专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种测定的磷含量的方法-CN201210362972.6有效
  • 唐世禄 - 攀钢集团江油长城特殊钢有限公司
  • 2012-09-26 - 2013-01-16 - G01N21/31
  • 本发明提供了一种测定的磷含量的方法,该方法主要是通过用硝酸、氢氟酸使分解,再用硫酸冒烟将试样中挥发去除并赶走氢氟酸,之后通过配制显色液,使试液中的磷在硫酸介质中与及钼酸铵形成黄色络合物磷钼黄,再用抗坏血酸将磷钼黄还原为磷钼蓝,在分光光度计上于700nm处测量显色液的吸光度后,根据所绘制的工作曲线得到的磷的质量,再用公式计算磷在中的质量分数。本发明能够消除中高含量对磷含量测定的干扰,达到简便、快速、准确测定中的磷含量的目的。
  • 一种测定硅钒铁含量方法
  • [发明专利]一种用于提高-钛酸钡电陶瓷极化强度的热处理方法-CN202111454238.8有效
  • 张斗;汤林;晏忠钠;周学凡 - 中南大学
  • 2021-12-01 - 2022-06-14 - C04B35/453
  • 本发明公开了一种用于提高‑钛酸钡电陶瓷极化强度的热处理方法,包括如下步骤,将‑钛酸钡电陶瓷置于单晶硅片上,然后放入退火炉中于氧气气氛下进行热处理,热处理过程中,先通入氧气5min以上,然后以≧20℃/s的升温速率升温至800~1000℃,保温30~180s,并于300s内降温至200℃以下,取出,获得热处理后的‑钛酸钡电陶瓷;本发明的热处理方法利用短时间内将置于单晶衬底上的同时高温下原子扩散加快,单晶原子与‑钛酸钡相互扩散,利用单晶‑钛酸钡晶胞参数的巨大差异,进一步增大了‑钛酸钡晶胞中的四方性,从而使‑钛酸钡基固溶体陶瓷的极化强度大幅的提升。
  • 一种用于提高铁酸铋钛酸钡陶瓷极化强度热处理方法
  • [发明专利]一种球墨铸铁孕育剂-CN202310838532.1在审
  • 钱振杰;唐少春 - 东亚科技(苏州)有限公司
  • 2023-07-10 - 2023-10-10 - C21C1/10
  • 本发明公开了一种球墨铸铁孕育剂包括重量比20%‑30%的或者含有物料、重量比5%‑10%的稀土或者含有稀土的稀土物料、重量比5%‑10%的铈或者含有铈的铈物料、重量比5%‑10%的钡或者含有钡的钡物料、重量比30%‑40%的镁和铁黑的混合物、重量比5%‑10%的钼或者含有钼的钼物料、重量比5%‑10%的金属或者含有金属的金属物料。本发明的球墨铸铁孕育剂,能有效改善石墨形状,并有助于减少球墨铸铁件中的白口,球墨铸铁孕育剂中的、镁、稀土铈、钡和钼形成稀土反应,提高球墨铸铁所需的微观组织和性能,有效减少铸铁白口倾向,
  • 一种球墨铸铁孕育
  • [发明专利]多层同质生长薄膜材料及其制备方法-CN201310646917.4有效
  • 严胡睿;周文亮;杨平雄;褚君浩 - 华东师范大学
  • 2013-12-04 - 2014-03-26 - C23C14/06
  • 本发明公开了多层同质生长薄膜材料,包括底电极和薄膜,所述底电极是镍酸镧薄膜,所述薄膜溅射生长在所述底电极上。本发明还公开了多层同质生长薄膜材料的制备方法,用磁控溅射法在基片上制备所述底电极,采用固相法制备薄膜;在底电极上溅射一层所述薄膜,然后快速退火,重复以上溅射过程6-8次;最后慢退火处理,得到所述多层同质生长薄膜材料。本发明得到的薄膜均匀性好、纯度高、致密性好,表面性质明显改善。本发明方法利用磁控溅射法可控性强,易于操控,可以精确控制薄膜的厚度。
  • 多层同质生长铁酸铋薄膜材料及其制备方法
  • [发明专利]/钛酸叠层结构电容及其制备方法-CN200710175793.0有效
  • 谢丹;任天令;臧永圆;刘理天 - 清华大学
  • 2007-10-12 - 2008-03-05 - H01L27/04
  • 本发明涉及/钛酸叠层结构电容及其制备方法,属于微电子新材料与器件技术领域,该电容包括:以为衬底,在该衬底上依次结合有氧化层、下电极金属层、薄膜,以及上电极金属层;在所述下电极金属层与薄膜之间还结合有钛酸诱导层薄膜该方法由BFO和钛酸BXT前驱体溶胶的制备,以及BFO/钛酸BXT叠层结构电容的制备三部分组成。本发明利用该方法制备出来的电电容具有优异的抗疲劳特性、较高的剩余极化强度(Pr),较低的操作电压(Vc),较好的介电特性,并能与CMOS工艺技术相兼容的特点,且在室温下能够正常工作,适用于新型高密度存储器以及集成电器件
  • 铁酸铋钛酸铋叠层结构电容及其制备方法
  • [发明专利]稀土铈合金及其生产工艺-CN200510012719.8无效
  • 郭成会 - 郭成会
  • 2005-08-04 - 2006-01-11 - C22C33/08
  • 一种稀土铈合金,含有Si 68-75%、Bi 0.3-2.0%、Ce 0.1-1.0%、Ca1.0-2.0%、Al≤0.9%、Fe余量。其生产工艺是:将原料硅石、稀土精矿、焦炭、钢屑按照重量配比加入矿热炉进行冶炼;将钙合金、硅铁合金、金属按照重量配比在中频感应电炉内熔化。先将矿热炉内的合金熔液加入合金包,再将装有稀土铈合金下脚料的包芯线头送入合金包匀速喂线;喂线的同时将中频炉的钙合金按比例加入,在氮气保护下进行反应;将合金熔液注模、冷却、破碎、筛分,即得稀土铈合金本发明将反球化元素Bi和球化元素稀土进行合理配置,能够有效增加球铸件中石墨球数目,减少石墨畸变、聚集、飘浮及衰退快的现象,作为大断面球铸件的孕育剂使用,可使其质量显著提高。
  • 稀土硅铋铈合金及其生产工艺

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