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[发明专利]一种基于真空蒸镀法的镀硒工艺、设备及其所得容器-CN201610238937.1有效
发明人：金明江;应仁龙 -专利权人：杭州诺麦科科技有限公司
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提出一种基于真空蒸镀法的镀硒工艺，包括如下步骤：将硒靶材和拟镀硒载体放入真空腔体内；真空腔体抽真空至10‑3Pa以上，对硒靶材进行加热，加热保温温度为200‑700℃，保温20‑100 s；停止加热，待真空腔体内温度降至室温后，充入惰性气体使腔体内气压恢复至大气压，将拟镀硒载体取出。采用本发明工艺能够在拟镀硒载体表面形成镀硒层，利用镀硒层与镓基液态合金表面氧化膜层的相斥性，有效避免镓基液态合金表面的氧化膜层（主要为氧化镓）与载体表面发生粘附，从而极大的改善镓基室温液态合金在各领域的使用环境和应用效果
一种基于真空蒸镀法工艺设备及其所得容器

[发明专利]一种铜钡锡硫硒五元半导体合金及其制备方法和应用-CN202210085358.3在审
发明人：崔勇;张伟;邵鸿媚;李学田 -专利权人：沈阳理工大学
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明属于合金技术领域，公开了一种铜钡锡硫硒五元半导体合金及其制备方法，所述合金中元素组成的原子比为：铜1.5‑2，钡0.7‑1，锡0.7‑1，硫1.8‑2.5，硒2‑2.5；所述合金的制备方法包括：按照上述原子比，将称取好的各个制备原料于真空、保护性气氛下分段熔炼，获得铜钡锡硫半导体合金；再将铜钡锡硫半导体合金与称取好的硒粒一同置于石墨盒中，继续于保护气体氛围中进行硒化处理，即获得铜钡锡硫硒五元半导体合金。本发明制备的新型铜钡锡硫五元半导体合金为P型半导体，该材料可以应用于太阳能电池等领域。
一种铜钡锡硫硒五元半导体合金及其制备方法应用

[发明专利]一种由硫酸铜和硝酸镓制备铜铟镓硒光电薄膜的方法-CN201610419905.1在审
发明人：刘科高;徐勇;李静;吴海洋;石磊 -专利权人：山东建筑大学
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种由硫酸铜和硝酸镓制备铜铟镓硒光电薄膜的方法，属于太阳电池用光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗玻璃基片，然后将硫酸铜、氯化铟、水合硝酸镓、二氧化硒放入溶剂中，并调整 pH值为4.0～7.0，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，烘干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨接触，并将装有样品的密闭容器装入烘箱进行加热和保温处理，最后取出样品进行干燥，得到铜铟镓硒光电薄膜。所得铜铟镓硒光电薄膜有较好的连续性和均匀性，主相为铜铟镓硒相，这种新工艺容易控制目标产物的成分和结构，为制备高性能的铜铟镓硒光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。
一种硫酸铜硝酸制备铜铟镓硒光电薄膜方法

[发明专利]一种由硝酸铜和硝酸镓制备铜铟镓硒光电薄膜的方法-CN201610419910.2在审
发明人：刘科高;徐勇;李静;吴海洋;石磊 -专利权人：山东建筑大学
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种由硝酸铜和硝酸镓制备铜铟镓硒光电薄膜的方法，属于太阳电池用光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗玻璃基片，然后将硝酸铜、氯化铟、水合硝酸镓、二氧化硒放入溶剂中，并调整pH值为4.0～7.0，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，烘干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨接触，并将装有样品的密闭容器装入烘箱进行加热和保温处理，最后取出样品进行干燥，得到铜铟镓硒光电薄膜。所得铜铟镓硒光电薄膜有较好的连续性和均匀性，主相为铜铟镓硒相，这种新工艺容易控制目标产物的成分和结构，为制备高性能的铜铟镓硒光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。
一种硝酸铜硝酸制备铜铟镓硒光电薄膜方法

[发明专利]一种由氯化铜和硝酸镓制备铜铟镓硒光电薄膜的方法-CN201610438395.2在审
发明人：刘科高;徐勇;李静;吴海洋;石磊 -专利权人：山东建筑大学
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：一种由氯化铜和硝酸镓制备铜铟镓硒光电薄膜的方法，属于太阳电池用光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗玻璃基片，然后将氯化铜、氯化铟、水合硝酸镓、二氧化硒放入溶剂中，并调整pH值为4.0～7.0，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，烘干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨接触，并将装有样品的密闭容器装入烘箱进行加热和保温处理，最后取出样品进行干燥，得到铜铟镓硒光电薄膜。所得铜铟镓硒光电薄膜有较好的连续性和均匀性，主相为铜铟镓硒相，这种新工艺容易控制目标产物的成分和结构，为制备高性能的铜铟镓硒光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。
一种氯化铜硝酸制备铜铟镓硒光电薄膜方法

