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[发明专利]一种基于双层硅棒阵列结构的高效率宽波段圆检偏器-CN202110800158.7在审
发明人：彭康准;姜欢;张辉;赵韦人 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双层硅棒阵列结构的高效率宽波段圆检偏器，包括基底层，设于基底层内的内硅棒，以及设于基底层外部的外硅棒；内硅棒和外硅棒设为多个，且均设为周期性阵列结构；外硅棒与相对应位置的内硅棒之间具有间隙本发明采用双层硅棒的周期性阵列结构能在左旋和右旋圆偏振光的激发下，双层硅棒的周期性阵列结构能产生了不同程度的电偶极子与磁偶极子共振模式，从而左旋和右旋圆偏振光的透射率和反射率不同，因此能够直接通过反射光或透射光的光强判断入射光的偏振态在双层硅棒阵列中，内硅棒相对于外硅棒的旋转角度决定了该检偏器选择性透射哪种圆偏振光，达到在较宽波段范围内识别左旋或右旋圆偏振光的目的。
一种基于双层阵列结构高效率波段圆检偏器

[发明专利]硅磊晶晶圆及硅磊晶晶圆的制造方法-CN201480024949.3有效
发明人：樱田昌弘 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明是一种硅磊晶晶圆及其制造方法，该硅磊晶晶圆在对如下单晶硅棒进行切割而制造的硅基板(10)上，具有第二中间磊晶层(22)和掺杂有掺杂剂的第一中间磊晶层(21)，在该第一中间磊晶层(21)上层叠有作为组件形成区域的磊晶层(30)，该单晶硅棒是通过CZ法而培育成的碳浓度为3×1016atoms/cm3～2×1017atoms/cm3的单晶硅棒。由此，本发明提供如下硅磊晶晶圆及硅磊晶晶圆的制造方法，该硅磊晶晶圆用于内存、逻辑电路或固态摄影元件等半导体组件基板，并以掺杂有碳的硅基板为原材料，且工业性优异。
硅磊晶晶圆制造方法

[发明专利]一种碳硅棒外圆打磨装置-CN201711333899.9在审
发明人：程丝雨;周剑峰 -专利权人：河南科睿机械工程研究服务有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： B24B21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳硅棒外圆打磨装置，包括打磨平台、支撑架和工作电源，所述打磨平台底部左右两侧分别安装有支撑杆A和支撑杆B，所述打磨平台前侧设有滑槽A，所述滑槽A内侧安装有滑钮，所述支撑杆A左侧安装有工作电源本发明结构简单，便于实现，利用缓冲弹簧A和缓冲弹簧B可以有效的保护碳硅棒，确保打磨装置始终保持一个较低的振动，利用支撑主架和支撑副架可以有效的固定不同大小的碳硅棒，保证了碳硅棒的安全性和便捷性。
一种碳硅棒外圆打磨装置

[实用新型]一种单晶硅方棒外圆磨削装置-CN202020626086.X有效
发明人：匡文军;梁志慧;蔺永生;贡艺强;王青春;王慧慧;邢玉军 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： B24B9/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单晶硅方棒外圆磨削装置，包括工作台，在所述工作台上设有用于卡固硅方棒的顶固组件和用于磨削所述硅方棒外圆的磨削组件，所述磨削组件可沿所述硅方棒宽度方向移动并与所述硅方棒对角棱线接触；所述顶固组件带动所述硅方棒在所述工作台上沿所述硅方棒长度方向往复移动，同时所述顶固组件带动所述硅方棒以所述硅方棒与所述磨削组件接触的连接线为轴线做往复转动。本实用新型提出的磨削装置，解决了现有技术中硅方棒倒角加工容易生产偏角弧形结构的技术问题，结构简单且易于控制，制造精度高，获得硅方棒外圆倒角一致性好且均匀对称。
一种单晶硅方棒外圆磨削装置

[实用新型]一种用于样气中汞离子的高温裂解转换装置-CN201920383221.X有效
发明人：王军敏;尹宏清;尹宏彦;刘世胜 -专利权人：南京嘉臣睿思软件科技有限公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： F27B17/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于样气中汞离子的高温裂解转换装置，绝缘刚玉套在双螺旋碳硅加热棒外，受热气管套在绝缘刚玉外表，在受热气管与双螺旋碳硅加热棒之间隔以绝缘座；在双螺旋碳硅加热棒的头部内腔安装保温塞，在出气口附近安装温度传感器；在双螺旋碳硅加热棒的头部的接线柱连接电线；受热气管的外表包裹保温棉，保温棉外罩以保温外壳。本实用新型采用双螺旋碳硅发热棒作为发热源，避免了普通碳硅发热棒的体型过长过大导致高温加热炉的体型巨大的缺点；并且其寿命长，避免了需要时常更换的弊端。
碳硅双螺旋加热棒受热气管本实用新型保温棉发热棒体型刚玉套在绝缘高温加热炉温度传感器保温外壳高温裂解连接电线头部内腔外表包裹转换装置保温塞出气口发热源汞离子接线柱绝缘座外罩样气

