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[发明专利]阳离子直接染料-CN201680016758.1有效
发明人： F·巴赫曼;C·克雷梅尔;B·弗洛林;B·P·墨菲;G·张;P·M·托格森 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C07D277/50 文献下载
摘要：本发明涉及式I(1)的阳离子直接染料，其中m和n相互独立地为0或1，D为进一步定义的芳族或阳离子杂芳族基团，K为芳族或杂芳族基团，E1和E2相互独立地为＝CH‑或＝N‑，An为阴离子，a为1‑6的数且R1和R2相互独立地进一步定义。
阳离子直接染料

[发明专利]阳离子直接染料-CN200480021345.X有效
发明人：维克托·P·埃利厄;比特·弗罗林 -专利权人：西巴特殊化学制品控股公司
申请日： 2004-07-14 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： C09B44/16 文献下载
摘要：式(1)的阳离子染料，其中R₁是未取代或取代的C₁－C₁₄烷基或芳基；X^－是阴离子；R₃是未取代或取代的
阳离子直接染料

[实用新型]铜离子直接氧化硫离子的装置-CN201521045894.2有效
发明人：李大塘;谢慧翔;龙承韵;申云萍;邓望;孙冉 -专利权人：湖南科技大学
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： C25C7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铜离子直接氧化硫离子的装置及方法。插入硫酸铜溶液的电极下部端面有明显红色的固体，这种固体即为铜离子Cu²⁺被还原后的金属铜Cu；硫化钠溶液颜色渐渐变黄，这种黄色为硫离子S^2-被氧化成单质硫S，单质硫S再与硫离子S^2-缓慢反应生成的多硫离子S_n^2-的颜色。
离子直接氧化硫装置

[发明专利]离子色谱仪的阴阳离子分析系统-CN200810094583.3有效
发明人：周青山 -专利权人：宁波科宁达工业有限公司;北京中科三环高技术股份有限公司
申请日： 2008-05-15 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： G01N30/96 文献下载
摘要：一种离子色谱仪的阴阳离子分析系统，包括相互独立的阴离子分析系统和阳离子分析系统；在阴离子分析系统中，阴离子淋洗液及待分析样品的输送管道与阴离子保护柱的入口端直接连通；该阴离子保护柱的出口端与阴离子分析柱直接连通；该阴离子分析柱经管道与阴离子抑制器直接连通；而阴离子抑制器经管道与电导池直接连通；以及在阳离子分析系统中，阳离子淋洗液及待分析样品的输送管道与阳离子保护柱的入口端直接连通；该阳离子保护柱的出口端与阳离子分析柱直接连通；该阳离子分析柱经管道与阳离子抑制器直接连通；而阳离子抑制器经管道与电导池直接连通。通过使阴阳离子淋洗液流经各自独立的管道，可彻底解决交叉污染的问题。
离子色谱仪阴阳离子分析系统

[发明专利]直接样品分析离子源-CN201280036911.9有效
发明人： C.M.怀特豪斯 -专利权人：珀金埃尔默健康科学股份有限公司
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01J49/04 文献下载
摘要：在基本大气压下运行的直接样品分析（DSA）离子源系统配置成便于来自各种各样的气体、液体和/或固体样品中的样品物质的电离，或解吸和电离，用于通过质谱测量或其它气相离子检测器进行化学分析。
直接样品分析离子源

[发明专利]直接测温装置、等离子热处理炉及直接测温方法-CN201611014167.9有效
发明人：张子健;吴俊平;宋学锋 -专利权人：青岛丰东热处理有限公司
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： G01K7/14 文献下载
摘要：直接测温装置，包括测温组件和数显仪表，所述测温组件包括壳体和安装于壳体内部的至少一个柔性热电偶，壳体内部设置有包覆柔性热电偶的保温材料；柔性热电偶包括测量端和接出端，壳体内部，柔性热电偶的测量端一侧，平行设置有至少一层绝缘质层该直接测温装置可安装于等离子热处理炉等多种热处理设备，采用该装置可实现热反应装置内多点温度的直接测量。
直接测温装置等离子热处理方法

