化钨生产方法

[发明专利]一种三元钨钌硼化物陶瓷材料及其制备方法与应用-CN201910707597.6有效
发明人：龙莹;赵成材;林华泰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明属于无机非金属材料领域，具体涉及一种三元钨钌硼化物陶瓷材料及其制备方法与应用。所述的三元钨钌硼化物陶瓷材料的化学结构式为W1‑xRuxB2，其中0＜x＜1本发明首先采用机械化学法，以高纯钨、钌和硼粉为原料，合成钨钌硼化物粉末；然后采用烧结技术，将合成的粉末致密化，得到三元钨钌硼化物陶瓷材料。该三元钨钌硼化物陶瓷材料具有高硬度、高熔点、优良的耐磨性和加工性、等独特的物理化学性能，可用于切削刀具等工业用途。
一种三元钨钌硼化物陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]一种硼化钨钛基核屏蔽复合材料及其制备方法-CN202210191783.0在审
发明人：曹晓舟;刘剑波;薛向欣 -专利权人：东北大学
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C22C14/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硼化钨钛基核屏蔽复合材料及其制备方法，复合材料包括硼化钨和钛元素，且在硼化钨与钛界面有针状的硼化钛增强相。其制备方法是将将硼化钨粉体和含钛粉体混合，加入有机溶剂进行球磨混料，之后干燥，将干燥后的粉体放入石墨模具中，进行真空热压烧结得到致密的硼化钨钛基核屏蔽复合材料。本发明提供的硼化钨钛基核屏蔽复合材料的制备方法，在真空热压烧结过程中，钛会与硼化钨中的硼元素发生反应，在硼化钨于钛元素界面生成针状的硼化钛，在界面生成的硼化钛增强了硼化钨钛基复合材料的力学性能；其烧结温度低提供的硼化钨钛基核屏蔽复合材料，对于伽马射线和中子的屏蔽能力优于传统的铝基碳化硼/钨复合屏蔽材料。
一种硼化钨钛基核屏蔽复合材料及其制备方法

[发明专利]一种添加陶瓷相二硼化钛制备CuW合金的方法-CN201711443708.4在审
发明人：杨晓红;赵伊鹏;邹军涛;肖鹏;梁淑华 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： C22C1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种添加陶瓷相二硼化钛制备CuW合金的方法，首先将混合均匀的W粉、TiB₂粉和诱导铜粉压制成型，得到钨压坯；然后将钨压坯放入氢气气氛烧结炉中烧结，随炉冷却至室温，获得钨骨架；最后将纯铜块叠放于钨骨架上方，放入氢气气氛烧结炉中，熔渗烧结，随炉冷却至室温，获得添加陶瓷相TiB₂的CuW合金。本发明通过采用熔渗法在CuW材料中添加陶瓷相TiB₂，由于低逸出功陶瓷相的存在使电弧得到有效分散，从而提高了CuW触头材料的耐电弧烧蚀性能。
陶瓷相合金二硼化钛氢气气氛随炉冷却烧结烧结炉钨骨架钨压坯放入熔渗制备耐电弧烧蚀性能电弧触头材料有效分散逸出功纯铜叠放铜粉诱导

[发明专利]低氧化硼复合材料-CN200880013491.6无效
发明人： A·安德鲁斯;D·S·麦克拉克兰;I·西格拉斯;M·赫尔曼 -专利权人：六号元素（产品）（控股）公司
申请日： 2008-04-24 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供了包含低氧化硼和二次相的低氧化硼复合材料，其中所述二次相含有硼化物。所述硼化物可以选自周期表的第4至第8族的过渡金属的硼化物。特别地，所述硼化物可以选自铁、钴、镍、钛、钨、铪、钽、锆、铼、钼或铬的硼化物。所述硼化物还可以是铂族金属硼化物，优选是硼化钯。所述二次相还可含有一种或多种氧化物。
氧化复合材料

[发明专利]一种碲化钨-硼化钨异质结电催化剂及其制备方法和应用-CN202010412866.9有效
发明人：范修军;刘辉;李思殿 -专利权人：山西大学
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲化钨‑硼化钨异质结电催化剂及其制备方法和应用，目的是提供一种多孔的碲化钨和硼化钨异质结的多孔薄膜材料作为新型电催化剂，以便获得更强的水分解析氢电催化性能。技术方案是：一种碲化钨‑硼化钨异质结电催化剂，所述催化剂为以阳极氧化后的钨箔为模板和钨源，分别以碲粉为碲源，硼氧混化物粉末为固体硼源，先后通过两步化学气相沉积的方法制备而成的碲化钨与硼化钨两相异质结的纳米多孔薄膜本发明的碲化钨‑硼化钨异质结电催化剂具有优异的析氢电化学还原性能，其中异质结构使得碲化钨中电子向硼化钨转移，优化了碲化钨和硼化钨界面的局域电子结构，改善了其对氢的吸附能，使得其催化活性增强、析氢性能高度稳定等
一种碲化钨硼化钨异质结电催化剂及其制备方法应用

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