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[实用新型]离子注入设备-CN201721040144.5有效
发明人：何川;洪俊华;张劲;陈炯;杨勇 -专利权人：上海凯世通半导体股份有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种离子注入设备，包括离子源、一与该真空腔相连通的掺杂气体供应装置、一氢气供应装置，和偏转元件，用于从至少部分束流中分离出掺杂源离子束流和氢离子束流；位于掺杂源离子束流传输路径上的掺杂源离子束流检测装置和/或位于氢离子束流传输路径上的氢离子束流检测装置，该掺杂源离子束流检测装置用于检测掺杂源离子束流的电流，该氢离子束流检测装置用于检测氢离子束流的电流。通过偏转，可以通过采样部分或者全部束流，从而得知束流中氢和掺杂源元素的比例，并且通过检测结果来调整气态掺杂源和/或氢气的供应量，由此获得较为理想的束流参数。
束流掺杂源氢离子离子束流检测装置离子注入设备传输路径氢气供应装置偏转本实用新型掺杂气体供应装置检测结果偏转元件供应量氢气离子源真空腔采样检测

[实用新型]离子注入设备-CN201721039656.X有效
发明人：何川;洪俊华;张劲;陈炯;杨勇 -专利权人：上海凯世通半导体股份有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种离子注入设备，包括离子源、一与该真空腔相连通的加热腔体、一氢气供应装置，和偏转元件，用于从至少部分束流中分离出掺杂源离子束流和氢离子束流；位于掺杂源离子束流传输路径上的掺杂源离子束流检测装置和/或位于氢离子束流传输路径上的氢离子束流检测装置，该掺杂源离子束流检测装置用于检测掺杂源离子束流的电流，该氢离子束流检测装置用于检测氢离子束流的电流。通过偏转，可以通过采样部分或者全部束流，从而得知束流中氢和掺杂源元素的比例，并且通过检测结果来调整掺杂源的升华温度和/或氢气的供应量，由此获得较为理想的束流参数。
离子注入设备

[实用新型]环状尖端空气药物离子流发生器-CN02247257.6无效
发明人： -专利权人：
申请日： 2002-08-19 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： H01T19/04 文献下载
摘要：一种环状尖端空气药物离子流发生器属于空气离子发生器。采用高电压环状尖端均匀放电的原理，产生环状空气离子流，形成负气压，药物分子逸出，随空气离子流一起运动到空间，同时获得电荷，形成空气药物离子流。正高电压产生正空气药物离子流；负高电压产生负空气药物离子流；不放药物，产生纯空气离子流。离子流强度0.5—200μA。常用范围2—15μA，不产生臭氧。
环状尖端空气药物离子发生器

[发明专利]离子注入设备及方法-CN201710712869.2在审
发明人：何川;洪俊华;张劲;陈炯;杨勇 -专利权人：上海凯世通半导体股份有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入设备及方法，该离子注入设备包括离子源、一与该真空腔相连通的加热腔体、一氢气供应装置，和偏转元件，用于从至少部分束流中分离出掺杂源离子束流和氢离子束流；位于掺杂源离子束流传输路径上的掺杂源离子束流检测装置和/或位于氢离子束流传输路径上的氢离子束流检测装置，该掺杂源离子束流检测装置用于检测掺杂源离子束流的电流，该氢离子束流检测装置用于检测氢离子束流的电流。通过偏转，可以通过采样部分或者全部束流，从而得知束流中氢和掺杂源元素的比例，并且通过检测结果来调整掺杂源的升华温度和/或氢气的供应量，由此获得较为理想的束流参数。
束流掺杂源氢离子离子束流检测装置离子注入设备传输路径氢气供应装置偏转加热腔体检测结果偏转元件供应量氢气离子源真空腔采样检测升华

[发明专利]离子注入设备及方法-CN201710712878.1在审
发明人：何川;洪俊华;张劲;陈炯;杨勇 -专利权人：上海凯世通半导体股份有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入设备及方法，该离子注入设备包括离子源、一与该真空腔相连通的掺杂气体供应装置、一氢气供应装置，和偏转元件，用于从至少部分束流中分离出掺杂源离子束流和氢离子束流；位于掺杂源离子束流传输路径上的掺杂源离子束流检测装置和/或位于氢离子束流传输路径上的氢离子束流检测装置，该掺杂源离子束流检测装置用于检测掺杂源离子束流的电流，该氢离子束流检测装置用于检测氢离子束流的电流。通过偏转，可以通过采样部分或者全部束流，从而得知束流中氢和掺杂源元素的比例，并且通过检测结果来调整气态掺杂源和/或氢气的供应量，由此获得较为理想的束流参数。
束流掺杂源氢离子离子束流检测装置离子注入设备传输路径氢气供应装置偏转掺杂气体供应装置检测结果偏转元件供应量氢气离子源真空腔采样检测