[发明专利]用于气相蚀刻以及清洗的等离子体装置-CN201510446622.1有效
发明人：金奎东;申雨坤;安孝承;崔致荣 -专利权人： AFO株式会社
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于气相蚀刻以及清洗的等离子体装置，包括：反应器主体，用于处理目标基板；直接产生等离子体区域，其为所述反应器主体内的直接产生等离子体区域，工艺气体流入所述反应器主体内，从而直接感应等离子体；等离子体感应组件，向所述直接产生等离子体区域感应等离子体；基板处理区域，其设在所述反应器主体内，通过混合从所述直接产生等离子体区域流入的等离子体和从所述反应器主体的外部流入的汽化气体来形成反应性物质，并通过所述反应性物质来处理所述目标基板；以及双配气挡板，配置在所述直接产生等离子体区域和所述基板处理区域之间，向所述基板处理区域分配等离子体，将汽化气体分配给所述基板处理区域的中心区域和周边区域。
用于蚀刻以及清洗等离子体装置

[发明专利]铜离子直接氧化硫离子的装置及方法-CN201510944069.4有效
发明人：李大塘;谢慧翔;龙承韵;申云萍;邓望;孙冉 -专利权人：湖南科技大学
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： C01B17/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜离子直接氧化硫离子的装置及方法。插入硫酸铜溶液的电极下部端面有明显红色的固体，这种固体即为铜离子Cu2+被还原后的金属铜Cu；硫化钠溶液颜色渐渐变黄，这种黄色为硫离子S2‑被氧化成单质硫S，单质硫S再与硫离子S2‑缓慢反应生成的多硫离子
离子直接氧化硫装置方法

[发明专利]一种汞离子直接氧化碘离子的方法-CN200810189868.5无效
发明人：李大塘;彭斌;龙云飞;禹良才;肖敦乾 -专利权人：湖南科技大学
申请日： 2008-12-31 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： C01B7/14 文献下载
摘要：本发明属于化学化工技术领域，具体涉及一种汞离子直接氧化碘离子的方法。本发明的方法有效地解决了Hg²⁺直接氧化I^-的问题，能更好地为科研、教学、生产和生活提供帮助，并且设备简单，操作方便，药品易得，现象明显。
一种离子直接氧化方法

[发明专利]一种离子接地极等效仿真模型的建立方法-CN201510105193.1在审
发明人：肖磊石;李谦;张波;吴锦鹏;庄池杰 -专利权人：广东电网公司电力科学研究院;清华大学
申请日： 2015-03-10 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种离子接地极等效仿真模型的建立方法，包括：测量大地的视在电阻率；反演获得大地的电阻率分层参数；将离子接地极样本埋设在大地中；测量离子接地极的接地电阻以及离子接地极一定范围内的地电位升并取平均值；将离子接地极等效成垂直接地极，其长度和半径为待定参数，以该垂直接地极接地电阻和地表电位分布与所得平均值误差最小作为目标函数；通过遗传算法确定最接近测量结果的垂直接地极长度和半径值，将其作为离子接地极等效成垂直接地极的参数；将相应为离子接地极的部分直接用等效的垂直接地极替代，进行接地特性分析。该方法能够与目前通用的接地计算软件结合，用于含有离子接地极的接地系统仿真计算，指导接地工程建设。
一种离子接地等效仿真模型建立方法

