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[发明专利]聚氢化氯硅氮烷的制备方法-CN89108980.2无效
发明人：蒂洛·韦赫斯;托马斯·格多;汉斯-杰格·克莱纳;马塞勒斯·波科特;马丁·布鲁克 -专利权人：赫彻斯特股份公司
申请日： 1989-12-02 - 公布日： 1996-03-13 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明涉及新的聚氢化氯硅氮烷、它的制备及再加工成含氮化硅的陶瓷材料，以及涉及材料本身。本发明的聚氢化氯硅氮烷可通过与氨反应转化成聚硅氮烷，可将硅氮烷热解生成含氮化硅的陶瓷材料。
氢化氯硅氮烷制备方法

[发明专利]一种SOI型MEMS结构及其加工方法-CN202011507448.4有效
发明人：刘福民;张乐民;杨静;刘宇;马骁;梁德春;崔尉;张树伟 -专利权人：北京航天控制仪器研究所
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种SOI型MEMS结构及其加工方法，包括上层器件层底层衬底层和中间的锚区层，通过衬底层和器件层晶圆键合与刻蚀技术，形成由锚区支撑的可动质量块结构。首先在器件层晶圆上加工形成锚区，在衬底层晶圆上加工形成电极焊盘和电极引线，通过硅‑硅直接键合的方式形成键合片，减薄键合片至所需厚度，刻蚀形成带电极引出的可动质量块结构。与传统SOG结构的带电极引出的可动质量块结构相比，本发明采用薄顶层硅的SOI晶圆作为衬底层，电极引线采用低阻硅材料，通过硅‑硅直接键合形成键合片，具有更高的键合强度和更好的机械可靠性；结构主要材料为硅材料，具有相同的热膨胀系数，避免了材料间的热失配，从而使所加工的产品具有更好的温度稳定性。
一种 soi mems 结构及其加工方法

[发明专利]铝锌硅材料、铝锌硅-钢金属轴承材料及其制造工艺-CN201110233415.X无效
发明人：娄兆云 -专利权人：上海核威实业有限公司
申请日： 2011-08-15 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： C22C21/10 文献下载
摘要：本发明公开了铝锌硅材料、铝锌硅-钢金属轴承材料及其制造工艺。铝锌硅材料制造工艺包括如下步骤：(1)铝锌硅合金铸锭的均匀化热处理，以温度480℃±10℃恒温11小时-12小时后出炉空冷；(2)铣面：将铝锌硅合金铸锭每面铣去2mm，公差0～0.5mm；(3)热轧：温度410℃-420℃恒温3小时-3.5小时进行热轧至目标厚度，每道次轧制加工率在20％-35％；(4)退火、冷轧至目标厚度。铝锌硅-钢金属轴承材料制造工艺为将铝锌硅材料单面刷光，与双面砂带打毛的钢板进行一次性复合轧制，之后340℃±10℃恒温5h-6h退火即可，其中，所述的一次性复合轧制的加工率≥48％。铝锌硅-钢金属轴承材料制造工艺简单易行、生产成本低廉，且铝锌硅-钢金属轴承材料疲劳强度、耐磨性能好、能承受很高的载荷。
铝锌硅材料金属轴承及其制造工艺

[发明专利]一种多层全硅发光材料及其制备方法-CN201010574173.6有效
发明人：黄伟其 -专利权人：贵州大学
申请日： 2010-12-06 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： C09K11/59 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层全硅发光材料，该发光材料是以单晶硅为垫层，在垫层表面依次覆盖有纳晶硅层、非晶硅层和氧化硅层，与现有技术相比，本发明用纳秒激光制备稳定的多层全硅型发光材料，所用的激光束斑以基模为主，可通过光学汇聚系统控制激光束斑线径从一微米到一百微米，加工范围宽；激光脉冲的脉宽控制在60～100纳秒，通过三维微动定位系统可对硅样品实施精确到100nm的定位和扫描加工；用每秒上千个纳秒激光脉冲相干在单晶硅上加工，制备的多层全硅型纳米结构稳定性和重复性好
一种多层发光材料及其制备方法

