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[发明专利]一种纳米级高硅Y分子筛、及其制备方法和应用-CN202111521721.3在审
发明人：崔文浩;田鹏;王林英;朱大丽;刘中民 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C01B39/24 文献下载
摘要：本申请公开了一种纳米级高硅Y分子筛及其合成方法和应用。该纳米级高硅分子筛的硅铝比为5～25，其纳米级高硅Y分子筛的尺寸为10～100nm，并且纳米级高硅Y分子筛具有晶间介孔。该Y分子筛的合成方法包括先制备导向剂，然后将导向剂添加至合成体系中进行晶化以合成纳米级高硅Y型分子筛。另外，本申请提供了上述Y分子筛在例如异丙苯和三异丙苯中的催化裂化中的应用。
一种纳米级高硅分子筛及其制备方法应用

[实用新型]智能电压调节控制器-CN201220692720.5有效
发明人：李太兵 -专利权人：深圳市新能力科技有限公司
申请日： 2012-12-15 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： G05F1/46 文献下载
摘要：一种智能电压调节控制器，已解决现有技术存在控制方式复杂、器件多、成本高的问题。其特征在于：包括硅链控制器，所述的硅链控制器与七级硅链单元或者五级硅链单元连接，所述的七级硅链单元通过硅链控制器控制每一级3V或者5V的降压，所述的五级硅链单元通过硅链控制器控制每一级7V或者4V的降压采用本实用新型达到了一体化程度高，可靠性强，安装接线简单，降低成本的有意效果。
智能电压调节控制器

[发明专利]一种利用回收硅泥生产高纯硅的方法-CN202211117229.4在审
发明人：李风光 -专利权人：宁夏广臻兴升新材料有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本申请涉及一种利用回收硅泥生产高纯硅的方法，包括以下步骤：在硅泥中加入配置好的混合溶液，搅拌反应完成后过滤，得到混合物A；将混合物A加入氢氟酸液中进行酸洗，酸洗后使用高纯水进行清洗并烘干，得到硅粉；将硅粉加入电子束真空炉中熔炼提纯，得到硅锭；锯切硅锭的表面，硅锭的表面锯切去除后得到高纯硅锭。经检测，高纯硅锭的纯度可达99.9999%，达到电子级，远远超过现有技术中通过中频感应炉、电弧炉或电阻炉等熔炼回收硅泥所得到的硅锭纯度（纯度仅能够达到冶金级），可见，本申请公开的技术方案中，能够回收硅泥，且回收得到的高纯硅锭纯度能够达到电子级，纯度较高，极大地促进利用回收硅泥生产高纯硅的发展。
一种利用回收生产高纯方法

[发明专利]一种硅烷热分解生产纳米级高纯硅粉的装置及方法-CN201410159327.3有效
发明人：陈德伟;郑安雄;廖敏;张鹏飞 -专利权人：浙江中宁硅业有限公司
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： C01B33/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅烷热分解生产纳米级高纯硅粉的装置及方法。包括硅烷热分解系统、硅粉过滤收集系统及尾气回收处理系统，所述的硅烷分解系统包括反应气硅烷管线、反应气氢气管线、配比缓冲罐、硅烷管式反应器、尾气冷却器，硅粉过滤收集系统包括氢气反吹过滤器管线、一级硅粉过滤器、二级硅粉过滤器、一级硅粉收集仓、二级硅粉收集仓、真空泵、一级硅粉出口管线、二级硅粉出口管线，尾气回收处理系统包括尾气深冷器、压缩机、吸附塔、气液分离罐、气液分离罐液态硅烷出口管线、气液分离罐氢气出口管线本发明适用于工业纳米级高纯硅粉的生产，可有效收集粒径为30nm以上的硅粉，尾气全部回收使用，无污染排放，具有投资少、成本低等优势。
一种硅烷分解生产纳米高纯装置方法

[实用新型]硅烷热分解生产纳米级高纯硅粉的装置-CN201420193413.1有效
发明人：陈德伟;郑安雄;廖敏;张鹏飞 -专利权人：浙江中宁硅业有限公司
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： C01B33/027 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅烷热分解生产纳米级高纯硅粉的装置。包括硅烷热分解系统、硅粉过滤收集系统及尾气回收处理系统，所述的硅烷分解系统包括反应气硅烷管线、反应气氢气管线、配比缓冲罐、硅烷管式反应器、尾气冷却器，硅粉过滤收集系统包括氢气反吹过滤器管线、一级硅粉过滤器、二级硅粉过滤器、一级硅粉收集仓、二级硅粉收集仓、真空泵、一级硅粉出口管线、二级硅粉出口管线，尾气回收处理系统包括尾气深冷器、压缩机、吸附塔、气液分离罐、气液分离罐液态硅烷出口管线、气液分离罐氢气出口管线本实用新型适用于工业纳米级高纯硅粉的生产，可有效收集粒径为30nm以上的硅粉，尾气全部回收使用，无污染排放，具有投资少、成本低等优势。
硅烷分解生产纳米高纯装置

