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[发明专利]碳纳米管结构及其制备方法-CN201210135962.9有效
发明人：柳鹏;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管结构，其包括：一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列包括多个平行设置的第二碳纳米管；一碳纳米管层设置于该碳纳米管阵列的一侧，该碳纳米管层包括多个第一碳纳米管，该碳纳米管层与所述碳纳米管阵列中多个第二碳纳米管的一端接触；以及多个第三碳纳米管至少缠绕设置于所述碳纳米管层与碳纳米管阵列之间。本发明进一步提供一种上述碳纳米管结构的制备方法。
纳米结构及其制备方法

[发明专利]场发射装置-CN201210135961.4有效
发明人：柳鹏;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明提供一种场发射装置，其包括：一碳纳米管结构以及两个电极分别与该碳纳米管结构电连接，该碳纳米管结构进一步包括：一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列包括多个平行设置的第二碳纳米管；一碳纳米管层设置于该碳纳米管阵列的一侧，该碳纳米管层包括多个第一碳纳米管，该碳纳米管层与所述碳纳米管阵列中多个第二碳纳米管的一端接触；以及多个第三碳纳米管至少缠绕设置于所述碳纳米管层与碳纳米管阵列之间；两个电极分别与该碳纳米管结构电连接。
发射装置

[发明专利]黑体辐射源的制备方法-CN201811298948.4有效
发明人：王广;魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G01J5/52 文献下载
摘要：本发明提供一种黑体辐射源的制备方法，包括：提供一黑体辐射腔，一碳纳米管阵列以及一基底，该碳纳米管阵列设置在该基底上；在所述黑体辐射腔的内表面上涂覆一黑漆层；施加一压力于碳纳米管阵列的表面，使所述碳纳米管阵列中的碳纳米管倾倒于所述基底的表面形成一碳纳米管纸，并将该碳纳米管纸放置在黑漆层的表面；以及剥离所述基底，使所述碳纳米管纸中的碳纳米管与所述基底分离并粘结在所述黑漆层上，碳纳米管纸中的碳纳米管在基底和黑漆层的作用力下竖直排列形成所述碳纳米管阵列，进而将所述碳纳米管阵列转移到所述黑漆层上，碳纳米管阵列中的碳纳米管基本垂直于黑漆层的表面。
黑体辐射源制备方法

[发明专利]碳纳米管复合薄膜及其制备方法-CN200710077025.1有效
发明人：刘长洪;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2007-09-07 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管复合薄膜，该碳纳米管复合薄膜包括至少一碳纳米管层和至少一基体材料层。本发明还涉及一种碳纳米管复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列形成于一基底；将一基体材料层覆盖在上述的碳纳米管阵列上以得到一覆盖有基体材料层的碳纳米管阵列，以及挤压上述覆盖有基体材料层的碳纳米管阵列，从而得到一碳纳米管复合薄膜。上述挤压覆盖有基体材料层的碳纳米管阵列的过程是通过一施压装置进行的，因此其制备方法较为简单。且，该制备方法可控制碳纳米管复合薄膜中碳纳米管为各向同性或沿一个固定方向取向或不同方向取向排列。再有，制备的碳纳米管复合薄膜中碳纳米管分散均匀，使得该碳纳米管复合薄膜具有较好的机械强度和韧性。
纳米复合薄膜及其制备方法

[发明专利]碳纳米管阵列的转移方法-CN201811298950.1有效
发明人：王广;魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管阵列的转移方法，包括：提供一碳纳米管阵列、第一基底以及一第二基底，该碳纳米管阵列位于第一基底的表面，所述碳纳米管阵列包括多个碳纳米管垂直于第一基底的表面，该第二基底的表面具有一粘结层；施加一压力于碳纳米管阵列的表面，使所述碳纳米管阵列中的碳纳米管倾倒于第一基底的表面形成一碳纳米管纸；将所述第二基底放置在所述碳纳米管纸的表面；以及剥离该第二基底，使所述碳纳米管纸中的碳纳米管与所述第一基底分离粘结在所述第二基底的粘结层上，进而将所述碳纳米管阵列转移到所述第二基底上，碳纳米管阵列中的碳纳米管基本垂直于第二基底的表面。
纳米阵列转移方法