[发明专利]一种由氯化铜和氯化镓制备铜铟镓硒光电薄膜的方法-CN201610438394.8在审
发明人：刘科高;徐勇;李静;吴海洋;石磊 -专利权人：山东建筑大学
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种由氯化铜和氯化镓制备铜铟镓硒光电薄膜的方法，属于太阳电池用光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗玻璃基片，然后将氯化铜、氯化铟、氯化镓、二氧化硒放入溶剂中，并调整 pH值为4.0～7.0，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，烘干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨接触，并将装有样品的密闭容器装入烘箱进行加热和保温处理，最后取出样品进行干燥，得到铜铟镓硒光电薄膜。所得铜铟镓硒光电薄膜有较好的连续性和均匀性，主相为铜铟镓硒相，这种新工艺容易控制目标产物的成分和结构，为制备高性能的铜铟镓硒光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。
一种氯化铜氯化制备铜铟镓硒光电薄膜方法

[发明专利]一种由硝酸铜和氯化镓制备铜铟镓硒光电薄膜的方法-CN201610427070.4在审
发明人：刘科高;徐勇;李静;吴海洋;石磊 -专利权人：山东建筑大学
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种由硝酸铜和氯化镓制备铜铟镓硒光电薄膜的方法，属于太阳电池用光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗玻璃基片，然后将硝酸铜、氯化铟、氯化镓、二氧化硒放入溶剂中，并调整 pH值为4.0～7.0，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，烘干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨接触，并将装有样品的密闭容器装入烘箱进行加热和保温处理，最后取出样品进行干燥，得到铜铟镓硒光电薄膜。所得铜铟镓硒光电薄膜有较好的连续性和均匀性，主相为铜铟镓硒相，这种新工艺容易控制目标产物的成分和结构，为制备高性能的铜铟镓硒光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。
一种硝酸铜氯化制备铜铟镓硒光电薄膜方法

[发明专利]一种由硫酸铜和氯化镓制备铜铟镓硒光电薄膜的方法-CN201610431812.0在审
发明人：刘科高;刘宏;徐勇;吴海洋;李静 -专利权人：山东建筑大学
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种由硫酸铜和氯化镓制备铜铟镓硒光电薄膜的方法，属于太阳电池用光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗玻璃基片，然后将硫酸铜、氯化铟、氯化镓、二氧化硒放入溶剂中，并调整 pH值为4.0～7.0，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，烘干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨接触，并将装有样品的密闭容器装入烘箱进行加热和保温处理，最后取出样品进行干燥，得到铜铟镓硒光电薄膜。所得铜铟镓硒光电薄膜有较好的连续性和均匀性，主相为铜铟镓硒相，这种新工艺容易控制目标产物的成分和结构，为制备高性能的铜铟镓硒光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。
一种硫酸铜氯化制备铜铟镓硒光电薄膜方法

[发明专利]包括铜铟镓硒的光伏器件-CN200980155390.7无效
发明人：大卫·伊格尔沙姆 -专利权人：第一太阳能有限公司
申请日： 2009-11-10 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L31/00 文献下载
摘要：铜铟镓硒光伏电池可以包括具有透明导电氧化物层的基底。可以使用溅射和气相传输沉积来沉积铜铟镓硒。
包括铜铟镓硒器件

[发明专利]陷光结构铜铟镓硒薄膜太阳电池的制备方法-CN201310755636.2在审
发明人：申绪男;赵岳;王赫;杨亦桐;邓朝文;赵彦民;乔在祥 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种陷光结构铜铟镓硒薄膜太阳电池的制备方法，制备步骤包括1.制作一面为粗糙面的衬底；2.在衬底的粗糙面上制作背电极；3.在背电极的表面制作铜铟镓硒薄膜；4.在铜铟镓硒薄膜上面自下至上依次制作缓冲层；i-ZnO层；透明窗口层；减反射层和栅线电极，完成陷光结构铜铟镓硒薄膜太阳电池制作过程。本发明在粗糙面背电极上共蒸发形成的1μm厚铜铟镓硒薄膜，经腐蚀，形成表面均方根粗糙度为20nm以下的陷光结构铜铟镓硒吸收层，增加了光在吸收层中所经过的有效光程，在不损失太阳光的利用率的基础上，大幅较少了稀有金属资源的利用
结构铜铟镓硒薄膜太阳电池制备方法