[发明专利]一种氧化锆陶瓷材料的脱脂尾气处理装置-CN202010451193.8在审
发明人：吕文强;张勇;卢旭明;顾兵;汪永涛 -专利权人：合肥高歌热处理应用技术有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： B01D53/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锆陶瓷材料的脱脂尾气处理装置，属于尾气处理技术领域，包括：底部设置有四个支撑脚的外框架，外框架为镂空结构，外框架设置有五个端面；设置在外框架底部的圆形处理管道，且圆形处理管道的另一端延伸至外框架内并与外框架的上内壁接触；开设在外框架顶部的出气口，且出气口与圆形处理管道连通；设置在外框架内的加热机构，加热机构包括：设置在圆形处理管道内的多组碳硅棒加热杆，且多组碳硅棒加热杆自上而下等距设置，每组碳硅棒加热杆的数量均为三个，且三个碳硅棒加热杆自左向右等距设置；设置在外框架上下内壁之间的保温管，本发明基于热裂解原理实现对尾气的高效加热，加热效果明显，尾气处理效果佳，效率高。
一种氧化锆陶瓷材料脱脂尾气处理装置

[实用新型]一种箱式电阻炉-CN201820697531.4有效
发明人：黄子衿;黄中夯;李川;王斌;黄中幸;付婷婷 -专利权人：四川鸿进达卫生技术服务有限公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： F27B17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种箱式电阻炉，所述碳硅棒的底部插接在第一插槽的内部，所述碳硅棒的外部均套装有第一不锈钢保护网层，所述第一不锈钢保护网层的底部插接在第二插槽的内部，所述第一不锈钢保护网层的内壁顶部开设有第三插槽，所述碳硅棒的顶部插接在第三插槽的内部，所述矩形箱的中部上方通过支架固定安装有电机，所述轴承的内部焊接有圆杆，所述圆杆的上端与电机的输出轴的下端转动连接，所述圆杆的底部外壁安装有扇叶；该箱式电阻炉，使得矩形箱内部的空气循环流动
矩形箱插槽不锈钢保护网箱式电阻炉碳硅棒插接圆杆电机空气循环流动本实用新型底部外壁加热效率均匀加热内壁顶部内部焊接支架固定转动连接输出轴上端扇叶下端轴承对流外部

[发明专利]硅棒切割系统的上下料装置及硅棒切割系统-CN202111285320.2在审
发明人：赵晓;候胜恩;刘克村;范昌琨;周聪;宋培林 -专利权人：青岛高测科技股份有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种硅棒切割系统的上下料装置及硅棒切割系统。上下料装置，包括：L形的圆棒上料架；上下料支撑框架，所述圆棒上料架和所述上下料支撑框架转动连接；上料翻转驱动装置，分别与上下料支撑框架的底部和所述圆棒上料架的外底固定，所述上料翻转驱动装置用于带动所述圆棒上料架自所述圆棒上料架的初始位置翻转90度；上料处理单元，用于控制上料翻转驱动装置以控制所述圆棒上料架先加速翻转，在所述圆棒上料架翻转到达预设角度时，降低所述圆棒上料架的翻转速度直至翻转到90度。硅棒切割系统包括上述上下料装置。本申请实施例在上料时对硅棒的冲击较小。
切割系统上下装置

[发明专利]一种单晶硅方棒外圆磨削方法-CN202010328323.9在审
发明人：匡文军;梁志慧;蔺永生;贡艺强;王青春;王慧慧;邢玉军 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： B24B9/16 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅方棒外圆磨削方法，步骤包括：粗磨：执行粗砂轮对硅方棒的棱线进行粗磨，所述硅方棒以设定速度沿其轴线移动；精磨：执行精砂轮对所述棱线进行精磨，所述硅方棒以设定速度沿其轴线移动，并以设定转速沿所述棱线与所述精砂轮接触的连接线为中心线做循环往复转动本发明提出的磨削方法，解决了现有技术中硅方棒倒角加工容易生产偏角弧形结构的技术问题，制造精度高，获得硅方棒外圆倒角一致性好且均匀对称。
一种单晶硅方棒外圆磨削方法

[发明专利]节能环保电热煎饼机-CN200810235953.0无效
发明人：闫子玲 -专利权人：闫子玲
申请日： 2008-11-19 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： A21B5/03 文献下载
摘要：节能环保煎饼机的金属滚筒内设置发热效率较高的硅碳硅棒硅碳硅棒的电源连接在全铜电刷上，全铜电刷的电源连接在电源上，电源通过全铜电刷传递到金属滚筒内的硅碳硅棒上，使硅碳硅棒发热产生热量，硅碳硅棒发热产生的热量传到金属滚筒上，使金属滚筒变热而加工煎饼，硅碳硅棒发热产生的热量由保温材料硅酸铝岩棉保护热量不外泄。
节能环保电热煎饼

