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[发明专利]一种纳米碳化硅晶须的制备方法-CN201210544139.3无效
发明人：张亮 -专利权人：张亮
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C30B1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米碳化硅晶须的制备方法，主要以稻壳灰、炭黑和聚四氟乙烯为原料，按一定比例混合形成反应剂，将反应剂研磨，得到混合浆体，烘干后研磨成粉体，然后经过整体预热的燃烧合成反应得到反应产物，最后将反应产物经过除碳、除硅，得到纳米碳化硅晶须，本发明的制备方法制备纳米碳化硅晶须的转化率高，并且工艺简单，生产成本低；本发明的制备方法制备出的碳化硅晶须具有低密度、高熔点、高强度、高模量、热膨胀系数小及耐腐蚀、耐磨等特点
一种纳米碳化硅制备方法

[发明专利]一种碳化硅晶须的制作方法-CN201310466998.X无效
发明人：栾晓明 -专利权人：栾晓明
申请日： 2013-10-10 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： C30B1/10 文献下载
摘要：一种碳化硅晶须的制作方法，该方法包括下列步骤：步骤一，将石墨及其他碳质原料与硅质原料粉碎充分混合，其碳质原料与硅质原料重量比为1:2；步骤二，将步骤一的混合原料装在有充氮气的真空感应炉以15~20℃∕分钟升温，在1300~1700℃保温2~5小时，自然冷却得碳化硅晶须；步骤三，将制作好的碳化硅晶须出炉纯化处理。本发明具有生产工艺简单，生产成本低，晶须质量好，可批量生产的优点。
一种碳化硅制作方法

[发明专利]复相陶瓷刀具材料-CN95112174.X无效
发明人：艾兴;黄传真;邓建新;李兆前 -专利权人：山东工业大学
申请日： 1995-10-26 - 公布日： 2000-06-07 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明涉及到陶瓷刀具材料，一种复相陶瓷刀具材料，是在碳化硅（ＳｉＣ）晶须增韧氧化铝（Ａｌ2O3）陶瓷刀具材料中，加入价格便宜的碳化硅颗粒，替代部分价格很贵的碳化硅晶须，经弥散处理后热压成型，该发明通过晶须增韧和颗粒弥散的协同作用来提高陶瓷刀具材料的断裂韧性和强度
陶瓷刀具材料

[发明专利]一种碳化硅铜基复合材料的制备工艺-CN201410747009.9在审
发明人：任海涛 -专利权人：任海涛
申请日： 2014-12-09 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅铜基复合材料的制备工艺，包括配制原料、球磨、干燥和烧结等步骤。通过采用碳化硅晶须对铜进行强化，强化效果好，金相照片显示强化后的铜组织结构均匀，与纯铜相比，体积密度和相对密度增加，硬度值也较大幅度地提高，碳化硅晶须对铜的增强作用明显。
一种碳化硅复合材料制备工艺

[发明专利]石墨基体表面制备碳化硅晶须涂层的方法-CN201610452857.6在审
发明人：范佳晨;赵云龙;徐丹;徐凯;徐再;赵维达 -专利权人：张家港市山牧新材料技术开发有限公司
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： C30B29/62 文献下载
摘要：本申请公开了一种石墨基体表面制备碳化硅晶须涂层的方法，包括步骤(1)、将氯铂酸粉末溶解在无水乙醇中，制备催化剂溶液；(2)、将H‑PSO溶液和催化剂溶液混合搅拌，获得混合溶液；(3)、将石墨基体浸渍在混合溶液中，然后进行交联反应；(4)、将交联产物置于高温管式炉中进行高温反应；(5)、通过浮选法去除未反应的活性炭和碳化硅颗粒，在石墨基体表面得到碳化硅晶须涂层。本发明所获得的碳化硅晶须涂层表现出良好的高温抗氧化性能，在氧化过程中，涂层表面微孔能够愈合。
石墨基体表面制备碳化硅涂层方法