[发明专利]一种地电位离子流的防护法-CN200910273161.7无效
发明人：易辉;邵瑰玮;张丽华;胡霁;陈怡 -专利权人：国网电力科学研究院
申请日： 2009-12-09 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： H02G1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种地电位离子流的防护法，利用离子流采集面的导电性，将集聚在离子流采集面上的离子流通过与导体相连的接地导线，引入大地，从而起到对空间离子流的防护作用。接地导线的一端与离子流采集面相连，另一端接地，利用接地导线的导通性使得离子流采集面与大地等电位，集聚在离子流采集面表面的离子流就经由接地导线流入大地，从而起到离子流防护的作用。离子流采集面可以为金属导体，也可为绝缘材料，当为绝缘材料时，必须在上面涂刷导电膜，使其具有良好的导电性。本发明满足我国直流输电线路带电作业安全防护要求，适用于直流输电线路带电作业和线路巡检。
种地电位离子护法

[发明专利]真空电子器件内部真空度检测方法-CN202011386393.6有效
发明人：宋芳芳;王铁羊;牛付林;赵鹏 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01L21/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空电子器件内部真空度检测方法，包括：确定真空电子器件的加电方式和加电参数；将真空电子器件的标准样管与离子流测量系统连接；将标准样管进行抽真空，使标准样管内达到需要对标的真空度；测量标准样管在所对标的真空度下的阳极离子流；测试不同的对标真空度下的离子流，完成离子流与真空度对应关系的标定工作，得到离子流‑真空度标定表或离子流‑真空度量化模型；将真空电子器件的待测样管与离子流测量系统连接；测量待测样管的阳极离子流；对照离子流‑真空度标定表或将所测量的阳极离子流代入离子流‑真空度量化模型，获得待测样管的真空度。
真空电子器件内部检测方法

[发明专利]一种离子布植方法、装置及设备-CN202011198063.4有效
发明人：杨学人 -专利权人：泉芯集成电路制造（济南）有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子布植方法、装置及设备。该离子布植方法包括：提供带状离子束流；样片从带状离子束流的第一端旋转运动至带状离子束流的第二端时，控制带状离子束流对样片进行离子布植，其中带状离子束流的第一端指向第二端的方向为带状离子束流的延伸方向。本发明实施例提供的技术方案，在缩短样片离子布植时间的基础上，提高了样片表面离子掺杂的均匀度。
一种离子方法装置设备

[发明专利]交直流并行输电线路地面离子流密度测量系统及其测量方法-CN200810224018.4有效
发明人：王国利;曾嵘;陆国庆;李伟;韩伟强;张波 -专利权人：南方电网技术研究中心;清华大学
申请日： 2008-10-10 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： G01R19/08 文献下载
摘要：本发明涉及交直流并行输电线路地面离子流密度测量系统及其测量方法，属于高压输电线路电磁环境技术领域，该系统主要包括依次相连的离子流板，示波器和储存有离子流密度分析程序的计算机的三部分；该方法包括：读取离子流板校准数据；设置示波器采样频率；对采样数据进行频谱分析，搜索峰值频率；提取直流分量，计算离子流密度直流成分；进行谐波分析，计算离子流密度交流成分；存储离子流密度频谱。采用本发明成功地用交直流并行输电线路地面离子流密度测量系统对交直流输电线路地面离子流密度的直流和交流分量进行了测量。
直流并行输电线路地面离子密度测量系统及其测量方法

[发明专利]用空气等离子对导电性材料进行处理的方法及装置-CN01818229.1无效
发明人：帕维尔·阔利克;安纳托利·塞特切克;纳尔·穆森 -专利权人： APIT股份有限公司
申请日： 2001-11-12 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： H05H1/44 文献下载
摘要：本发明涉及用于处理由导电性材料制成的受处理物体的空气等离子方法，该方法包含由等离子发生器在受处理物体的受处理表面上产生等离子流，并且受处理物体与等离子发生器产生相对位移。至少一个等离子流为阴极流并且至少一个等离子流为阳极流，将阳极流施加于接近于阴极流的受处理表面的处理区域上。
空气离子对导电性材料进行处理方法装置

