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[发明专利]一种多离子门迁移管及多离子门压缩式控制方法-CN202011605803.1有效
发明人：尤兴志;邹成;熊礼平;李良宇;康泽;刘圣杰;黄启勇 -专利权人：中船重工安谱（湖北）仪器有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01J49/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多离子门迁移管及多离子门压缩式控制方法，多离子门迁移管自左至右依次为电离源、电离区、离子门区、迁移区和离子接收板；离子门区由三个离子门构成，从电离源指向离子接收板的方向，依次为离子门a、b、c，三个离子门分别安装在迁移管上连续的三个电极位置上；离子门有均匀、压缩和关门三种状态，压缩状态的离子团单位体积内的离子密度变大，形成的离子迁移谱的半峰宽变小，提高了离子迁移谱仪器的分辨力；同时关门状态下离子门c附近不存在传统BNG门清空区的影响，提高了离子迁移谱仪器的灵敏度。
一种离子迁移压缩控制方法

[发明专利]一种用于离子迁移管的对称式离子门控制方法-CN202011602032.0在审
发明人：黄启勇;邹成;李波;熊礼平;黎秋月;刘圣杰 -专利权人：中船重工安谱（湖北）仪器有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01J49/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于离子迁移管的对称式离子门控制方法，当离子门工作在开门状态时，离子门电压为迁移管轴向电场中的一极，离子在轴向电场的作用下顺利通过离子门；当离子门工作在关门状态时，离子门1、2两极会产生一个电压差，形成一个与轴向电场方向垂直的电场，使离子在通过离子门时发生偏移，无法顺利到达离子接收板，其中离子门1、2两极的电压是以离子门所在电极电压大小为中心正负偏移的，减小了离子门关门时与前后两极的电压差，从而降低了关门时，离子门局部电场不均匀所导致的离子信号强度减弱的影响，同时离子门关门时的电压差还可以很方便的调整，从而找到最佳的离子门工作电压，提高离子迁移谱仪器的灵敏度。
一种用于离子迁移对称门控方法

[实用新型]一种离子门-CN202220807170.0有效
发明人：王灿;李娟;陈桂坤;邵兰 -专利权人：昆明龙创新辉科技有限公司
申请日： 2022-04-09 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01J49/06 文献下载
摘要：本实用新型提出一种离子门，该离子门包括离子门固定框架、离子门IG‑A、绝缘环、离子门IG‑B和压盘，通过合理的配置TP型离子门的物理位置和极板电位，选择形成具有离子阻碍作用的关门电场分量，提高离子门的关门效率，控制电源取自高压，无需附加辅助电源；该离子门采用TP型结构，并且使用长方形的栅格，而非平行栅；分别采用开门和关门两个控制信号进行离子控制，有效压缩了通过离子门的离子子群厚度，消除了关门状态下传统BN门清空区的影响，提高了离子检测的分辨率，在不增加系统复杂性的情况下，在传统TP型离子门结构中提高了IMS仪器的主要性能指标，带来良好的效益。
一种离子

[发明专利]双极性离子迁移谱仪的离子门及方法-CN200810119974.6有效
发明人：彭华;张清军;林津;李元景;陈志强;毛绍基;代主得;曹士娉;张仲夏;张阳天;林德旭;王清华 -专利权人：同方威视技术股份有限公司;清华大学
申请日： 2008-10-20 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01J49/34 文献下载
摘要：公开了一种双极性IMS的离子门和方法，该离子门包括：离子源；第一门电极，设置在离子源的一侧；第二门电极，设置在离子源的另一侧；第三门电极，设置在第一门电极的远离离子源的那侧；第四门电极，设置在第二门电极的远离离子源的那侧；其中，在离子存储阶段，第一门电极在轴上相应位置的电位与离子源的电位和第三门电极的电位存在差异；第二门电极的电位与离子源的电位和第四门电极的电位存在差异。根据本发明，样品气体进入离子门后，在第一门电极和第二门电极之间与反应离子进行电荷交换，正负离子在电场的作用下，源源不断地被存储到相应的离子滞留区中，提高了离子的利用效率。采用简单地对组合电极进行控制的方法，将离子滞留区中的离子分步引出。
极性离子迁移方法