[发明专利]一种硅基微显示器片上灰度级扩展电路及实现方法-CN201510361899.4有效
发明人：耿卫东;刘艳艳;曾夕;张蕰千;郭嘉 -专利权人：南开大学
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：一种硅基微显示器片上灰度级扩展电路及实现方法。该硅基微显示器片上灰度级扩展电路，可用于硅基液晶微显示器(LCoS)、硅基OLED微显示器(OLEDoS)和其他硅基微显示器件等领域，用于硅基微显示器的片上集成数据驱动电路。本发明提供的硅基微显示器片上灰度级扩展电路，可以将N位数据输入线的硅基微显示器的灰度级最多扩展一倍，能够节省高灰度级硅基微显示器片上布线资源，降低成本，可用于要求高灰度级显示的可穿戴显示器。
一种硅基微显示器灰度扩展电路实现方法

[发明专利]一种纳米级晶体硅及其制备方法-CN201710947779.1在审
发明人：张宝顺;宗冰;丁小海;陈文胜;王体虎 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明涉及晶体硅制备技术领域，公开了一种纳米级晶体硅及其制备方法。纳米级晶体硅的制备方法包括将氯硅烷、硅烷等含硅气体混合氢气通入到等离子体发生器中，利用等离子体发生器的电磁场使混合气体形成等离子体，其具有较高的活性并发生反应，在等离子发生器中产生纳米级的硅颗粒。利用该方法制备纳米级晶体硅，由于硅颗粒是直接由等离子态的反应物反应生成，不经过破碎等工序，反应过程在等离子体发生器内，所以不易产生粉尘，也不易引入杂质。生产出的纳米级晶体硅纯度高、收率高，晶格缺陷少，性能优越。
一种纳米晶体及其制备方法

[发明专利]一种高α相氮化硅的制备方法-CN201410446973.8有效
发明人：张亚光;杜宁;张辉;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-09-04 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开一种高α相氮化硅的制备方法，包括以下步骤：首先将质量比为5～45:100的纳米级硅粉和微米级硅粉充分混合，得到硅粉原料；氮气气氛下，将所述的硅粉原料加热到800～1200℃，保温2～20h，再升温至本发明提供了一种高α相氮化硅的制备方法，通过在微米级硅粉中掺入纳米级硅粉，同时控制氮化温度，抑制硅粉的自烧结，进而获得了高含量的α相氮化硅；本制备方法工艺简单、性能可控，且生产周期短、极大地降低了生产能耗
一种氮化制备方法

[发明专利]一种制备太阳能电池级硅材料的方法-CN200610031434.3无效
发明人：唐谟堂;唐朝波;杨声海;何静;刘维;鲁君乐;姚维义 -专利权人：中南大学
申请日： 2006-03-30 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： C01B33/08 文献下载
摘要：一种制备太阳能电池级硅材料四氟化硅、二氧化硅及氟硅酸的方法，本发明采用植物硅源为原料，先将植物硅源焚烧成99％以上的二氧化硅，然后制成粗四氟化硅，经冷冻精馏提纯成太阳能电池级四氟化硅；也可以采用99％以上的石英矿作硅源在技术路线上，先将99％的二氧化硅湿法提纯成99.99％以上的二氧化硅，再与高纯氢氟酸作用制成太阳能电池级四氟化硅。太阳能电池级四氟化硅可直接用于镀多晶硅膜，制作太阳能电池，或还原、电解制成高纯硅；太阳能电池级二氧化硅可电解制成高纯硅，或制作其他高纯硅化合物；氟硅酸和二氧化硅的混合物保存使用方便、安全。
一种制备太阳能电池材料方法

[实用新型]一种线切冷却液回收系统-CN202120723882.X有效
发明人：李小兵;杨旭洲;丁辉;魏富增;张鑫;王少刚;贾瑞波;贾海东;沈飞;高小兵;曹政民;张中赛;李斌;李云磊;张利敏;赵成博;刘涛 -专利权人：中国矿业大学;天津市环智新能源技术有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种线切冷却液回收系统，包括：一级分离单元：用于将废冷却液中的硅粉分离，获得含有硅粉的复合物和脱硅冷却液；二级处理单元：用于将所述脱硅冷却液处理为可用的再生冷却液；二级分离单元：用于将所述复合物中的硅粉分离，最终获得硅粉泥；所述一级分离单元的输出端分别与所述二级处理单元和所述二级分离单元的输入端连通。本实用新型尤其适用于超薄硅单晶金刚线切片用冷却液的大通量再生处理和超细硅粉的高收率回收，结构设计合理且易于控制，可快速、高效且持续地处理废冷却液，获得导电率合格的再生冷却液和高纯超细硅粉，回收利用率高且回收效果好
一种冷却液回收系统