[发明专利]锂离子电池低温性能评估的测试方法-CN202210303110.X在审
发明人：万里鹏;陈述林;王珍珍;孙世敏;唐世弟;吴国强;徐鲲 -专利权人：东莞市振华新能源科技有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G01R31/378 文献下载
摘要：本发明涉及锂离子电池的技术领域，公开了锂离子电池低温性能评估的测试方法，设定锂离子电池循环充放电的低温温度，在低温温度时，对锂离子电池进行低温测试，低温测试包括低温恒压恒流充电测试、低温恒压变流充电测试以及低温恒流充电测试；低温恒压恒流充电测试过程中，保持恒压恒流对锂离子电池进行充电，直至锂离子电池满容量时，判断锂离子电池的恒定电压；低温恒压变流充电测试过程中，以锂离子电池的恒定电压对锂离子电池进行恒压充电，获得锂离子电池的充电电流峰值；低温恒流充电测试过程中，以充电电流低于充电电流峰值的恒流充电模式给锂离子电池充电，并对充电后的锂离子电池进行性能评估。
锂离子电池低温性能评估测试方法

[发明专利]一种浓差渗析装置-CN201010562553.8无效
发明人：赵玉明;徐雨芳;毕琴 -专利权人：南京大学
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： B01D61/28 文献下载
摘要：一种浓差渗析装置，如图1所示，它有料液流道3和接受剂流道4两个流道，两个流道内充填有离子交换树脂珠1，两个流道之间由与离子交换树脂珠相同类型的离子交换膜2相隔，例如：料液流道和接受剂流道中充填阳离子交换树脂，则两流道间以阳离子离子交换膜相隔；料液流道和接受剂流道中充填阴离子交换树脂，则两流道间以阴离子离子交换膜相隔，料液流道和接受剂流道分别有进口和出口，料液和接受剂可以是逆向流动。本发明的浓差渗析装置其渗析速度是未充填离子交换树脂珠装置的3-4倍。
一种渗析装置

[发明专利]气体分析装置和控制方法-CN202280012218.1在审
发明人：高桥直树 -专利权人： ATONARP株式会社
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：气体分析装置(1)具有：离子化装置(10)，其生成样本气体(9)的离子流(17)；分析仪(20)，其对从离子化装置供给的离子流进行分析；第一离子路径(41)，其将离子流从离子化装置非直线地引导到分析仪的入口；以及阻止装置(29)，其通过电场或磁场来间歇性地阻止和释放经由第一离子路径到达分析仪的滤质器(25)的离子流的路径的至少一部分路径中的离子流，该气体分析装置(1)能够在阻止了离子流的状态下进行测定以及在未阻止离子流的状态下进行测定
气体分析装置控制方法

[发明专利]以离子化气体流覆盖宽广面积-CN201080059356.2有效
发明人：彼得·格夫特;阿列克谢·克洛奇科夫;约翰·E·米尼尔 -专利权人：伊利诺斯工具制品有限公司
申请日： 2010-10-26 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01J3/14 文献下载
摘要：本发明披露一种具有气体传输通道的离子传递歧管，其用于接收离子化的气体流，及多个出口，其将气体流划分成多个中和气体流而引导向分别的多个目标区域。通过使用通过多个出口的不同离子的流速达成横跨目标区域的至少大致相等的离子分配。将多个中和流传递至分别的多个目标区域的方法包括以下步骤：接收离子化的气体流，将离子化的气体流划分成多个中和流，及将中和流引导向分别的目标区域。通过中和流的离子流速的差异达成横跨目标区域的至少大致相等的离子分配。
离子化气体覆盖宽广面积

[发明专利]一种气态靶中子源-CN201710078364.5有效
发明人：吴宜灿 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： G21G4/02 文献下载
摘要：本申请公开一种气态靶中子源，包括：离子注入系统、差分真空系统和气态靶，所述离子注入系统用于产生单束或多束平行离子束流，所述单束或多束平行离子束流的包络小于所述差分真空系统的内径，所述差分真空系统用于将所述离子束流传输至所述气态靶；所述气态靶中包括反应气体，所述反应气体与所述离子束流发生聚变反应，产生中子，由于本申请中所述离子注入系统能够产生单束或多束平行离子束流，每束所述离子束流的包络小于所述差分真空系统的内径，使得所述单束离子束流包络小于差分真空系统中各个管道或法兰内径，避免束流轰击管壁造成能量损失，从而提高了到达气态靶的离子束流的流强，进而能够提高中子源的源强。
离子束流真空系统束流离子注入系统平行离子中子源包络反应气体聚变反应能量损失法兰管壁源强轰击申请传输

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