专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]PDP嵌套式透明电极结构-CN200810223473.2无效
  • 曹瑞林 - 四川世纪双虹显示器件有限公司
  • 2008-09-28 - 2010-03-31 - H01J17/04
  • 本发明提出了一种PDP嵌套式透明电极结构,包括第一透明电极和第二透明电极,第一透明电极和第二透明电极分别具有主体和位于所述主体一侧的放电部,第一透明电极的主体与第二透明电极的主体平行且间隔地延伸,第一透明电极的放电部在第二透明电极的放电部的外周延伸以形成嵌套通过本发明提出的PDP嵌套式透明电极结构,可以降低着火电压,增加亮度,改善图像质量。
  • pdp嵌套透明电极结构
  • [发明专利]嵌套式X射线三维沟槽电极硅探测器-CN202210981812.3在审
  • 刘美萍;唐勇;宋俊 - 黄淮学院
  • 2022-08-16 - 2022-12-13 - H01L31/0224
  • 本发明公开了一种嵌套式X射线三维沟槽电极硅探测器,属于光电探测器技术领域。本发明的嵌套式X射线三维沟槽电极硅探测器包括下二氧化硅保护层、硅基体、外围电极、中心电极电极接触层和隔离硅体;所述硅基体包括基体部分和嵌套部分;所述隔离硅体的顶端由凸台与凹槽相间回字型排列结构,具有显著增加顶部接收表面积的效果,对比可知新型嵌套式X射线三维沟槽电极硅探测器方波状凸起表面积增加后远大于原探测器的二倍,从而证明新型嵌套式X射线三维沟槽电极硅探测器对X射线的有效吸收和利用。
  • 嵌套射线三维沟槽电极探测器
  • [实用新型]嵌套式X射线三维沟槽电极硅探测器-CN202222150745.9有效
  • 唐勇;刘美萍 - 黄淮学院
  • 2022-08-16 - 2023-03-28 - H01L31/0224
  • 本实用新型公开了一种嵌套式X射线三维沟槽电极硅探测器,属于光电探测器技术领域。本实用新型的嵌套式X射线三维沟槽电极硅探测器包括下二氧化硅保护层、硅基体、外围电极、中心电极电极接触层和隔离硅体;所述硅基体包括基体部分和嵌套部分;所述隔离硅体的顶端由凸台与凹槽相间回字型排列结构,具有显著增加顶部接收表面积的效果,对比可知新型嵌套式X射线三维沟槽电极硅探测器方波状凸起表面积增加后远大于原探测器的二倍,从而证明新型嵌套式X射线三维沟槽电极硅探测器对X射线的有效吸收和利用。
  • 嵌套射线三维沟槽电极探测器
  • [实用新型]一种直拉单晶炉用嵌套式金属电极-CN201620266947.1有效
  • 栗宁 - 银川隆基硅材料有限公司
  • 2016-04-01 - 2016-12-21 - C30B15/14
  • 本实用新型公开的一种直拉单晶炉用嵌套式金属电极,包括从外向内嵌套设置的主电极体、副电极体和通冷却水的电极水套,主电极体和副电极体之间绝缘。本实用新型的一种直拉单晶炉用嵌套式金属电极解决了现有技术存在的设备改造成本高、拉晶功耗高的问题。本实用新型的一种直拉单晶炉用嵌套式金属电极将主电极、底电极集成在一个金属电极上,将原4个电极减少至2个电极,避免了增加金属电极会带走热场中热量的情况,可以节约拉晶功耗8%左右,而且其结构简单,避免因改造单晶炉产生的高额费用,利用单晶炉炉底原电极孔、配套电缆、水管即可安装,兼容性强。
  • 一种直拉单晶炉用嵌套金属电极
  • [发明专利]IPS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法-CN200810119323.7有效
  • 夏子祺;张志男;洪美花 - 北京京东方光电科技有限公司
  • 2008-09-03 - 2010-03-10 - G02F1/1362
  • 阵列基板包括栅线、数据线、公共电极、像素电极和薄膜晶体管,栅线和数据线为折线形且绝缘交叉设置,公共电极和像素电极为数个相互嵌套并间隔设置的菱形。制造方法包括:在基板上形成栅线、栅电极、公共电极、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域图形,其中栅线和数据线为折线形,公共电极为数个相互嵌套的菱形;沉积透明导电薄膜,形成数个菱形的像素电极图形,像素电极与公共电极相互嵌套并间隔设置本发明通过将公共电极和像素电极设置成相互嵌套并间隔设置的菱形,在一个像素区域内形成四畴结构,增加了四个方向的视角,而且能够更好的抵消色畸变,增强色彩纯度。
