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[发明专利]高导热氧化铝陶瓷基板1瓦28dB衰减片-CN201210216596.X无效
发明人：陈建良 -专利权人：苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种高导热氧化铝陶瓷基板1瓦28dB衰减片，其包括一导热系数高的陶瓷基板，所述陶瓷基板为氧化铝陶瓷，所述陶瓷基板印刷有两个对称的焊盘，所述两个焊盘分别引出两根导线，所述导线之间印刷有膜状电阻，所述膜状电阻和所述导线连接形成衰减电路，其衰减值由所述膜状电阻通过精确调阻得出。该衰减片在案设计上充分考虑了各项性能指标，高频无感，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，能够满足目前3G网络的应用要求，同时延伸了1瓦固定膜状电阻式衰减片的系列产品线。
导热氧化铝陶瓷 28 db 衰减

[实用新型]一种50瓦20dB的氧化铍陶瓷基板衰减片-CN201521083954.X有效
发明人：周敏;戴林华;周蕾 -专利权人：上海华湘计算机通讯工程有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种50瓦20dB的氧化铍陶瓷基板衰减片，所述厚膜电路衰减片包括一氧化铍基板，所述氧化铍基板背面无电路非金属化，所述氧化铍基板正面设有输入电极、输出电极、第一膜状电阻、第二膜状电阻、第三膜状电阻、第一接地导线、第二接地导线和第三接地导线，所述输入电极、第一膜状电阻、第二膜状电阻、第三膜状电阻和输出电极依次串联形成卡片式衰减网络，第一接地导线连接第一膜状电阻，第二接地导线连接第二膜状电阻，第三接地导线连接第三膜状电阻，所述第一膜状电阻的输入端连接有第一焙银，所述第三膜状电阻的输出端连接有第二焙银。本实用新型结构简单，使用方便，体积小，衰减平坦度好阻值精度和衰减精度高，重复性好。
一种 50 20 db 氧化铍陶瓷衰减

[发明专利]100瓦功率13dB衰减片-CN201410232121.9无效
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种100瓦功率13dB衰减片，其包括一宽度为5.7mm、长度为8.9mm、厚度为1mm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有银浆背导层，所述氮化铝陶瓷基板的正面印刷有银浆导线及5个黑色电阻，所述银浆导线连接所述电阻形成TT型衰减电路，所述5个黑色电阻上均一一对应印刷有5个玻璃保护膜，所述5个玻璃保护膜及导线上印刷有两层保护膜。该衰减片在设计思路上考虑了衰减片从输入到输出衰减各个电阻对功率的吸收，定义了各个电阻的面积，同时优化了银浆导线的走向，改善了电路的驻波，同时通过电阻值的精确修改，得到高精度的衰减值。该100瓦功率13dB衰减片，各项指标优良，满足了目前4G网络的使用要求。
100 功率 13 db 衰减

[发明专利]氮化铝陶瓷基板30瓦20dB衰减片-CN201110279047.2无效
发明人：郝敏 -专利权人：苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板30瓦20dB衰减片，其包括一5*5*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。通过改变衰减电路中阻值的尺寸大小和表面电阻率来获得需要的衰减值，通过导线的设计，来获得较好的驻波特性。该衰减片增大了的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险，使得衰减片的性能大为改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。
氮化陶瓷 30 20 db 衰减

[发明专利]氮化铝陶瓷基板30瓦1dB衰减片-CN201110278109.8无效
发明人：郝敏 -专利权人：苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板30瓦1dB衰减片，其包括一5*5*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。通过改变衰减电路中阻值的尺寸大小和表面电阻率来获得需要的衰减值，通过导线的设计，来获得较好的驻波特性。该衰减片增大了的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险，使得衰减片的性能大为改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。
氮化陶瓷 30 db 衰减

[发明专利]氮化铝陶瓷基板20瓦2dB衰减片-CN201110278100.7无效
发明人：郝敏 -专利权人：苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板20瓦2dB衰减片，其包括一5*5*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。通过改变衰减电路中阻值的尺寸大小和表面电阻率来获得需要的衰减值，通过导线的设计，来获得较好的驻波特性。该衰减片增大了的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险，使得衰减片的性能大为改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。
氮化陶瓷 20 db 衰减

[实用新型]氮化铝陶瓷基板30瓦20dB衰减片-CN201120352027.9有效
发明人：郝敏 -专利权人：苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化铝陶瓷基板30瓦20dB衰减片，其包括一5×5×1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。通过改变衰减电路中阻值的尺寸大小和表面电阻率来获得需要的衰减值，通过导线的设计，来获得较好的驻波特性。该衰减片增大了的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险，使得衰减片的性能大为改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。
氮化陶瓷 30 20 db 衰减

[发明专利]大功率氮化铝陶瓷基板20瓦20dB衰减片-CN201110205633.2无效
发明人：郝敏 -专利权人：苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种大功率氮化铝陶瓷基板20瓦20dB衰减片，其包括一5*5*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。该衰减片增大了的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险，使得衰减片的性能大为改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。
大功率氮化陶瓷 20 db 衰减

[发明专利]氮化铝陶瓷基板30瓦3dB衰减片-CN201110264884.8无效
发明人：郝敏 -专利权人：苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板30瓦3dB衰减片，其包括一5*5*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。该衰减片增大了的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险，使得衰减片的性能大为改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。
氮化陶瓷 30 db 衰减

[发明专利]氮化铝陶瓷基板20瓦3dB衰减片-CN201110264883.3无效
发明人：郝敏 -专利权人：苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板20瓦3dB衰减片，其包括一5*5*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。该衰减片增大了的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险，使得衰减片的性能大为改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。
氮化陶瓷 20 db 衰减

[发明专利]氮化铝陶瓷基板20瓦9dB衰减片-CN201110264893.7无效
发明人：郝敏 -专利权人：苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板20瓦9dB衰减片，其包括一5*5*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。该衰减片增大了的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险，使得衰减片的性能大为改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。
氮化陶瓷 20 db 衰减

[发明专利]氮化铝陶瓷基板20瓦1dB衰减片-CN201110264886.7无效
发明人：郝敏 -专利权人：苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板20瓦1dB衰减片，其包括一5*5*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。该衰减片增大了的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险，使得衰减片的性能大为改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。
氮化陶瓷 20 db 衰减

[发明专利]氮化铝陶瓷基板30瓦10dB衰减片-CN201110264882.9无效
发明人：郝敏 -专利权人：苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板30瓦10dB衰减片，其包括一5*5*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。该衰减片增大了的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险，使得衰减片的性能大为改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。
氮化陶瓷 30 10 db 衰减

[发明专利]大功率氮化铝陶瓷基板100瓦30dB衰减片-CN201110244793.8无效
发明人：郝敏 -专利权人：苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种大功率氮化铝陶瓷基板100瓦30dB衰减片，其包括一9.55*6.35*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。该衰减片增大了电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险，使得衰减片的性能大为改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。
大功率氮化陶瓷 100 30 db 衰减

[发明专利]氮化铝陶瓷基板30瓦14dB衰减片-CN201210216162.X无效
发明人：陈建良 -专利权人：苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板30瓦14dB衰减片，其包括一5*5*1MM的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。该衰减片增大了的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险，使得衰减片的性能大为改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。
氮化陶瓷 30 14 db 衰减