[发明专利]碳纳米管场发射体及其制备方法-CN200510101025.1在审
发明人：柳鹏;姜开利;刘锴;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2005-11-04 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管场发射体及其制备方法，该制备方法包括步骤：提供一碳纳米管阵列，其生长在一基体上，该碳纳米管阵列包括与基体接触的根部及相对远离基体的顶部；提供一阴极基底，其包括基底本体及形成在该基底本体上的粘结剂层；将该碳纳米管阵列的顶部与粘结剂层接触，使碳纳米管阵列与阴极基底形成电接触；固化该粘结剂层，使该碳纳米管阵列与该阴极基底结合牢固；去除该基体以露出该碳纳米管阵列的根部，以获得一碳纳米管场发射体。本发明通过将碳纳米管阵列反粘在阴极基底上，以使碳纳米管阵列的位于同一平面的根部作为碳纳米管场发射体的发射端，其制备工艺简单、成本低，且碳纳米管场发射体具有较佳场发射均匀性。
纳米发射及其制备方法

[发明专利]微型散热器-CN200910263391.5无效
发明人：尚金堂;陈波寅;张迪;徐超;黄庆安 -专利权人：东南大学
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开一种微型散热器，包括碳纳米管阵列层、金属锚区层，与碳纳米管垂直的碳纳米管阵列端面与金属锚区相接触，在金属锚区与碳纳米管接触的表面设有与碳纳米管阵列端面润湿的金属浸润层。所述金属浸润层与碳纳米管阵列之间反应形成金属碳化物。本发明通过在金属浸润层与碳纳米管之间反应形成金属碳化物，从而使得金属浸润层与碳纳米管之间具有更好的过渡晶体结构，与润湿状态的金属浸润层与碳纳米管之间的界面相比，能够进而进一步降低声子和电子等热载流子的散射，从而进一步降低碳纳米管与热源之间的接触热阻。
微型散热器

[实用新型]一种真空蒸馏膜、真空蒸馏膜组件及水处理设备-CN202220416173.1有效
发明人：李昆洲 -专利权人：上海特瑞思材料科技有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： B01D3/10 文献下载
摘要：真空蒸馏膜包括碳纳米管阵列层，其中，碳纳米管阵列层位于支持层上；碳纳米管阵列层包括多个碳纳米管，其中，多个碳纳米管的长度所在的方向垂直于支持层所在的平面。
一种真空蒸馏组件水处理设备

[发明专利]碳纳米管阵列传感器及其制备方法-CN200910105489.8有效
发明人：姚湲 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2009-02-20 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：一种碳纳米管阵列传感器，其包括：一第一电极；一第二电极；一设置于第一电极与第二电极之间的碳纳米管阵列，所述碳纳米管阵列包括多个碳纳米管，且所述碳纳米管阵列包括第一端和与该第一端相背的一第二端；至少一第一导电金属层，该第一电极与碳纳米管阵列的第一端通过该第一导电金属层电连接；至少一第二导电金属层，该第二电极与碳纳米管阵列的第二端通过该第二导电金属层电连接；其中，该碳纳米管阵列的第一端沉积有一第一亲金属层，该第一亲金属层与上述第一导电金属层接触并电连接，该碳纳米管阵列的第二端沉积有第二亲金属层，该第二亲金属层与上述第二导电金属层接触并电连接。
纳米阵列传感器及其制备方法

[发明专利]碳纳米管导热片及其制备方法-CN202010968147.5有效
发明人：李承献;邓飞 -专利权人：深圳烯湾科技有限公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C09K5/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管导热片及其制备方法，该碳纳米管导热片包括碳纳米管阵列、过渡层和浸润层，碳纳米管阵列具有多根定向排列的碳纳米管，碳纳米管具有端面，碳纳米管阵列中的碳纳米管的面密度为55g/m2～165g/m2；过渡层位于端面上，过渡层的材料选自Au、Ti及Pt中的至少一种；浸润层位于过渡层上，浸润层的材料是熔点为29.8上述碳纳米管导热片具有良好的导热性能。
纳米导热及其制备方法