[发明专利]一种制备铜铟镓硒太阳能电池光吸收层的方法-CN201210000913.4有效
发明人：刘英;孔德义;尤晖;赵聪;陈池来;林新华;高理升;王焕钦;李加伟 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2012-01-04 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜太阳能电池制备技术，特别涉及铜铟镓硒光吸收层的制备方法。其制备过程是（1）将金属铜、铟、镓的硒化物或金属铜、铟、镓和硒单质按照化学计量比混合搅拌均匀后球磨，得到粒径为10-10000nm的铜铟镓硒纳米粒子；其中Cu:In:Ga:Se原子摩尔比为0.9-1：0-1：0-1：2；（2）将铜铟镓硒纳米粒子分散于由分散剂与成膜剂组成的混合溶液中，搅拌或研磨或超声或磁力搅拌分散，得到CIGS前驱体浆料；（3）将前驱体浆料涂敷于衬底上，在空气气氛中烘干除去分散剂和成膜剂，得到前驱体薄膜；（4）将前驱体薄膜在惰性气氛下快速升温热处理，得到铜铟镓硒太阳能电池光吸收层薄膜成品。
一种制备铜铟镓硒太阳能电池光吸收方法

[发明专利]太阳能电池光吸收层制备方法-CN201310302652.6有效
发明人：郭延璐;肖旭东;杨春雷;顾光一;冯叶;程冠铭;鲍浪;于冰;徐苗苗 -专利权人：深圳先进技术研究院;香港中文大学
申请日： 2013-07-17 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：一种太阳能电池光吸收层制备方法，包括以下步骤：通过磁控溅射法，在衬底上沉积形成铜铟硒薄膜；对所述铜铟硒薄膜进行高温退火，使所述铜铟硒薄膜结晶，以在所述衬底上形成铜铟硒过渡层；通过采用铜铟镓二硒四元合金靶材的磁控溅射，在所述铜铟硒过渡层上沉积形成铜铟镓硒薄膜，并高温结晶，制得太阳能电池光吸收层。在上述太阳能电池光吸收层制备方法中，通过现在衬底上通过磁控溅射法形成结晶质量较好的铜铟硒过渡层，再在铜铟硒过渡层的基础上形成由铜铟镓硒材料制成的太阳能电池光吸收层，有助于高质量铜铟镓硒晶粒的形成，从而使得太阳能电池光吸收层的结晶质量较好的
太阳能电池光吸收制备方法

[发明专利]铜铟镓硒或铜铟镓硫薄膜太阳能电池吸收层的制备方法-CN200510011858.9无效
发明人：张弓;庄大明;丁晓峰;韩东麟;查杉 -专利权人：清华大学
申请日： 2005-06-03 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及铜铟镓硒或铜铟镓硫太阳能电池吸收层的制备方法，是在钠钙玻璃Mo衬底上，先用真空磁控溅射法制备CuInGa的金属预制层，再在热处理真空室中进行预蒸发后硒化或硫化处理。本发明的特点是真空磁控溅射法采用的靶材为CuIn合金靶和CuGa合金靶，或采用CuInGa合金靶；硒化反应或硫化反应在真空中进行，先将硒源或硫源均匀升温，在金属预制层表面蒸发上一层硒或硫，再通过卤钨灯照射加热金属预制层，发生硒化或硫化反应，最终得到铜铟镓硒或铜铟镓硫太阳能电池吸收层。本发明在硒源或硫源预蒸发完成后不必保持充足的硒或硫气氛，设备简单，能源消耗小，适用于工业化生产。
铜铟镓硒铜铟镓硫薄膜太阳能电池吸收制备方法

[发明专利]铜铟镓硒电池及其制备方法-CN201210014456.4有效
发明人：李帅;苏青峰;赖建明;张根发;罗军;王长君;马礼敏;郑泽秀 -专利权人：上海联孚新能源科技有限公司
申请日： 2012-01-17 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒电池及该电池的制备方法，其中，该铜铟镓硒电池依次包括衬底、P型掺钠的CIGS吸收层、n缓冲层、n型氧化锌层、透明导电层和采集电极。所述P型掺钠的CIGS吸收层和n型氧化锌层构成PN结。所述P型掺钠的CIGS吸收层的厚度是1～10微米，依次包括镓浓度为1％～1.5％的低镓CIGS吸收层、镓浓度为3％～5％的中镓CIGS吸收层和镓浓度为6％～8％的高镓CIGS吸收层。本发明的铜铟镓硒电池的P型掺钠的CIGS吸收层的镓元素呈V型分布，电池效率高，另外，本发明的方法能够确保在CIGS吸收层中镓元素呈“V”字分布以及克服在不锈钢为基底的CIGS吸收层中掺钠困难的问题。
铜铟镓硒电池及其制备方法

[发明专利]铜铟镓硒光电转换装置-CN201611072967.6在审
发明人：梁结平 -专利权人：梁结平
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒光电转换装置。本发明的铜铟镓硒光电转换装置由透明玻璃、胶片、铜铟镓硒光伏电池片、背板和接线盒构成，其中铜铟镓硒光伏电池片通过胶片固定在透明玻璃和背板之间，电池片的两端分别引出接线端，接上接线盒，所述背板包括依次层叠的绝缘层
铜铟镓硒光电转换装置