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[发明专利]一种Y-Al-Si-O多元玻璃相增强六方氮化硼基复相陶瓷-CN202010141645.2有效
发明人：段小明;邱宝付;贾德昌;蔡德龙;周玉 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： C04B35/5835 文献下载
摘要：一种Y‑Al‑Si‑O多元玻璃相增强六方氮化硼基复相陶瓷，本发明涉及六方氮化硼基复相陶瓷及其制备方法。本发明要解决现有六方氮化硼陶瓷难于烧结致密化及力学性能低的问题。本发明用于Y‑Al‑Si‑O多元玻璃相增强六方氮化硼基复相陶瓷及其制备。
一种 al si 多元玻璃增强氮化硼基复相陶瓷

[发明专利]一种具有线性导电特性的碳化硼基复相陶瓷材料及其制备方法-CN202010212477.1有效
发明人：陈健;祝明;黄政仁;杨晓;刘岩 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C04B35/563 文献下载
摘要：本发明公开一种具有线性导电特性的碳化硼基复相陶瓷材料及其制备方法。所述碳化硼基复相陶瓷材料包括碳化硼基体以及分散于所述碳化硼基体周围的碳第二相材料，所述碳第二相优选以石墨相形式存在；其中碳第二相材料的含量为2~10wt%时所述复相陶瓷材料的导电性为非线性特性，非线性系数α为1.17~1.30；所述碳第二相材料的含量≥10wt%时所述复相陶瓷材料的导电性为线性特性，所述碳化硅基复相陶瓷的电阻率为56.2Ω·cm以下。
一种具有线性导电特性碳化硼基复相陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种二硼化钛基复相陶瓷及其制备方法和应用-CN201810475218.0在审
发明人：郭伟明;吴利翔;牛文彬;陈志伟;林华泰;伍尚华 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明属于复相陶瓷技术领域，公开了一种二硼化钛基复相陶瓷及其制备方法和应用。所述二硼化钛(TiB2)基复相陶瓷是以金属Ti粉和B4C粉为原料，以WC球为球磨介质，在高能球磨机上球磨混合，制得金属Ti包裹B4C的Ti‑B4C粉体，再将Ti‑B4C粉体在Ar或真空的条件下通过选择性激光熔融法打印成型制得该复相陶瓷是具有净尺寸的复杂形状的陶瓷材料。该方法直接实现TiB2基陶瓷的增材制造成型，无需后续烧结或者热处理，有效改善TiB2基复相陶瓷的断裂韧性，作为一种透波材料可应用于航空航天领域。
基复相陶瓷二硼化钛制备方法和应用复相陶瓷粉体成型航空航天领域金属高能球磨机选择性激光热处理断裂韧性复杂形状球磨混合球磨介质陶瓷材料透波材料烧结熔融法打印陶瓷应用制造

[发明专利]一种硼化物及其复相陶瓷粉体的固相制备方法-CN201410292588.2有效
发明人：严春雷;刘荣军;曹英斌;张长瑞;李斌;王思青 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种ⅣB、ⅤB族过渡金属(主要指钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铌(Nb)、钽(Ta))硼化物及其复相陶瓷粉体的固相制备方法。本发明以ⅣB、ⅤB族过渡金属氧化物或无机盐为相应陶瓷中金属元素来源，氮化硼为硼源，铝粉、铁粉、单质碳(石墨、裂解碳)等为还原剂配制反应物配方，随后根据配方对原料进行称量、研磨，最后经高温热处理制备硼化物及其复相陶瓷粉体本发明提供的硼化物及其复相陶瓷粉体的固相制备方法具有制备温度低，应用范围广，制备工艺简单等特点，有望应用于硼化物超高温陶瓷粉体及超高温陶瓷基复合材料的制备等领域。
一种硼化物及其陶瓷制备方法

[发明专利]一种碳化硼基复相陶瓷及其制备方法-CN202010917233.3有效
发明人：王宏;孟庆海;郭方慧;孙宏伟;钟军 -专利权人：沈阳中钛装备制造有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C04B35/563 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷材料技术领域，尤其涉及一种碳化硼基复相陶瓷及其制备方法与装置。本发明通过调节组分(以低灰分的光敏树脂体系和光引发剂为载体)，以及后续制浆、成型和后处理的步骤(采用三次排胶技术，加强脱脂排胶过程，控制烧结体中的碳质含量)，获得了梯度功能的碳化硼基复相陶瓷，实现了材料异性的兼容本发明的3D打印装置基于光固化成型技术(SLA)，近终成型、个性化强，通过三个浆料桶来实现三梯度给料，从而制得具有三层结构的碳化硼基复相陶瓷。
一种碳化硼基复相陶瓷及其制备方法

