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[发明专利]一种基于开关串联的桥式电路的控制方法、装置及设备-CN202111226465.5在审
发明人：邵帅;高枝;汪欣;张军明 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于开关串联的桥式电路的控制方法、装置及设备，考虑到在有源电压箝位电路的辅助开关管导通使得箝位电容接入目标桥臂时，桥臂电压等于接入的箝位电容的电压值之和，因此本申请在目标桥臂导通前的死区时间内控制箝位电容接入，由于箝位电容在接入后对外放电，因此箝位电容电压越大控制其接入目标桥臂的时间越长，首先保证了各个箝位电容电压的平衡，此外正是由于各个箝位电容接入的时间长短不同，使得目标桥臂的桥臂电压呈阶梯状下降并在死区时间结束后降为零
一种基于开关串联电路控制方法装置设备

[实用新型]可调式箝位电压的电容充电装置-CN03262319.4无效
发明人：张源文;朱益杉 -专利权人：华晶科技股份有限公司
申请日： 2003-05-30 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本实用新型提出一种可调式箝位电压的电容充电装置，其是包括一高法拉电容，且有一电源供应装置对该电容进行充电，在电源供应装置与电容间连接有一开关装置，以藉由其开/关的动作来控制电源供应装置与电容间的通路/断路，另有一箝位电路连接于开关装置与电容之间，且连接至电源供应装置的输出端，该箝位电路具有一箝位电压，以根据该箝位电压与实际电压进行比较来控制开关装置的开关，进而控制电源供应装置与该高法拉电容间为通路或断路由于本实用新型可将电池的电压箝制在箝位电路的箝位电压，除了可确保电池不会瞬间电压下降太多而使系统当机之外，并可依不同产品的设计来调整箝位电压。
调式箝位电压电容充电装置

[发明专利]一种MOS开关吸收电路、系统及尖峰电压吸收方法-CN202011129949.3在审
发明人：陈睿;赵振江;靳本豪;李诚;孙哲锋;朱配清;王烨;李侃;赵学荟;胡立庆 -专利权人：航天科工惯性技术有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种MOS开关吸收电路、系统及尖峰电压吸收方法，所述MOS开关通用吸收电路包括：硬开关MOS管、与硬开关MOS管连通的电平输入端、箝位电容、以及控制箝位电容与硬开关MOS管连通与否的吸收控制单元；吸收控制单元包括箝位MOS管，箝位MOS管的源极与电平输入端连接，箝位MOS管的漏极通过箝位电容与硬开关MOS管的漏极连接，箝位MOS管的栅极、源极间还并联有与电平输入端、箝位电容串联的箝位二极管；一充放电单元与箝位解决了现有吸收电路中MOS开关速度慢、能量耗散大的问题；且结合充放电单元，实现了对箝位电容与硬开关MOS管并联与否的自动控制，使得本发明的结构及方法，在MOS开关种类的应用中具有极强的通用性。
一种 mos 开关吸收电路系统尖峰电压方法

[实用新型]射频电路静电防护电路-CN200520053840.0无效
发明人：欧阳丽云 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2005-01-11 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H05F3/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及静电保护电路，具体涉及一种使用二极管箝位的射频电路静电保护电路。本实用新型的射频电路静电防护电路包括并联在被保护的射频电路上的箝位器、第一虚地电容和第二虚地电容，箝位器包括正箝位器和负箝位器，正箝位器通过第一虚地电容接地，负箝位器通过第二虚地电容接地。由于本实用新型的射频电路静电防护电路采用箝位器与虚地电容相连，相当于抬高了箝位二极管的导通电压，因此可以在较大功率等级条件下实现射频电路的静电防护，同时还不会降低射频电路的1dB压缩点、阻塞等特性；同时由于电路简单
射频电路静电防护

