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[发明专利]含碳化硅颗粒、制造碳化硅质烧结体的方法、碳化硅质烧结体以及过滤器-CN200580049218.5有效
发明人：神山达也;高松昇司 -专利权人：揖斐电株式会社
申请日： 2005-09-14 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：本发明提供含碳化硅颗粒、制造碳化硅质烧结体的方法、碳化硅质烧结体以及过滤器，所述含碳化硅颗粒含有碳化硅，所述碳化硅含有具备6H多晶型的碳化硅和具备15R多晶型的碳化硅中的至少一种碳化硅，所述碳化硅中的所述具备6H多晶型的碳化硅和所述具备15R多晶型的碳化硅的含量的总和为70重量％以上。所述方法是使用所述含碳化硅颗粒制造碳化硅质烧结体的方法，所述碳化硅质烧结体是通过使用所述含碳化硅颗粒得到的，所述过滤器包含所述碳化硅质烧结体。
碳化硅颗粒制造烧结方法以及过滤器

[发明专利]碳化硅质烧结体及使用其的滑动部件以及防护体-CN201180010704.1有效
发明人：铃木真美;八岛美惠子;石峰裕作;石川和洋 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2011-02-24 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅质烧结体及使用其的滑动部件以及防护体，其中，所述碳化硅质烧结体在长期持续使用中，即使由于热撞击或机械撞击而产生微小的裂纹，但能够抑制裂纹的发展。一种碳化硅质烧结体，以碳化硅粒子作为主构成且相对密度为95％以上，在该碳化硅质烧结体的观察面，面积为170μm2以上的粗粒状碳化硅粒子(1b)存在6面积％以上且15面积％以下。强度、刚性等机械特性优良，并且尽管通过热撞击或机械撞击而产生微小的裂纹，但通过粗粒状碳化硅粒子(1b)能够抑制裂纹的发展。
碳化硅烧结使用滑动部件以及防护

[发明专利]一种多通道对称结构纯质碳化硅膜及其制备的方法-CN201310717880.X有效
发明人：张云飞 -专利权人：杭州创享环境技术有限公司
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明涉及膜分离材料技术领域，具体是一种多通道对称结构纯质碳化硅膜及其制备的方法，多通道对称结构纯质碳化硅膜组成为纯质碳化硅，由10-200μm碳化硅颗粒烧结而成，具有三维空间的连通空隙结构，开孔率在35-65％，过滤表征孔径范围在1-20微米间；膜材为管状多通道结构，通过粘结剂作为碳化硅前驱体裂解反应形成新的碳化硅而烧结结合，烧结温度在900-1500℃。所制得的碳化硅膜具有纯度高、孔隙率高、强度大、通量大、使用寿命长的特点，制备方法具有能耗低、原料易得、成型容易、适合工业定制、满足规模化生产的优点。
一种通道对称结构碳化硅及其制备方法

[发明专利]一种多通道非对称结构纯质碳化硅膜及其制备的方法-CN201310717889.0有效
发明人：张云飞 -专利权人：杭州创享环境技术有限公司
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明涉及膜分离材料技术领域，具体是一种多通道非对称结构纯质碳化硅膜及其制备的方法，多通道非对称结构纯质碳化硅膜组成为纯质碳化硅，由0.1-100μm碳化硅颗粒烧结而成，具有三维空间的连通空隙结构，在过滤方向上孔道呈由小到大的非对称结构，膜开孔率在32-60％，过滤表征孔径范围在10纳米-1000纳米间；膜材为管状多通道结构，通过2-4次烧结而成，膜基材和过滤层通过粘结剂作为碳化硅前驱体裂解反应形成新的碳化硅而烧结结合，烧结温度在700所制得的碳化硅膜具有过滤精度高、纯度高、孔隙率高、强度大、通量大、使用寿命长的特点，制备方法具有控制灵活、能耗低、原料易得、成型容易、适合工业定制、满足规模化生产的优点。
一种通道对称结构碳化硅及其制备方法