[发明专利]一种离子中和器装置及其制备方法-CN201811654080.7有效
发明人：孙雷蒙;涂良成;王玉容;宋培义;匡双阳;肖东阳 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：本发明公开一种离子中和器装置及其制备方法，包括：阴极衬底、碳纳米管阵列、金属纳米颗粒、绝缘层以及金属栅网电极；所述碳纳米管阵列沉积在阴极衬底，所述金属纳米颗粒分散在碳纳米管阵列上，均匀修饰所述碳纳米管阵列，成为碳纳米管阵列阴极；所述绝缘层位于所述阴极衬底表面，所述绝缘层为中空的，所述碳纳米管阵列阴极位于绝缘层中空部分；所述金属栅网电极为镂空结构，所述碳纳米管的阵列与金属栅网电极的镂空位置对准，形成三明治结构，确保所述碳纳米管的阵列阴极、金属栅网电极以及绝缘层三者互不导通。本发明降低碳纳米管和衬底间的接触电阻，减少器件的热效应和整体功耗改善中和器的工作寿命和可靠性。
一种离子中和装置及其制备方法

[实用新型]微型散热器-CN200920283488.8无效
发明人：尚金堂;陈波寅;张迪;徐超;黄庆安 -专利权人：东南大学
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开一种微型散热器，包括碳纳米管阵列、金属锚区，与碳纳米管垂直的碳纳米管阵列端面与金属锚区相接触，在金属锚区与碳纳米管接触的表面设有与碳纳米管阵列端面润湿的金属浸润层。所述金属浸润层与碳纳米管阵列之间反应形成金属碳化物。本实用新型通过在金属浸润层与碳纳米管之间反应形成金属碳化物，从而使得金属浸润层与碳纳米管之间具有更好的过渡晶体结构，与润湿状态的金属浸润层与碳纳米管之间的界面相比，能够进而进一步降低声子和电子等热载流子的散射，从而进一步降低碳纳米管与热源之间的接触热阻。
微型散热器

[发明专利]一种碳纳米管阵列/层状材料复合物及其制备方法-CN200710118931.1有效
发明人：魏飞;张强;赵梦强;骞伟中;王垚;罗国华 -专利权人：清华大学
申请日： 2007-06-15 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： B32B33/00 文献下载
摘要：一种碳纳米管阵列/层状材料复合物及其制备方法，该复合物由碳纳米管阵列和层状材料组成，碳纳米管阵列分布在层状材料的片层之间。其制备方法是以层状材料为催化剂载体，在其片层之间负载催化剂活性组分形成催化剂，通过化学气相沉积过程，在片层之间生长碳纳米管阵列，获得碳纳米管阵列/层状材料复合物。本发明丰富了碳纳米管聚团结构的种类，且该方法容易工程放大，实现批量生产，推进碳纳米管的应用研究。
一种纳米阵列层状材料复合物及其制备方法

[发明专利]碳纳米管场发射体及其制备方法-CN201910642109.8有效
发明人：柳鹏;周段亮;张春海;潜力;王昱权;郭雪伟;马丽永;王福军;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管场发射体的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列；热处理所述碳纳米管阵列形成石墨化的碳纳米管阵列；提供一阴极基底，在该阴极基底的表面形成导电粘结剂层；将所述石墨化的碳纳米管阵列的一端与所述导电粘结剂层接触，并固化所述导电粘结剂层，使该石墨化的碳纳米管阵列固定在所述阴极基底上。另外，本发明还涉及一种碳纳米管场发射体。
纳米发射及其制备方法

[发明专利]散热界面材料的制备方法、使用方法及制备装置-CN200910263392.X无效
发明人：尚金堂;张迪;陈波寅;徐超;黄庆安 -专利权人：东南大学
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： C09K5/06 文献下载
摘要：本发明公开一种散热界面材料的制备方法，包括以下步骤：第一步，在生长片上制备定向排列的碳纳米管阵列，第二步，在碳纳米管的自由端部先后沉积金属浸润层和金属过渡层，第三步，转移碳纳米管阵列，使得碳纳米管阵列与生长片接触的生长片端面暴露出来，第四步，在碳纳米管阵列生长片端面沉积与前述相同的金属浸润层和金属过渡层，从而得到两个端面均沉积金属的碳纳米管阵列，第五步，在碳纳米管阵列之间填充低熔点金属，且使碳纳米管阵列填充于低熔点金属之中，凝固后获得散热界面材料本发明通过在金属浸润层与碳纳米管之间反应形成金属碳化物，进一步降低碳纳米管与热源之间的接触热阻。
散热界面材料制备方法使用方法装置

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