[发明专利]一种开关串联的桥式电路及DC/AC变换电路的空载控制方法-CN202211146486.0在审
发明人：邵帅;高枝;崔文韬;王金帅;张军明;吴新科 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H02M7/483 文献下载
摘要：该电路中每个主开关管两端均并联一个有源箝位电路，包括箝位电容和辅助开关管。该空载控制方法是通过选择控制至少一半的辅助开关管在死区时间内导通，当选中的辅助开关管对应的箝位电容电压之和超过输入电压时，箝位电容放电并将能量回馈给输入侧。辅助开关管采取上下桥臂分别排序，并选择各桥臂中箝位电容电压较高的一半箝位电容对应的辅助开关管；或采取上下桥臂共同排序，并选择所有电压中较高的一半箝位电容对应的辅助开关管来实现箝位电容电压的均衡。
一种开关串联电路 dc ac 变换空载控制方法

[发明专利]基于不等式约束的无辅助电容式单箝位MMC自均压拓扑-CN201610047413.4在审
发明人：赵成勇;刘航;许建中 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H02M7/49 文献下载
摘要：本发明提供基于不等式约束的无辅助电容式单箝位MMC自均压拓扑。单箝位MMC自均压拓扑，由单箝位MMC模型和自均压辅助回路联合构建。单箝位MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个IGBT模块发生电气联系，IGBT模块触发，两者构成基于不等式约束的无辅助电容式单箝位MMC自均压拓扑，IGBT模块闭锁，拓扑等效为单箝位该单箝位MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值，实现单箝位MMC的基频调制
基于不等式约束辅助电容箝位 mmc 拓扑

[发明专利]基于等式约束的辅助电容分布式单箝位MMC自均压拓扑-CN201610047408.3在审
发明人：许建中;赵成勇;刘航 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H02M7/49 文献下载
摘要：本发明提供基于等式约束的辅助电容分布式单箝位MMC自均压拓扑。单箝位MMC自均压拓扑，由单箝位MMC模型和自均压辅助回路联合构建。单箝位MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个IGBT模块发生电气联系，IGBT模块触发，两者构成基于等式约束的辅助电容分布式单箝位MMC自均压拓扑，IGBT模块闭锁，拓扑等效为单箝位该单箝位MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值，实现单箝位MMC的基频调制
基于等式约束辅助电容分布式箝位 mmc 拓扑

[发明专利]基于不等式约束的辅助电容集中式单箝位MMC自均压拓扑-CN201610047418.7在审
发明人：赵成勇;许建中;刘航 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H02M7/219 文献下载
摘要：本发明提供基于不等式约束的辅助电容集中式单箝位MMC自均压拓扑。单箝位MMC自均压拓扑，由单箝位MMC模型和自均压辅助回路联合构建。单箝位MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个IGBT模块发生电气联系，IGBT模块触发，两者构成基于不等式约束的辅助电容集中式单箝位MMC自均压拓扑，IGBT模块闭锁，拓扑等效为单箝位该单箝位MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值，实现单箝位MMC的基频调制
基于不等式约束辅助电容集中箝位 mmc 拓扑

[实用新型]基于不等式约束的辅助电容集中式单箝位MMC自均压拓扑-CN201620068891.9有效
发明人：赵成勇;许建中;刘航 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H02M7/219 文献下载
摘要：本实用新型提供基于不等式约束的辅助电容集中式单箝位MMC自均压拓扑。单箝位MMC自均压拓扑，由单箝位MMC模型和自均压辅助回路联合构建。单箝位MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个IGBT模块发生电气联系，IGBT模块触发，两者构成基于不等式约束的辅助电容集中式单箝位MMC自均压拓扑，IGBT模块闭锁，拓扑等效为单箝位该单箝位MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值，实现单箝位MMC的基频调制
基于不等式约束辅助电容集中箝位 mmc 拓扑

[实用新型]基于等式约束的辅助电容集中式单箝位MMC自均压拓扑-CN201620068859.0有效
发明人：许建中;赵成勇;刘航 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H02M7/487 文献下载
摘要：本实用新型提供基于等式约束的辅助电容集中式单箝位MMC自均压拓扑。单箝位MMC自均压拓扑，由单箝位MMC模型和自均压辅助回路联合构建。单箝位MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个IGBT模块发生电气联系，IGBT模块触发，两者构成基于等式约束的辅助电容集中式单箝位MMC自均压拓扑，IGBT模块闭锁，拓扑等效为单箝位该单箝位MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值，实现单箝位MMC的基频调制
基于等式约束辅助电容集中箝位 mmc 拓扑