[发明专利]Si－SiC质烧结体及其制造方法-CN200710162290.X有效
发明人：古宫山常夫;山川治;堀清一 -专利权人：日本碍子株式会社;NGK阿德列克株式会社
申请日： 2007-10-09 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明提供一种即使形成厚壁形状也难于产生氧化劣化、破损等的Si－SiC质烧结体。一种Si－SiC质烧结体，含有作为骨材的许多碳化硅(SiC)粒子和作为粘合剂填充在上述碳化硅粒子间的空隙中的硅(Si)，其中，所述碳化硅粒子的最大粒径为0.5mm～6mm，所述硅的含量为5～40质量％，优选厚度为20～200mm的厚壁形状的Si－SiC质烧结体。
si sic 烧结及其制造方法

[发明专利]碳化硅光学镜及其制备方法-CN201910764369.2在审
发明人：刘海鹰;冯磊;蒋鹏 -专利权人：扬州霞光光学仪器有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： C04B30/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅光学镜及其制备方法，该碳化硅光学镜包括6H多晶型的碳化硅、15R多晶型的碳化硅、增塑剂、滑石粉、增强剂和紫外线吸收剂，其中，6H多晶型的碳化硅和15R多晶型的碳化硅的含量的总和为70重量％以上；本发明含6H多晶型的碳化硅、15R多晶型的碳化硅的重量比越多，则通过控制碳化硅多晶型的粒径比，能提高碳化硅颗粒的烧结特性，从而促进所得到的碳化硅质烧结体的反应；另外，6H多晶型的碳化硅、15R多晶型的碳化硅较其他碳化硅晶型在高温下显示出稳定相的多晶型，则能更有效地促进含碳化硅颗粒的烧结反应，从而提高了其致密性，降低了孔隙率。
碳化硅多晶型碳化硅颗粒光学镜碳化硅质烧结体紫外线吸收剂滑石粉烧结特性烧结孔隙率粒径比稳定相有效地增强剂增塑剂致密性重量比晶型制备

[发明专利]一种机械密封用碳化硅烧结材料以及使用该材料的机械密封装置-CN201610975199.9在审
发明人：应建红 -专利权人：宁波欧翔精细陶瓷技术有限公司
申请日： 2016-11-07 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： F16J15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种机械密封用碳化硅烧结材料以及使用该材料的机械密封装置，在细密质碳化硅烧结制造过程中，使碳化硅烧结体生成用于储油的若干独立气孔，所述独立气孔的孔径范围为10～40UM，所述独立气孔的气孔率范围为根据本发明，可以在较高的PV值下使用碳化硅和碳制品材料的组合或者碳化硅和碳化硅的组合的机械密闭装置，不会发生异声、粘合、咬合以及水泡问题，能有效使用。
一种机械密封碳化硅烧结材料以及使用装置

[发明专利]以颗粒级配粉体为原料制备致密固相烧结碳化硅的方法-CN201410654362.2在审
发明人：黄政仁;吴海波;刘学建;姚秀敏;陈健 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-11-17 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及以颗粒级配粉体为原料制备致密固相烧结碳化硅的方法，该方法是将含有颗粒级配碳化硅粉体和烧结助剂的复合粉体经成型、烧结制备致密固相烧结碳化硅陶瓷，其中，颗粒级配碳化硅粉体包括：微米级碳化硅粉体、以及亚微米级碳化硅粉体和/或纳米级碳化硅粉体，所述微米级碳化硅粉体与所述亚微米级碳化硅粉体和/或纳米级碳化硅粉体的质量比为（2～0.05）：1。本发明通过低成本的微米级粉体的引入，降低固相烧结碳化硅陶瓷的生产成本；并提高坯体的密度，减少收缩，有利于减少大尺寸样品的烧结变形或开裂。
颗粒级配粉体原料制备致密烧结碳化硅方法