[发明专利]碳化硼基复相陶瓷及其放电等离子烧结制备方法-CN201610261949.6在审
发明人：李云凯;程兴旺;侯桂芹;孙川;杭晓聪 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： C04B35/563 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硼基复相陶瓷及其放电等离子烧结制备方法，属于复相陶瓷材料制备领域。所述复相陶瓷原料组成及质量百分数如下：铝15～25％，氧化硼20～35％，石墨1.7～3％，碳化硼40％～62％。采用放电等离子体烧结技术，将混合粉体放入石墨模具，在真空下从室温开始加热、加压，加压至35～45MPa，保持压力至烧结结束，以100℃/min升温至1600～1850℃烧结，保温5～30min；烧结结束，脱模，得到所述复相陶瓷所述复相陶瓷制备成本较低、致密度高，力学性能好。
碳化硼基复相陶瓷及其放电等离子烧结制备方法

[发明专利]氮化硼-锶长石高温透波复相陶瓷材料及其制备方法-CN201910099462.6有效
发明人：蔡德龙;贾德昌;杨治华;段小明;何培刚;王胜金;周玉 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C04B35/195 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化硼‑锶长石高温透波复相陶瓷材料及其制备方法，涉及陶瓷基复合材料的制备领域，所述氮化硼‑锶长石高温透波复相陶瓷材料的制备方法包括：S1：称取锶长石粉体与六方氮化硼粉体进行混合，得到原料粉体；S2：将所述原料粉体进行球磨，得到球磨粉末；S3：将所述球磨粉末进行搅拌烘干，得到原料粉末；S4：将所述原料粉末冷压成型，得到原料坯体；S5：对所述原料坯体进行热等静压烧结，得到氮化硼‑锶长石高温透波复相陶瓷材料本发明提供的氮化硼‑锶长石高温透波复相陶瓷材料的制备方法，通过将六方氮化硼引入锶长石中，使得制备的复相陶瓷材料不仅具有良好的可加工性能，还具有良好的介电和耐高温性能。
氮化长石高温透波复相陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种液态复相SiBCN陶瓷前驱体及SiBCN陶瓷的制备方法-CN202211193249.X在审
发明人：邱海鹏;陈义;马新;陈明伟;梁艳媛 -专利权人：中国航空制造技术研究院
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C08L83/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种液态复相SiBCN陶瓷前驱体及其制备方法，包括步骤：在惰性气氛保护下，将一定比例的三氯化硼、甲基氢二氯硅烷及二甲基乙烯基氯硅烷混合均匀，得到混合反应物；将过量的六甲基二硅氮烷滴入冷却状态下的混合反应物中，待滴加完毕后在搅拌条件下以第一预设时间进行室温反应；将反应后的溶液经减压蒸馏脱除溶剂和副产物，得到液态的含乙烯基聚硅硼氮烷；在液态的含乙烯基聚硅硼氮烷中加入硼烷三乙胺混合均匀，得到液态复相SiBCN陶瓷前驱体该液态复相SiBCN陶瓷前驱体及其制备方法的目的是解决现有的聚合物前驱体陶瓷不能同时满足陶瓷产率、浸渍效率的问题。
一种液态 sibcn 陶瓷前驱制备方法

[发明专利]类碳化硼相-碳化硅或类碳化硼相-碳化硅-碳化硼复相陶瓷材料及其制备方法-CN201510963722.1在审
发明人：李晓光;余明先;张景贤;姚秀敏;陈忠明;刘学建;黄政仁;江东亮 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： C04B35/563 文献下载
摘要：本发明涉及了类碳化硼相-碳化硅或类碳化硼相-碳化硅-碳化硼复相陶瓷材料及其制备方法，所述复相陶瓷包括由碳化硼和Si粉高温反应形成的类碳化硼相和碳化硅相，所述类碳化硼相的化学组成为B₁₂(B,C,Si)₃，所述复相陶瓷中类碳化硼相的体积分数为40～90%。本发明以碳化硼和Si粉为原料，高温反应生成碳化硅粉体和类碳化硼粉体，再经烧结制得含有碳化硅相和类碳化硼相的复相陶瓷，即类碳化硼相-碳化硅复相陶瓷材料，类碳化硼的晶格参数接近碳化硼，然后其比碳化硼更容易烧结，从而本发明提供的复相陶瓷兼具有碳化硼、碳化硅的优异性能，且易烧结，致密度高。
碳化碳化硅硼复相陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种含硼化物的碳化硅复相陶瓷纤维及其制备方法-CN202210081721.4在审
发明人：张伟刚;张浩;戈敏;水洪涛;马忠烈;程红梅 -专利权人：中国科学院过程工程研究所;宁波众兴新材料科技有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C04B35/571 文献下载
摘要：本发明公开了一种含硼化物的碳化硅复相陶瓷纤维及其制备方法，利用聚金属碳硅烷的活性硅氢键，在电子束的激发状态下，通过与三氯化硼气体反应，在不熔化处理过程中引入硼元素，并经过热解脱碳、高温烧成，从而得到含金属硼化物的碳化硅纤维本发明的复相陶瓷纤维具有优异的力学性能和耐高温性能，可以用作制备陶瓷基复合材料的增强相材料。
一种含硼化物碳化硅陶瓷纤维及其制备方法