[发明专利]一种硅颗粒材料及其制备锂离子电池负极材料的用途-CN201811591284.0在审
发明人：卢世刚;丁海洋;张梦杨;杨娟玉;张向军;于冰;潘发好 -专利权人：国联汽车动力电池研究院有限责任公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明属于有色金属加工技术领域，具体涉及一种刻蚀法制备的硅颗粒材料，并进一步公开其制备方法，以及其制备锂离子电池负极材料的用途。本发明所述的硅颗粒材料，以铝硅合金材料为制备原料，采用刻蚀的方式进行制备，以去除硅铝合金中全部或部分铝得到硅铝合金粉或硅粉。该方法不仅可制得尺寸均匀且颗粒可控的硅颗粒材料，反应所得硅颗粒及硅铝颗粒的形貌及组分可控，且原材料易于获取、去除铝工艺简单，生产速度及产品成分、形貌可控，所得材料杂质低，缩短了工艺流程，可实现在常温情况下直接制备硅铝粉末或纯硅粉末材料
硅颗粒制备制备锂离子电池负极材料硅铝合金刻蚀去除加工技术领域铝硅合金材料形貌材料杂质粉末材料硅铝粉末形貌可控直接制备工艺流程可控的铝工艺纯硅硅粉硅铝可控生产

[发明专利]一种炭硅材料及碳硅炭材料的制备方法-CN202111260902.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：周花姐
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种炭硅材料及碳硅炭材料的制备方法，包括多孔炭、含硅气体；将多孔炭置于容器内、对多孔炭经加热，将多孔炭加热到能使含硅气体产生分解出硅离子、氢离子或/和氯离子的温度；待容器中多孔炭加工到所需温度、将含硅气体送入到容器内，硅类气体分解的硅离子重新成核生长结合或混合于多孔炭的表面或/和孔洞之中，与多孔炭形成炭硅复合或/和混合材料。采用本发明制备的材料在应用于锂离子电池负极材料中、可以约束硅的膨胀开裂问题，同时也为硅的膨胀提供空间间隙，达到硅材料有效应用于锂离子电池负极材料。
一种材料碳硅炭制备方法

[发明专利]制备黑硅的方法及装置-CN202211154781.0在审
发明人：侯煜;文志东;张昆鹏;李曼;石海燕;张喆;宋琦;许子业;岳嵩;王然;薛美;张紫辰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： B23K26/082 文献下载
摘要：本发明提供一种制备黑硅的方法，包括：将待处理材料设置在空气氛围中；在待处理材料的表面依据第一间距设置多个加工行；采用方形平顶光斑对所述多个加工行依次进行诱导加工；其中，相邻两个加工行诱导加工过程中，具有方形平顶光斑边长十分之一以下的重复加工区域本发明提供的制备黑硅的方法，能够在空气氛围中以高效率制备出黑硅。
制备方法装置

[发明专利]提高黑硅吸收率的方法-CN202211154782.5在审
发明人：张紫辰;文志东;侯煜;张喆;石海燕;张昆鹏;李曼;王然;岳嵩;薛美;李朋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种提高黑硅吸收率的方法，包括：当前加工行不是第一条加工行时，将待处理材料置于空气氛围中，采用圆形高斯光斑对当前加工行进行清洗；当前加工行完成清洗后，将待处理材料置于六氟化硫氛围中，采用圆形高斯光斑对当前加工行进行诱导本发明提供的提高黑硅吸收率的方法，能够有效的降低杂质堆积对当前加工行的影响，提高黑硅的吸收性能。
提高吸收率方法

[实用新型]全硅MEMS甲烷传感器-CN201420646976.1有效
发明人：马洪宇 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： G01N27/14 文献下载
摘要：一种全硅MEMS甲烷传感器，适用于工矿环境下使用。特别属于采用微电子机械系统加工技术的甲烷传感器。包括硅元件、固定端与硅框架支座；所述硅框架支座为SOI基片，包括硅衬底、设在硅衬底上的埋层氧化硅及埋层氧化硅之上的顶层硅，顶层硅为单晶硅；该全硅MEMS传感器采用单晶硅作为加热元件的加热材料，加热元件同时作为甲烷敏感元件，且不需催化剂载体及催化剂材料即可实现低浓度甲烷的检测。该全硅MEMS甲烷传感器以SOI硅片为基片采用MEMS工艺加工，加工工艺与CMOS工艺兼容。该全硅MEMS传感器具有功耗低、灵敏度高、不受缺氧的影响、不受积碳、中毒等因催化剂所带来影响的特点。
mems 甲烷传感器

[发明专利]多晶硅还原炉的硅芯结构-CN201710285198.6有效
发明人：齐林喜;赵波 -专利权人：内蒙古盾安光伏科技有限公司;宜阳天择加工有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：一种多晶硅还原炉的硅芯结构，其包括第一硅芯、第二硅芯和搭接第一硅芯和第二硅芯的横梁。第一硅芯、第二硅芯和横梁其中之一至少有一部分为石墨材料制作。一种多晶硅还原炉的硅芯结构，其包括第一硅芯、第二硅芯和搭接第一硅芯和第二硅芯的横梁。第一硅芯包括晶硅部与晶硅部连接的石墨部。本发明的多晶硅还原炉的硅芯结构，在硅芯材料上至少部分选用了石墨材料，材料成本和加工成本都较低。
多晶还原结构