[发明专利]一种离子门及其控制方法-CN202210368509.6在审
发明人：王灿;李娟;陈桂坤;邵兰 -专利权人：昆明龙创新辉科技有限公司
申请日： 2022-04-09 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01J49/06 文献下载
摘要：本发明提出一种离子门及其控制方法，该离子门包括离子门固定框架、离子门IG‑A、绝缘环、离子门IG‑B和压盘，通过合理的配置TP型离子门的物理位置和极板电位，选择形成具有离子阻碍作用的关门电场分量，提高离子门的关门效率，控制电源取自高压，无需附加辅助电源；该离子门采用TP型结构，并且使用长方形的栅格，而非平行栅；分别采用开门和关门两个控制信号进行离子控制，有效压缩了通过离子门的离子子群厚度，消除了关门状态下传统BN门清空区的影响，提高了离子检测的分辨率，在不增加系统复杂性的情况下，在传统TP型离子门结构中提高了IMS仪器的主要性能指标，带来良好的效益。
一种离子及其控制方法

[实用新型]一种用于离子迁移谱仪的离子门、离子迁移管及离子迁移谱仪-CN202022661964.4有效
发明人：徐秀明 -专利权人：辽宁警察学院
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01J49/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于离子迁移谱仪的离子门、离子迁移管及离子迁移谱仪。该离子门由两个平行设置的Bradbury‑Nielsen型离子门构成，两个Bradbury‑Nielsen型离子门的电极所在的平面均与离子迁移方向相垂直，两平面间距保持为1～5mm；通过调控两个Bradbury‑Nielsen型离子门分别在开门、场压缩、关门状态之间周期变化，可以将两个Bradbury‑Nielsen型离子门之间存在的离子无歧视地注入离子迁移区，并在此过程中对所注入的离子团进行两级电场压缩，从而实现离子迁移谱仪对全迁移率K范围内离子的分辨能力和检测灵敏度的同时提高。与利用三个平行栅网电极实现离子无歧视注入的三态离子门相比，该离子门仅在两个平面内设置离子门电极，可有效降低离子通过离子门电极平面时碰撞电极造成的损失。
一种用于离子迁移

[发明专利]一种用于离子迁移谱仪的离子门及其控制方法-CN202011286953.0在审
发明人：徐秀明 -专利权人：辽宁警察学院
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01J49/06 文献下载
摘要：本发明公开一种用于离子迁移谱仪的离子门及其控制方法。该离子门由两个平行设置的Bradbury‑Nielsen型离子门构成；通过调控两个Bradbury‑Nielsen型离子门分别在开门、场压缩、关门状态之间周期变化，可以将两个Bradbury‑Nielsen型离子门之间存在的离子无歧视地注入离子迁移区，并在此过程中对所注入的离子团进行两级电场压缩，从而实现离子迁移谱仪对全迁移率K范围内离子的分辨能力和检测灵敏度的同时提高。与利用三个平行栅网电极实现离子无歧视注入的三态离子门相比，该离子门仅在两个平面内设置离子门电极，可有效降低离子通过离子门电极平面时碰撞电极造成的损失。
一种用于离子迁移及其控制方法

[发明专利]一种自动富集离子的离子门控制方法-CN202011329428.2有效
发明人：陈创;厉梅;蒋丹丹;肖瑶;李海洋 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01J49/00 文献下载
摘要：本发明公开一种自动富集离子的离子门控制方法，实现离子迁移谱检测灵敏度的提高。在离子门开门期间，两组门电极保持相同的电势，于离子迁移管内形成均匀初始电场；在离子门关门期间，升高其中一组门电极的电势，使其与电离区内紧邻离子门的环状电极保持相同电势，于电离区中形成沿离子源至离子门方向逐渐降低的离子富集电场；离子富集电场的强度低于初始电场的强度，电离源产生的离子向着离子门运动的过程中，离子数密度升高；离子门再起开启时，电离区内恢复初始电场，离子门前被富集离子的离子电流密度被增强，从而在同一离子门有效开门时间下获得更强的离子谱峰信号本发明无需对离子迁移管进行特殊改造，方法简单，普适性强。
一种自动富集离子门控方法