[发明专利]碳化硅/氧化铝－氧化钙核壳结构的纳米复合粉体及制备方法-CN200810062922.X无效
发明人：洪樟连;张悦伟;黄侃;朱奇妙;王民权 -专利权人：浙江大学
申请日： 2008-07-10 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： C04B35/628 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅/氧化铝－氧化钙核壳结构纳米复合粉体，以工程陶瓷用碳化硅颗粒为核，表面包覆纳米厚度的氧化铝－氧化钙组成为壳的纳米复合粉体；本发明还公开了制备该纳米复合粉体的方法；同时公开了该纳米复合粉体在蜂窝陶瓷制备中的应用，以该纳米复合粉体为骨料，可在远低于碳化硅重结晶温度的温度和特定氮气氛工艺条件下，获得以Ca－α－塞隆陶瓷相为碳化硅颗粒骨料结合相的碳化硅质蜂窝陶瓷产品。本发明制得的碳化硅质蜂窝陶瓷产品，以Ca－α－塞隆陶瓷相为碳化硅颗粒骨料的结合相，具有烧结低温低、强度高、耐高温性能优良等优点。
碳化硅氧化铝氧化钙结构纳米复合制备方法

[实用新型]一种基于MEMS的高频响耐高温碳化硅感压元件-CN202220298741.2有效
发明人：顾天刚;李悦;范传东 -专利权人：江苏奥力威传感高科股份有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G01L11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于MEMS的高频响耐高温碳化硅感压元件，包括碳化硅感压结构、可伐引脚和绝缘基座；碳化硅感压结构包括碳化硅芯片和碳化硅杯，碳化硅杯内设置有导电烧结体；碳化硅感压结构下方设置有绝缘烧结体，碳化硅感压结构通过导电烧结体和绝缘烧结体与绝缘基座相连接；绝缘基座下方连接有转接端子，绝缘基座外柱面与转接端子外柱面连接有金属管壳。本实用新型采用碳化硅感压结构能够有效提高传感器的高温稳定性和可靠性，同时通过绝缘烧结体和导电烧结体将碳化硅感压结构和绝缘基座相连接，有效的保证了感压元件输出稳定性，提高了元件的性能。
一种基于 mems 高频耐高温碳化硅元件

[发明专利]以碳化稻壳为原料原位制备碳化硼-碳化硅复合陶瓷的方法-CN201910256037.3在审
发明人：邢鹏飞;刘坤;高帅波;都兴红;闫姝;冯忠宝;庄艳歆;郭静霓 -专利权人：东北大学
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： C04B35/563 文献下载
摘要：一种以碳化稻壳为原料原位制备碳化硼‑碳化硅复合陶瓷的方法，按以下步骤进行：(1)将碳化稻壳浸入盐酸除去杂质，获得除杂碳化稻壳；(2)将碳质还原剂和除杂碳化稻壳分别磨细制成碳质还原剂粉料和稻壳粉料；(3)将碳化硼粉、碳质还原剂粉料和稻壳粉料混合均匀，加入水和粘结剂，用压球机上压制成方形团块；(4)在温度50～120℃条件下烘干制成生坯；(5)用真空热压烧结炉进行烧结。在本发明的方法可以显著提高碳化硅的均匀性，改善材料中碳化硼与碳化硅界面的结合状况，使烧结制备的碳化硼‑碳化硅复合陶瓷具有更加优良的性能。
碳化稻壳碳化硼碳化硅复合碳质还原剂粉陶瓷原位制备烧结稻壳粉碳化硅除杂真空热压烧结炉碳质还原剂浸入改善材料碳化硼粉均匀性粘结剂烘干磨细生坯团块压球盐酸制备压制

[发明专利]一种固相烧结碳化硅陶瓷湿法成型用低粘度高固含量水基浆料的制备方法-CN201810048551.3在审
发明人：刘学建;邢媛媛;吴海波;黄政仁;姚秀敏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所;中国科学院大学
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及一种固相烧结碳化硅陶瓷湿法成型用低粘度高固含量水基浆料的制备方法，将水、水溶性碳化硅分散剂和烧结助剂用分散剂混合后，再加入碳化硅粉体和烧结助剂，经球磨混合得到所述水基浆料，所述烧结助剂粉体包括碳化硼粉体、硼粉中的至少一种和炭黑粉体；所述碳化硅粉体是由亚微米级碳化硅粉体、纳米级碳化硅粉体中的一种和微米级碳化硅粉体经过颗粒级配得到，所述微米级碳化硅粉体的中位粒径为1.0～50μm，所述亚微米级碳化硅粉体的中位粒径为0.1～1.0μm，所述纳米级碳化硅粉体的中位粒径为5nm～100nm。
碳化硅粉体烧结助剂水基浆料中位粒径粉体亚微米级碳化硅粉纳米级碳化硅碳化硅陶瓷固相烧结湿法成型低粘度固含量微米级制备碳化硅分散剂碳化硼粉体颗粒级配球磨混合炭黑粉体分散剂硼粉