[发明专利]一种直接氟化协同等离子体对材料表面进行改性的装置-CN201910927704.6有效
发明人：赵妮;常正实 -专利权人：西安理工大学;西安交通大学
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种直接氟化协同等离子体对材料表面进行改性的装置，包括装置主体，装置主体内设有封闭廊道，封闭廊道的上游设置有等离子体活化单元，封闭廊道的下游设置有直接氟化单元，直接氟化单元和等离子体活化单元之间通过自适应开启式隔离软帘密封连接本发明装置通过将直接氟化和等离子体处理相结合，根据表面功能化要求合理匹配放电等离子体和表面直接氟化，大幅度降低了氟气的使用量和使用条件，提高了等离子体表面改性效果的时效性和稳定性，改善“疏水性恢复现象”
一种直接氟化协同等离子体材料表面进行改性装置

[发明专利]基于灰狼群优化LSTM网络的锂离子电池剩余寿命预测方法-CN201910238129.9有效
发明人：张长胜;吴琼 -专利权人：东北大学
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G06N3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于灰狼群优化LSTM网络的锂离子电池剩余寿命预测方法，涉及锂离子电池技术领域。该方法首先获取锂离子电池的监测数据，并从中提取出锂离子电池容量数据；确定长短期记忆网结构，构造基于LSTM的锂离子电池剩余寿命预测模型；然后利用灰狼群算法优化锂离子电池剩余寿命直接预测模型中的关键参数，得到基于灰狼群优化LSTM网络的直接预测模型；利用优化数据确定最优的锂离子电池剩余寿命直接预测模型；最后利用最优的锂离子电池剩余寿命直接预测模型预测后期锂离子电池容量数据。本发明提供的基于灰狼群优化LSTM网络的锂离子电池剩余寿命预测方法，能够较为准确的预测锂离子电池剩余寿命。
基于狼群优化 lstm 网络锂离子电池剩余寿命预测方法

[实用新型]一种烫发棒-CN202222013271.3有效
发明人：方培松 -专利权人：杭州美悟科技有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： A45D2/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种烫发棒，包括：烫棒，烫棒的周面上开设有装配槽，装配槽用于安装负离子输出装置；负离子输出装置包括：输出片支架和负离子输出片；输出片支架限位安装在装配槽内部，且将负负离子输出片夹设在输出片支架与装配槽之间，负离子输出片将负离子向输出片支架外侧输出，负离子将直接输出至烫棒的表面。本申请将负离子输出结构集成在烫棒的周面位置，在烫发棒使用时，烫棒直接接触头发，同时负离子输出装置将直接将负离子作用至头发实现护理效果，使得负离子与发束充分接触。
一种烫发

[发明专利]双离子束直接沉积类金刚石膜的工艺-CN01128592.3无效
发明人：周灵平;朱启良;李绍禄;过骐千;林美娟;黄桂芳;王锦辉;李德意;厉学文;靳九成;吴玉珍;唐应时;白玉兰;汪亮明;李夏平 -专利权人：湖南大学
申请日： 2001-09-12 - 公布日： 2002-05-08 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种双离子束直接沉积类金刚石膜的工艺,其特征在于用双离子束轰击制作混合界面,低能离子束直接沉积类金刚石膜;用低能含碳离子束直接沉积类金刚石膜层,同时用中能Ar+离子束轰击膜层,将碳离子注入到基体表层足够的深度,以混合膜基原子形成能显著提高膜粘结强度的模糊界面,在此过程中两离子束束流进行交替变化,界面混合一定时间后,停止中能离子束轰击,低能含碳离子束继续直接沉积类金刚石膜。
离子束直接沉积金刚石工艺

[发明专利]直接注入型离子束加速装置-CN201510588035.6在审
发明人：赵良超;何小中;庞健;马超凡 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2015-09-16 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H05H9/00 文献下载
摘要：本发明公开了直接注入型离子束加速装置，包括用于产生离子束的离子源，用于连接离子源与加速腔的束流管道，用于加速、聚焦和传输低能离子束的交变相位聚焦的加速腔，所述加速腔为通过调整加速腔内漂移管的位置和长度来实现交变相位聚焦的加速腔本发明通过上述结构，能够简单方便的加速低能离子束，同时提高加速梯度、降低高频功率消耗。
直接注入离子束加速装置

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