[实用新型]炭素材料抗氧化涂层-CN201120005379.7有效
发明人：廖寄乔;李军 -专利权人：廖寄乔
申请日： 2011-01-10 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C04B41/85 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种涂层抗氧化性好的炭素材料抗氧化涂层，它包括由碳/碳复合材料或石墨材料组成的基体（1），其特征是基体（1）的表面设有由原位生长的碳化硅晶须组成的过渡层（2），本实用新型在炭素材料基体上原位生长一层碳化硅晶须，利用碳化硅晶须的拔出桥连与裂纹转向机制降低涂层中的裂纹尺寸和数量，有利于大幅度提高碳化硅涂层的抗氧化性能和抗热震性能，而且整个制备过程可以通过化学气相沉积连续完成，大大简化了涂层的制备过程。
炭素材料氧化涂层

[发明专利]一种增韧木质素基碳化硅木质陶瓷坯体的制备方法-CN201711161497.5在审
发明人：王明杰;陈瑶;高建民;刘付 -专利权人：北京林业大学
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： C04B35/81 文献下载
摘要：本发明提供了一种增韧木质素基碳化硅木质陶瓷坯体的制备方法，属于生物质材料制备方面的技术领域。以工业碱木质素为碳源，通过碳化，球磨，制取得到木质素基碳化硅木质陶瓷粉体。通过低速球磨方式将碳化硅晶须均匀分散涛陶瓷粉体中，粉体经过调湿后，干压成型得到增韧木质素基碳化硅木质陶瓷坯体。通过设计木质陶瓷碳坯的组分并引入碳化硅晶须对陶瓷体系进行强韧化处理，开辟木质素高值化应用的新途径，也能有助于促进碳化硅木质陶瓷的致密化烧结和材质均匀化，改善碳化硅木质陶瓷抗冲击性能，提高断裂韧性，推进碳化硅木质陶瓷在防弹陶瓷领域的应用
一种木质素碳化硅木质陶瓷制备方法

[发明专利]一种碳化硅多孔陶瓷及其制备方法-CN202111137568.4有效
发明人：钟启龙;朱忠铜;李若普;朱萱哲;李哲宇 -专利权人：武汉拓普准晶新材料有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅多孔陶瓷及其制备方法。制备方法包括如下步骤：将粉石英矿和碳粉混合球磨；将混合料压制成型后放置进1850～2000℃连续作业恒温碳管炉中加热生成碳化硅晶须；将所述碳化硅晶须与短切碳纤维、单质硅和粘结剂，以无水乙醇为球磨介质，进行湿混球磨；烘干得粉料；将粉料过筛后进行加热挤压成型材，然后放入高温真空热等静压机中，逐步升温至1900℃并进行氮气保护的同时充入气态硅，保温3小时，得到碳化硅纤维多孔陶瓷体。本发明短切碳纤维、单质硅原位进行反应烧结，和碳化硅晶须在升温过程中的晶须生长，相互弥合生长，使生胚烧结成致密化、且体积不变的碳化硅多孔陶瓷。
一种碳化硅多孔陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种梯度孔结构碳化硅基多孔陶瓷的制备方法-CN201610114077.0有效
发明人：李红霞;王刚;袁波;于建宾;陈阔;韩建燊;董宾宾 -专利权人：中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司
申请日： 2016-03-01 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明属于多孔陶瓷材料的制备领域，具体涉及一种梯度孔结构碳化硅基多孔陶瓷的制备方法。提出的一种梯度孔结构碳化硅基多孔陶瓷的制备方法=采用碳化硅多孔陶瓷作为基体，在碳化硅多孔陶瓷的表面涂覆一层孔径小于碳化硅多孔陶瓷孔径的纳米级氮化硅晶须，形成由内向外孔径逐渐变大的梯度孔结构碳化硅基多孔陶瓷，包括有碳化硅多孔陶瓷的预处理、硅浆的制备、硅浆在碳化硅多孔陶瓷表面的涂覆和气氛烧结四个过程。本发明通过在碳化硅多孔陶瓷的表面涂覆一层孔径小于碳化硅多孔陶瓷孔径的纳米级氮化硅晶须，形成由内向外孔径逐渐变大的梯度孔结构碳化硅基多孔陶瓷，在不降低过滤元件使用性能的前提下提高其耐用性。
一种梯度结构碳化硅基多陶瓷制备方法