[发明专利]硅双面扩散衬底片加工方法-CN200710035895.2无效
发明人：邓建伟;刘谋忠 -专利权人：衡阳晶体管有限公司
申请日： 2007-10-12 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：一种硅双面扩散衬底片加工方法，其特征是在主扩、单面研磨之间增设线切割工序，将双面扩散片沿厚度中心线切开，经研磨后抛光即得两片衬底扩散材料片。扩散成本接近常规加工方法的一半，降低了单面研磨的磨削厚度，提高了研磨效率，减小了硅材料的损耗，大大降低了硅扩散衬底片的材料成本。
双面扩散衬底加工方法

[发明专利]一种建筑硅质泡沫材料生产工艺-CN201810320945.X在审
发明人：何白露 -专利权人：绵阳市科成建材有限责任公司
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： C04B38/10 文献下载
摘要：本发明涉及建筑材料技术领域，且公开了一种建筑硅质泡沫材料生产工艺，其特征在于，包括以下重量份数配比的原料：水泥30‑50份，硅酸钙10‑20份，氧化镁2‑5份，白云母5‑15份，粉煤灰10‑15份，硅灰该建筑硅质泡沫材料生产工艺，通过水泥，硅酸钙，氧化镁，白云母，粉煤灰，硅灰，轻质碳酸钙，聚乙烯纤维，聚乙烯醇，水，稳泡剂和发泡剂的添加，使得该建筑硅质泡沫材料的隔音效果更好，保温效果更好，防火效果更好，且造价更低，该建筑硅质泡沫材料加工更加方便，加工步骤更加简单，且加工过程中没有副产物，更加节能环保。
泡沫材料硅质生产工艺聚乙烯纤维轻质碳酸钙粉煤灰聚乙烯醇白云母发泡剂硅酸钙稳泡剂氧化镁硅灰建筑材料技术领域重量份数配比水泥保温效果防火效果隔音效果加工步骤节能环保副产物加工

[发明专利]含四氮化三硅的陶瓷材料和其制备方法-CN91103490.0无效
发明人：迪罗·威斯;汉斯-杰尔·克来诺;玛塞鲁斯·波克特;马丁·布吕克 -专利权人：赫彻斯特股份公司
申请日： 1988-12-02 - 公布日： 1994-02-16 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：本发明涉及由新型聚硅氮烷加工成含四氮化三硅的陶瓷材料的方法和该陶瓷材料本身。为了制备该聚硅氮烷，用结构式为RSiCl2-NR′-SiCl2R的Si，Si′-二有机基-N-烷基-四氯-二硅氮烷与氨反应。然后可将该聚硅氮烷热解为含四氮化三硅的陶瓷材料。
氮化陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种硅基纳米孔的制作方法-CN201010140180.5有效
发明人：司卫华;刘泽文 -专利权人：清华大学
申请日： 2010-04-06 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：一种硅基纳米孔的制作方法，包括以下步骤：一、在硅衬底上覆盖有保护材料和顶层保护材料，用微细加工技术将需要在硅衬底上刻蚀出的图形加工到两层保护材料上，图形的深度到达硅衬底的表面；二、在硅衬底的表面运用深反应离子刻蚀DRIE的方法刻蚀出垂直的柱状孔；三、在柱状孔的表面涂上光刻胶；四、采用湿法腐蚀，利用氢氧化钾碱性溶液，从柱状孔末端往下继续腐蚀，使得腐蚀出的斜面与水平面的夹角为53.7°，最后得到尺寸可控的硅纳米孔，本发明为原子束的表面控制和其他纳米加工技术提供了技术支持，起到了推动作用。
一种纳米制作方法

[发明专利]聚氯硅氮烷的制备方法-CN89108960.8无效
发明人：提罗·瓦斯;马塞路斯·皮尤克特;马丁·布鲁克 -专利权人：赫彻斯特股份公司
申请日： 1989-12-02 - 公布日： 1996-04-03 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明涉及新的聚氯硅氮烷，它的制备及其继续加工成含氮化硅的陶瓷材料，以及这种材料本身。按本发明的聚氯硅氮烷可通过与氨反应转化成聚硅氮烷，聚硅氮烷又可被热解成含氮化硅的陶瓷材料。
聚氯硅氮烷制备方法