[发明专利]漂移时间离子迁移谱装置-CN201511032152.0有效
发明人：洪义;黄晓;於剑锋;谭国斌;朱辉;粘慧青 -专利权人：广州禾信分析仪器有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01J49/06 文献下载
摘要：一种漂移时间离子迁移谱装置，包括漂移管，所述漂移管包括：第一离子门、第二离子门以及出口栅网，通过控制所述第二离子门的状态，控制在所述第一离子门与所述第二离子门之间的前漂移区电迁移后的样品离子的状态，在所述第二离子门的状态为开启状态时，所述电迁移后的样品离子通过所述第二离子门进入所述第二离子门与所述出口栅网之间的后漂移区，并通过所述出口栅网到达检测器。本发明实施例通过双离子门的设置，可以简化谱图、提高谱图信噪比、还可去除反应离子的干扰，可以在各种功能之间方便地切换，有利于对物质进行更深入的研究。
漂移时间离子迁移装置

[发明专利]一种具有离子束缚功能的高灵敏离子迁移谱仪及方法-CN201711312704.2有效
发明人：夏磊;黄超群;沈成银;李爱悦;储焰南 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01J49/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有离子束缚功能的高灵敏离子迁移谱仪及方法，采用两层平行的金属栅网作为离子门，通过调控栅网的电压，实现离子门的开启与关闭。当离子门关闭时产生的离子会被束缚和储存在两片栅网之间，当离子门打开时，储存的离子被推入迁移区，随后被电荷探测器所检测。在离子迁移谱中，一个周期内，离子门关门时间是离子门打开时间的50‑100倍，即离子门关闭时间产生的离子的数目是离子门开门时间产生的离子数目的50‑100倍，本发明对离子门关闭时间产生的离子进行束缚、储存和检测，信号强度可提升1‑2个量级，可以显著提高离子迁移谱的灵敏度，提升离子迁移谱的性能。
一种具有离子束缚功能灵敏迁移方法

[发明专利]高离子引出效率的离子阱飞行时间质谱仪及其实现方法-CN201710098583.X在审
发明人：朱辉;黄晓;沈炜;黄建鹏;黄保;高伟;黄正旭 -专利权人：昆山禾信质谱技术有限公司;广州禾信仪器股份有限公司
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01J49/02 文献下载
摘要：本发明提供一种高离子引出效率的离子阱飞行时间质谱仪及其实现方法，其中，所述质谱仪包括离子阱以及飞行时间分析器；所述离子阱包括第一离子门、中间电极以及第二离子门，所述中间电极位于所述第一离子门和第二离子门之间，所述第一离子门形成离子入口，其上施加有直流偏置电压，所述第二离子门形成离子出口，其上施加有引出脉冲电压，所述飞行时间分析器设置于所述离子阱的下游，并接收自所述第二离子门中先后引出的离子段。本发明通过设置不同的推斥脉冲延时时间，可以扩大检测离子的质量范围。此外，由于不需要将离子重新填充离子阱及重复所有操作，可以有效的提高离子阱与飞行时间质量分析器耦合后的占空比。
离子引出效率飞行时间质谱仪及其实现方法

[实用新型]高离子引出效率的离子阱飞行时间质谱仪-CN201720163908.3有效
发明人：朱辉;黄晓;沈炜;黄建鹏;黄保;高伟;黄正旭 -专利权人：昆山禾信质谱技术有限公司;广州禾信仪器股份有限公司
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01J49/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高离子引出效率的离子阱飞行时间质谱仪，其中，所述质谱仪包括离子阱以及飞行时间分析器；所述离子阱包括第一离子门、中间电极以及第二离子门，所述中间电极位于所述第一离子门和第二离子门之间，所述第一离子门形成离子入口，其上施加有直流偏置电压，所述第二离子门形成离子出口，其上施加有引出脉冲电压，所述飞行时间分析器设置于所述离子阱的下游，并接收自所述第二离子门中先后引出的离子段。本实用新型通过设置不同的推斥脉冲延时时间，可以扩大检测离子的质量范围。此外，由于不需要将离子重新填充离子阱及重复所有操作，可以有效的提高离子阱与飞行时间质量分析器耦合后的占空比。
离子引出效率飞行时间质谱仪