[发明专利]一种不易漏电起痕的覆铜板及其制备工艺-CN202211418321.4在审
发明人：周培峰 -专利权人：建滔电子材料（江阴）有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B32B17/02 文献下载
摘要：本发明在制备不易漏电起痕的覆铜板时，先将碳化硅晶须依次和正硅酸乙酯、三甲氧基硅烷反应制得预改性碳化硅晶须，将预改性碳化硅晶须依次和三烯丙基硅烷、三乙氧基硅烷反应制得改性碳化硅晶须；将KBJS‑600A70树脂、四官能环氧树脂、双氰胺、偶联剂、改性碳化硅晶须、N,N‑二甲基甲酰胺混合制得一段料；将KBJS‑600A70树脂、2‑甲基咪唑、氢氧化铝、过硫酸铵混合制得二段料，将一段料搅拌、剪切、研磨后加热二段料再次搅拌
一种不易漏电铜板及其制备工艺

[发明专利]氮化硅陶瓷材料及其制备方法和陶瓷模具-CN201910593679.2有效
发明人：曾小锋;朱福林 -专利权人：衡阳凯新特种材料科技有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化硅陶瓷材料及其制备方法和陶瓷模具，其按重量百分比计包括如下组分：氮化硅粉体80％～98％，氮化硅晶须和碳化硅晶须共1％～10％，及稀土氧化物1％～10％。上述氮化硅陶瓷材料，采用上述特定的组分及配比，通过氮化硅晶须和碳化硅晶须和稀土氧化物对氮化硅粉体的共同作用，不仅可以增强材料的抗热冲击性能，还能够提高氮化硅陶瓷材料的抗弯强度以及断裂韧性。
氮化陶瓷材料及其制备方法陶瓷模具

[发明专利]一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷及其制备方法-CN201610903797.5有效
发明人：张海军;韩磊;邓先功;王军凯;张少伟 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷及其制备方法。其技术方案是：将稳泡剂加入去离子水中，磁力搅拌12~24h，制得稳泡剂溶液。将催化剂、异丁烯‑马来酸酐共聚物和陶瓷粉体加入到所述稳泡剂溶液中，机械搅拌5~15min，制得氮化硅/碳化硅陶瓷浆料。将发泡剂加入到所述氮化硅/碳化硅陶瓷浆料中，搅拌，注浆成型，脱模，干燥，在1150~1400℃条件下保温2~6h，制得氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷。本发明具有制备工艺简单、对设备要求不高、易于控制、污染小、合成温度低和生产成本低的特点；所制备的氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷孔隙率高、强度大、韧性好和产业前景大。
一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅晶须作为树脂组合物阻燃抗滴落剂的用途及含有碳化硅晶须的树脂组合物-CN201511018883.X有效
发明人：赵鹏伟;夏建盟 -专利权人：上海金发科技发展有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： C08K7/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶须作为组合物阻燃抗滴落剂的用途及含有碳化硅晶须的树脂组合物。所述碳化硅晶须的直径D＜1.5微米、长径比L/D为20:1‑30:1。
碳化硅晶须抗滴落剂树脂组合物聚四氟乙烯阻燃抗滴落剂组合物阻燃阻燃材料长径比传统的替代

[发明专利]一种高强度高性能的软磁铁氧体材料的生产工艺-CN201911041596.9在审
发明人：王涛;徐林东 -专利权人：安徽朗基新材料科技有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种高强度高性能的软磁铁氧体材料的生产工艺，包括以下步骤：步骤一，碳化硅晶须的改性：将碳化硅晶须先置于稀土溶液中活化20‑30min，随后再与纳米粉体置于高压釜中，加入无水乙醇，搅拌20‑30min本发明先配制基料，再完成基材的制备，基材通过改性碳化硅晶须将基料层包覆，不仅不会造成原料的混杂，同时也不会干扰到基体的磁导料、磁通密度等性能，此外碳化硅晶须具有耐磨、抗拉强度高等特点。
一种强度性能磁铁材料生产工艺

[发明专利]一种碳化硅晶须的合成工艺-CN201410747112.3在审
发明人：任海涛 -专利权人：任海涛
申请日： 2014-12-09 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅晶须的合成工艺，包括稻草切碎酸洗、制备稻草炭和高温制备碳化硅晶须等步骤。利用稻草和硅粉可以得到以β型为主的SiCw，晶须以光滑、直晶为主，直径为20～100nm，晶须中含有孪晶等面缺陷。
一种碳化硅合成工艺