[发明专利]一种碳化硅陶瓷及其制备方法-CN202210057356.3在审
发明人：谢方民;熊礼俊;沈赟;于明亮;张碧盈;邬国平;洪于喆;戚明杰;杨连江;方友祥;徐斌;郭岱东;王坚 -专利权人：宁波伏尔肯科技股份有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅陶瓷技术领域，本发明提供了一种碳化硅陶瓷及其制备方法。该碳化硅陶瓷制备方法包括准备原料、生坯制备、反应烧结和二次烧结除硅步骤，本发明通过先进行反应烧结，提高了坯体中碳化硅的含量；然后通过将坯体埋入碳粉中进行二次烧结除硅，碳化硅中的硅蒸发，迁移到碳化硅外部碳中，从而使得碳化硅中的自由硅得以消除，最终获得高纯、一定气孔率的碳化硅陶瓷，此种工艺相比传统重结晶碳化硅制备工艺烧结温度要低很多，而且所制备出的碳化硅陶瓷孔隙率低，强度高，耐高温性能更好。
一种碳化硅陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种硅/碳化硅复相陶瓷的制备方法-CN201911053391.2在审
发明人：张舸;范天扬;崔聪聪;董斌超;徐传享 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明提供了硅/碳化硅复相陶瓷的制备方法，包括以下步骤：冷等静压成型第一碳化硅陶瓷素坯；高温脱脂、浸渍改性得到第二碳化硅陶瓷素坯；干燥、机械加工得到第三碳化硅陶瓷素坯；渗硅烧结得到致密的碳化硅烧结体；清理碳化硅烧结体的表面残硅，得到硅/碳化硅复相陶瓷。本发明的硅/碳化硅复相陶瓷的制备方法在冷等静压成型碳化硅素坯时不加入炭黑，通过高温脱脂去除粘结剂，再通过浸渍改性提高素坯的强度，大大提高了素坯加工性能，同时引入的小粒径碳源可降低烧结体的硅含量，提高了硅/碳化硅复相陶瓷的力学性能。
复相陶瓷碳化硅碳化硅陶瓷素坯冷等静压成型碳化硅烧结体高温脱脂浸渍改性制备致密碳化硅素坯机械加工力学性能素坯加工烧结烧结体小粒径粘结剂渗硅素坯炭黑去除引入

[发明专利]一种复相反应烧结碳化硅陶瓷泵及其制作方法-CN202110868445.1有效
发明人：黄涛;李秋南;姜晓灵;刘凯;王为民;王惠民;季伟;许斌;陈敬;童捷;姜红霞;李再勇;阳白梅;王金灿;刘晓聪 -专利权人：汉江弘源襄阳碳化硅特种陶瓷有限责任公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： F04D29/02 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅陶瓷泵技术领域，公开了一种复相反应烧结碳化硅陶瓷泵及其制作方法，包括泵壳、前护板、叶轮及后护板，泵壳、前护板、叶轮以及后护板均为多层结构，由外至内依次包括有陶瓷结构件、树脂‑碳化硅组合粘接层以及金属骨架部，陶瓷结构件的孔隙内填充有反应烧结碳化硅层，所述陶瓷结构件内壁设置有反应烧结碳化硅陶瓷层，所述反应烧结碳化硅层与反应烧结碳化硅陶瓷层一体成型。本发明具有以下优点和效果：陶瓷结构件不同部位的反应烧结碳化硅陶瓷件可同时制备，二次烧结过程中，反应烧结陶瓷件与陶瓷结构件结合紧密，使反应烧结碳化硅陶瓷件与泵体一体性好，提高了泵体的耐磨性。
一种相反烧结碳化硅陶瓷及其制作方法

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