[发明专利]量子D状态AC-Stark位移门-CN202010375430.7在审
发明人：迈克尔·西蒙兹·菲戈;乔纳森·塞德拉克;马克·加布里埃尔·考克什;克里斯托弗·尤金·兰格;约翰·帕格努奇·盖布勒;丹尼尔·托马斯·斯塔克;布莱斯·J·比约克;加哈姆·维多里尼;大卫·李·海耶斯 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：本发明题为“量子D状态AC‑Stark位移门”。本发明公开了一种量子计算D状态AC‑Stark位移门系统，该系统包括至少一个门操纵源和被捕集在离子捕集器中的一个或多个离子。至少一个门操纵源被配置为生成第一门操纵信号和第二门操纵信号。第一门操纵信号和第二门操纵信号在一组S状态和一组D状态之间耦合离子。第一门操纵信号和第二门操纵信号将力施加到一个或多个离子中的离子，力取决于离子的内部状态。第一门操纵信号和第二门操纵信号被配置为在不会明显地改变一组S状态内的离子的群体的情况下将离子的内部状态耦合到该离子的运动状态。
量子状态 ac stark 位移

[发明专利]敞开式离子化质谱的离子分离装置及方法-CN201711494162.5在审
发明人：闻路红;宁录胜;赵鹏;周峰;洪欢欢;胡舜迪 -专利权人：宁波华仪宁创智能科技有限公司
申请日： 2017-12-31 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本发明提供了一种敞开式离子化质谱的离子分离装置及方法，所述离子分离装置包括：绝缘管两端开口；第一格栅离子门设置在所述绝缘管内；第二格栅离子门设置在离子行进通道上所述第一格栅离子门的上游；电极，所述极设置在所述绝缘管内，且处于所述第一格栅离子门和第二格栅离子门之间；迁移环设置在所述绝缘管内，且处于所述离子行进通道上所述第一格栅离子门的下游；屏蔽栅，屏蔽栅设置在所述离子行进通道上所述迁移环的下游；气体依次穿过所述气体进口、屏蔽栅后进入绝缘管内；所述气体出口设置在处于所述第一格栅离子门和第二格栅离子门之间的绝缘管上。
离子门绝缘管第一格栅离子分离装置第二格栅行进通道屏蔽栅离子离子化质谱敞开式迁移背景干扰两端开口气体出口气体进口高分辨电极穿过上游

[实用新型]敞开式离子化质谱的离子分离装置-CN201721913775.3有效
发明人：闻路红;宁录胜;赵鹏;周峰;洪欢欢;胡舜迪 -专利权人：宁波华仪宁创智能科技有限公司
申请日： 2017-12-31 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种敞开式离子化质谱的离子分离装置，所述离子分离装置包括：绝缘管两端开口；第一格栅离子门设置在所述绝缘管内；第二格栅离子门设置在离子行进通道上所述第一格栅离子门的上游；电极，所述极设置在所述绝缘管内，且处于所述第一格栅离子门和第二格栅离子门之间；迁移环设置在所述绝缘管内，且处于所述离子行进通道上所述第一格栅离子门的下游；屏蔽栅，屏蔽栅设置在所述离子行进通道上所述迁移环的下游；气体依次穿过所述气体进口、屏蔽栅后进入绝缘管内；所述气体出口设置在处于所述第一格栅离子门和第二格栅离子门之间的绝缘管上。
离子门绝缘管第一格栅离子分离装置第二格栅行进通道屏蔽栅离子本实用新型离子化质谱敞开式迁移背景干扰两端开口气体出口气体进口高分辨电极穿过上游

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