[发明专利]高纯粒状硅及其制造方法-CN200910261505.2有效
发明人： J·伊布拉希姆;M·G·艾维;T·D·特鲁昂 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2005-11-10 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及高纯粒状硅及其制造方法，公开了高纯半导体级粒状硅合成物及其制造方法。通过在第一化学气相沉积(CVD)反应器中在硅晶种上沉积硅，由此使晶种生长成较大的二级晶种，可以制造商业量的粒状硅。在第二CVD反应器中在二级晶种上沉积另外的硅。在第三反应器中减少粉尘。本文所公开的方法可实现比传统实践更高的生产量和更好的收率。
高纯粒状及其制造方法

[发明专利]一种白炭黑生产高硅废水零排放工艺及其系统-CN202010918379.X在审
发明人：傅立德;盛凡;陈伟;方树鹏 -专利权人：上海力脉环保设备有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C02F9/06 文献下载
摘要：本发明涉及废水处理工艺，具体为一种白炭黑生产高硅废水零排放工艺，其特征在于，包括以下步骤：1)采用电絮凝法去除pH为7.5～8.5的高硅废水中的离子硅和胶体硅，获得一级处理废水；2)采用除硅剂和助凝剂处理所述一级处理废水，获得二级处理废水；3)依次使用IMF超滤膜、纳滤膜和反渗透膜处理二级处理废水，获得清水。一种白炭黑生产高硅废水零排放系统，其特征在于：所述系统包括依次流体连通的电化学装置、高效分离器、IMF超滤膜池、超滤产水箱、纳滤装置、清液罐和反渗透装置。采用电化学+化学混凝+超滤+纳滤+反渗透+蒸发等处理工艺用于白炭黑生产高硅废水处理，可回收水资源，实现零排放。
一种炭黑生产废水排放工艺及其系统

[发明专利]高纯三氯氢硅的制备方法及装置-CN202211207232.5在审
发明人：张燕南;郭树虎;万烨;赵雄;赵宇;王磊;常欣;袁振军;王国元;张兴毅;郭克涛;郭武辉 -专利权人：洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司;中国有色工程有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提供一种高纯三氯氢硅的制备方法及装置，通过两级减压精馏即可获得电子级三氯氢硅。与现有技术提纯三氯氢硅相比，本发明通过仅需两级减压蒸馏即可达到常压三至五级精馏效果，获得电子级三氯氢硅的同时大大降低了能耗以及生产成本；通过两级减压精馏，明显提升了三氯氢硅产品的组分纯度，大幅度降低了B、P、Cu等金属痕量杂质的含量，获得适用于12寸硅片外延场景的三氯氢硅。
高纯三氯氢硅制备方法装置

[发明专利]一种熔盐电解法制备太阳级硅材料的方法-CN200710034619.4无效
发明人：赖延清;田忠良;张治安;李志友;刘芳洋;李劼;刘业翔 -专利权人：中南大学
申请日： 2007-03-26 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： C25B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳级多晶硅材料的制备方法，特别涉及采用“熔盐电解－三层液精炼－真空蒸馏”工艺制取太阳级多晶硅材料的方法。本发明首先以SiO₂或其它含硅化合物为原料，采用熔盐电解技术制取含硅合金Si－M1；以获得的含硅合金Si－M1为阳极，高纯金属M2为阴极，采用三层液熔盐电解精炼技术，制备高纯含硅合金Si－M2；最后采用真空蒸馏技术，由高纯含硅合金Si－M2制取太阳级多晶硅材料。
一种熔盐电解法制备太阳材料方法

[发明专利]一种三级研磨制备纳米硅的方法-CN202010012137.4在审
发明人：胡亮;张少波;张志权;李晓马;俞有康 -专利权人：马鞍山科达普锐能源科技有限公司;安徽科达铂锐能源科技有限公司;安徽科达新材料有限公司
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料制备领域，具体公开了一种三级研磨制备纳米硅的方法，包括：1)将高纯硅粉、溶剂和分散剂加入到一级砂磨机的分散罐中，进行预分散；将分散好的混合溶液导入一级砂磨机中进行一级研磨，得到纳米硅粒径D50＜1000nm的硅浆液；2)将一级研磨完成后的浆料导入到二级砂磨机进行二级研磨，得到纳米硅粒径D50＜100nm的硅浆液；3)将二级研磨完成后的浆料导入到三级砂磨机中进行三级研磨，得到纳米硅粒径D50＜50nm的硅浆液，干燥获得纳米硅粉；本发明和现有技术相比，该方法制备工艺简单，成本低廉，大幅提升了湿法研磨效率，降低纳米硅粒径，并保证硅浆液的均匀分散性和稳定性，适合产业化。
一种三级研磨制备纳米方法

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