[实用新型]节能环保电热煎饼机-CN200820216168.6无效
发明人：闫子玲 -专利权人：闫子玲
申请日： 2008-11-19 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： A21B5/03 文献下载
摘要：节能环保煎饼机的金属滚筒内设置发热效率较高的硅碳硅棒，硅碳硅棒的电源连接在全铜电刷上，全铜电刷的电源连接在电源上，电源通过全铜电刷传递到金属滚筒内的硅碳硅棒上，使硅碳硅棒发热产生热量，硅碳硅棒发热产生的热量传到金属滚筒上，使金属滚筒变热而加工煎饼，硅碳硅棒发热产生的热量由保温材料硅酸铝岩棉保护热量不外泄。
节能环保电热煎饼

[发明专利]一种类夹心棒硅碳负极材料及其制备方法-CN201910263463.X在审
发明人：田军;李国敏 -专利权人：深圳格林德能源集团有限公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种类夹心棒硅碳负极材料及其制备方法，所述的硅碳负极材料形状类似夹心棒，从内至外由碳纳米管层、硅层、聚多巴胺碳层、石墨烯层组成，其制备方法包括以下步骤：S1：碳纳米管/二氧化硅复合物的制备；S2：碳纳米管/硅复合物的制备；S3：碳纳米管/硅/聚多巴胺复合物的制备；S4：碳纳米管/硅/聚多巴胺/氧化石墨烯复合物的制备；S5：类夹心棒硅碳负极材料的制备。本发明的类夹心棒硅碳负极材料可有效抑制SEI膜的过度生长，提高库伦效率，同时可显著提高材料的导电性，改善硅负极材料的体积膨胀以及防止硅层暴露在电解液中而被粉化，提高锂离子电池的循环性能及能量密度。
种类夹心棒硅碳负极材料及其制备方法

[发明专利]一种金刚石砂带、快速磨削单晶硅棒外圆装置和快速磨削单晶硅棒外圆的方法-CN201910698423.8在审
发明人：王占锋;安建立;冼国强;范维 -专利权人：王占锋;安建立;冼国强;范维
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： B24D11/00 文献下载
摘要：本发明还公开了使用上述金刚石砂带的快速磨削单晶硅棒外圆装置，包括机架，所述机架上设有一个以上所述的金刚石砂带，所述金刚石砂带为环状且高速转动；所述机架上还设有支撑单晶硅棒并使单晶硅棒轴向移动的内导轮和外导轮，所述内导轮和外导轮均与机架转动连接。本发明还公开了使用金刚石砂带的快速磨削单晶硅棒外圆装置快速磨削单晶硅棒外圆的方法。
单晶硅棒金刚石砂带磨削外圆盲孔模具金刚石粉料树脂结合剂内导轮导轮高速转动机架转动脱模成型纤维基布轴向移动附着加温制作加压雕刻支撑

[发明专利]一种生产方硅芯的方法-CN201510525356.1在审
发明人：林会社;郭艳旗;卢从辉 -专利权人：河南协鑫光伏科技有限公司
申请日： 2015-08-25 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种生产方硅芯的方法，取原生多晶硅、原生棒料、碳头料、头尾料、碎多晶、边皮料与颗粒硅混合；将所投物料加热熔融，化料结束后，杂质挥发时间为2.5~3.5h；然后进行拉晶，引晶温度保持在1225~1325℃之间；埚位为15~82mm之间；控制引晶直径的范围4~6mm，引晶长度为120~180mm；头部拉速保持在0.88~0.95mm/min之间，然后进行放肩、等晶、收尾工序；切割方硅芯。使用本发明提供的生产方硅芯的方法，通过科学合理的生产工艺，不但使方硅芯隐裂率由之前的4~5%降低为1.5~2%，而且大大降低了拉晶后硅芯圆棒中的多晶硅芯圆棒比例，整根单晶硅芯圆棒的比例由之前的4%提升为
一种生产方硅芯方法

[实用新型]一种单晶硅棒的储存装置-CN201120102401.X无效
发明人：朱仲宝;夏伟 -专利权人：江苏宝佳太阳能发展有限公司
申请日： 2011-04-11 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： B65D81/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单晶硅棒的储存装置，属于单晶硅技术领域。该单晶硅棒的储存装置包括存放单晶硅棒的筒体及连接在筒体下端口的底板，筒体的上端口两侧焊接有把手，筒体的外周包覆有保温层，保温层的外周设有外壳体，外壳体的底部连接在底板上。保护笼包括多道大小相同且沿高度方向均匀间隔分布的圆箍，多根竖向扁铁将各圆箍连接成一体构成笼状，圆箍的内圆周壁上安装有多根竖向的木板，各木板与保护笼等高且沿圆箍的内圆周壁均匀分布。该单晶硅棒的储存装置能使单晶硅棒的温度缓慢稳定地下降，并且保护单晶硅棒不会碰伤。
一种单晶硅储存装置

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