  • ipstftlcd阵列及其制造方法
  • [实用新型]一种雾化器套装结构-CN201720264229.5有效
  • 吕荣和;程明兴;钟业洪 - 东莞市伯科电子科技有限公司
  • 2017-03-17 - 2017-12-08 - A24F47/00
  • 本实用新型公开了一种雾化器套装结构,包括电池管,电池管的一端连接有雾化器烟嘴,电池管的表面安装有电池按键,电池电极绝缘环的内壁嵌套有弹簧电极组件;雾化器烟嘴一端嵌套有雾化器下装饰环,雾化器下装饰环内壁嵌套有雾化芯,雾化器电极绝缘环内壁嵌套有雾化器电极,雾化器电极和弹簧电极组件电性连接。本雾化器套装结构,雾化器烟嘴螺纹啮合在电池管一端,安装拆卸简单且保证了连接稳固,提升了安全性,电池PCB支架稳定了电芯与PCB板,电池硅胶支架进一步稳定电芯,使结构更稳固,更加安全,磁铁的内壁嵌套有电池电极绝缘环,防止电泄露以及短路,雾化器电极与雾化芯共同作用,烟油雾化更充分,口感更好,使用寿命更长。
  • 一种雾化器套装结构
  • [发明专利]嵌套式三维沟槽电极硅探测器-CN201910841853.0有效
  • 李正;刘美萍;张亚;王明洋 - 湘潭大学
  • 2019-09-06 - 2021-02-02 - H01L31/10
  • 本发明公开了一种嵌套式三维沟槽电极硅探测器,包括厚度为1μm的二氧化硅保护层,二氧化硅保护层上设有外围电极,外围电极是从上到下内部中空的长方体结构;外围电极内嵌有嵌套部分和中心电极嵌套部分由位于二氧化硅层上表面的p型硅基体和位于p型硅基体上的n型重掺杂磷硅层与p型轻掺杂硼硅层组成;中心电极底部贯穿嵌套部分与二氧化硅保护层相接;外围电极与中心电极间设有隔离硅体;外围电极、中心电极和隔离硅体的顶部位于同一平面内,且三者顶部设有电极接触层,电极接触层由与外围电极及中心电极相接的铝皮和与隔离硅体相接的二氧化硅组成;电极接触层与外围电极、中心电极相接的铝皮上分别设有电极接触端口。
  • 嵌套三维沟槽电极探测器
  • [发明专利]柔性嵌套式感测电极-CN201911381326.2在审
  • C.T.比克勒 - 韦伯斯特生物官能(以色列)有限公司
  • 2019-12-27 - 2020-07-07 - A61B18/14
  • 本发明题为“柔性嵌套式感测电极”。本发明所描述的实施方案包括一种设备,该设备包括:体内探头,该体内探头被构造用于插入受检者的身体内;和至少一个电极单元,该至少一个电极单元耦合至探头的远侧部分。电极单元包括:柔性电绝缘基板,该柔性电绝缘基板包括外表面和内表面;以及一对或多对导电涂层,该一对或多对导电涂层涂覆外表面并且被构造成感测来自受检者的身体内的组织的电生理信号,导电涂层对中的每一对包括:内涂层电极单元还包括:相应迹线,该相应迹线涂覆内表面并且被构造成携载由导电涂层感测的信号;以及多个导电通孔,该多个导电通孔穿过基板并将迹线分别连接至导电涂层。还描述了其他实施方案。
  • 柔性嵌套式感测电极
  • [实用新型]三维沟槽硅电极探测器-CN202222985468.3有效
  • 唐勇;卢以丹;刘美萍;刘文富;李景富;李福荣 - 黄淮学院
  • 2022-11-07 - 2023-03-24 - H01L31/0224
  • 本实用新型公开了三维沟槽硅电极探测器,由数个探测单元拼接而成,探测单元包括二氧化硅保护层,二氧化硅保护层上设有外围电极,二氧化硅保护层上和外围电极内设置有硅基体和中心电极,所述硅基体包括基体部分和嵌套部分,嵌套部分内嵌在外围电极内且位于基体部分上,所述中心电极与外围电极之间、嵌套部分与外围电极之间均填充隔离体,所述外围电极、中心电极和隔离体顶部均设有电极接触铝层,其中外围电极和中心电极两个电极接触铝层上均设有电极接触端口
  • 三维沟槽电极探测器

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