[发明专利]一种碳化硼基复相陶瓷的热压-反应烧结制备方法-CN201610262485.0在审
发明人：李云凯;程兴旺;侯桂芹;孙川;杭晓聪 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： C04B35/563 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硼基复相陶瓷的热压‑反应烧结制备方法，属于复相陶瓷材料制备领域。原料中各成分比例如下：铝15～25％，氧化硼20～35％，石墨1.2～3％，碳化硼40～62％；所述方法为：将原料依次加入，然后进行球磨混合、干燥和过筛，制成混合粉体；将混合粉放入石墨模具进行热压‑反应烧结22℃/min；＞1000℃升温速率为13～18℃/min；升至1300～1400℃施加压力至35～40MPa，保持压力至烧结结束；升温至1600～1800℃保温20～40min，烧结结束脱模得到所述复相陶瓷所述方法烧结效率高，烧结温度低；制得的复相陶瓷致密度高，力学性能好。
一种碳化硼基复相陶瓷热压反应烧结制备方法

[发明专利]一种二硼化钛基纳米复合刀具材料及制备方法-CN201911320573.1有效
发明人：孙加林;皇志富;闫柯;陈飞;坚永鑫;杨贺杰;李博 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C04B35/81 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硼化钛基纳米复合刀具材料及制备方法，以二硼化钛为基料，采用纳米氧化物陶瓷及纳米碳化物陶瓷作为烧结助剂，协同发挥缺陷强化烧结与液相强化烧结作用；碳化硅晶须掺杂石墨烯作为协同强韧化相，石墨烯具有较大的比表面积，为碳化硅晶须及纳米复相陶瓷提供负载体，而碳化硅晶须分布在石墨烯表面，可起到石墨烯聚集阻隔剂的作用，从而显著增大碳化硅晶须‑石墨烯与材料基体的接触面积且相容性好，形成碳化硅晶须/石墨烯/纳米复相陶瓷/二硼化钛基体界面，引入基于多元多尺度强弱混杂界面调控的协同强韧化机理，得到高致密、高性能的二硼化钛基纳米复合刀具材料；制备得到的抗弯强度、维氏硬度和断裂韧性力学性能大大提高。
一种二硼化钛基纳米复合刀具材料制备方法

[发明专利]硼化铬基涂层的制备方法-CN201710579779.0在审
发明人：杨勇;任先行;褚振华;陈学广;王磊;董艳春;张建新;阎殿然 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2017-07-17 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：本发明硼化铬基涂层的制备方法，涉及用硼化物对金属材料的镀覆，采用热喷涂原位反应合成硼化铬基复相陶瓷涂层，步骤是配制用于热喷涂的氧化铬/碳化硼/铝复合粉；金属基体材料预处理；硼化铬基涂层的制备。本发明克服了现有技术制备硼化铬涂层工艺复杂、能耗大、污染大、效率低、涂层厚度低、涂层孔隙率高、涂层与基体结合力较低和粉体制备较困难的缺陷。
硼化铬基涂层制备方法

[发明专利]氮化硼复相陶瓷的过渡相辅助低温烧结方法-CN201510689599.9有效
发明人：王玉金;陈磊;张馨予;贾德昌;周玉 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： C04B35/583 文献下载
摘要：氮化硼复相陶瓷的过渡相辅助低温烧结方法，它涉及一种氮化硼复相陶瓷的烧结方法。本发明是为了解决现有氮化硼复相陶瓷烧结温度高，制备得到的复相陶瓷晶粒粗大和力学性能差的问题。本方法如下：一、制备复合烧结助剂粉末；二、制备复合粉末；三、将复合粉末在真空或惰性气氛条件下，升温，加压，再降温，即得氮化硼复相陶瓷；本发明制备氮化硼复相陶瓷致密度可达到95％以上，材料晶粒细小，并具有优异的综合力学性能本发明属于氮化硼复相陶瓷的制备领域。
复相陶瓷氮化硼烧结制备辅助低温惰性气氛条件复合烧结助剂制备复合粉末综合力学性能晶粒材料晶粒复合粉末力学性能加压

[发明专利]氮化硼复相陶瓷侧封板低温热压烧结方法-CN201510689625.8在审
发明人：陈磊;王玉金;姚绵懿;贾德昌;周玉 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： C04B35/645 文献下载
摘要：氮化硼复相陶瓷侧封板低温热压烧结方法，它涉及一种氮化硼复相陶瓷侧封板烧结方法。本发明为了解决现有氮化硼复相陶瓷制备中烧结温度高和低熔点烧结助剂过分残留，导致力学性能降低的问题。本方法如下：一、制备的复合烧结助剂粉末；二、制备氮化硼复合粉末；三、将氮化硼复合粉末装入热压模具中，采用三个阶段进行烧结，即得氮化硼复相陶瓷侧封板；本发明在1300℃～1400℃热压烧结制备的氮化硼复相陶瓷侧封板的致密度可达到96％以上，氮化硼复相陶瓷材料晶粒细小并具有优异的综合力学性能，其抗弯强度值可达到300MPa。本发明属于复相陶瓷侧封板的制备领域。
氮化硼复相陶瓷侧封板低温热压烧结方法

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