[实用新型]基于等式约束的辅助电容分布式单箝位MMC自均压拓扑-CN201620068867.5有效
发明人：许建中;赵成勇;刘航 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H02M7/49 文献下载
摘要：本实用新型提供基于等式约束的辅助电容分布式单箝位MMC自均压拓扑。单箝位MMC自均压拓扑，由单箝位MMC模型和自均压辅助回路联合构建。单箝位MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个IGBT模块发生电气联系，IGBT模块触发，两者构成基于等式约束的辅助电容分布式单箝位MMC自均压拓扑，IGBT模块闭锁，拓扑等效为单箝位该单箝位MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值，实现单箝位MMC的基频调制
基于等式约束辅助电容分布式箝位 mmc 拓扑

[实用新型]基于不等式约束的辅助电容分布式单箝位MMC自均压拓扑-CN201620068897.6有效
发明人：赵成勇;许建中;刘航 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H02M7/49 文献下载
摘要：本实用新型提供基于不等式约束的辅助电容分布式单箝位MMC自均压拓扑。单箝位MMC自均压拓扑，由单箝位MMC模型和自均压辅助回路联合构建。单箝位MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个IGBT模块发生电气联系，IGBT模块触发，两者构成基于不等式约束的辅助电容分布式单箝位MMC自均压拓扑，IGBT模块闭锁，拓扑等效为单箝位该单箝位MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值，实现单箝位MMC的基频调制
基于不等式约束辅助电容分布式箝位 mmc 拓扑

[实用新型]基于不等式约束的无辅助电容式单箝位MMC自均压拓扑-CN201620068878.3有效
发明人：赵成勇;刘航;许建中 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H02M7/49 文献下载
摘要：本实用新型提供基于不等式约束的无辅助电容式单箝位MMC自均压拓扑。单箝位MMC自均压拓扑，由单箝位MMC模型和自均压辅助回路联合构建。单箝位MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个IGBT模块发生电气联系，IGBT模块触发，两者构成基于不等式约束的无辅助电容式单箝位MMC自均压拓扑，IGBT模块闭锁，拓扑等效为单箝位MMC拓扑该单箝位MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值，实现单箝位MMC的基频调制
基于不等式约束辅助电容箝位 mmc 拓扑

[发明专利]基于电容箝位的三相交错并联超高增益升压变换器-CN201811584987.0有效
发明人：李虹;曾洋斌;王文财;张波;吕金虎;郑琼林 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电容箝位的三相交错并联超高增益升压变换器，包括：负载；正向电容箝位电路，包括第一电容、第二电容、第一二极管和第二二极管；反向电容箝位电路，包括第三电容、第四电容、第三二极管和第四二极管三相交错并联Boost结构通过第一节点和第二节点与正向电容箝位电路相连，通过第二节点和第三节点与反向电容箝位电路相连，负载通过第六节点和第七节点与正向电容箝位电路和反向电容箝位电路相连。
电容箝位电路三相交错并联二极管电容电感正向升压变换器电容箝位开关管低输入电流第一开关电压增益光伏电池燃料电池并网发电变换器低电压输入源纹波

[发明专利]MMC不对称电容箝位子模块的直流故障清除方法-CN202010432579.4有效
发明人：曾琦;王渝红;刘进飞;凌楠 -专利权人：四川大学
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H02H7/26 文献下载
摘要：本发明公开了MMC不对称电容箝位子模块的直流故障清除方法，包括以下步骤：提供新型MMC不对称电容箝位子模块拓扑结构；对所述新型MMC不对称电容箝位子模块拓扑结构进行直流故障特性分析；根据上述直流故障特性分析的结果判断出所述新型MMC不对称电容箝位子模块拓扑结构的直流故障清除能力；对上述新型MMC不对称电容箝位子模块拓扑结构的直流故障清除能力进行验证。本发明利用了ACSM子模块电容箝位功能和二极管的反向截止特性，拥有清除直流故障的能力；使用该型改进子模块构成的MMC，能够较为快速地切除系统直流侧故障电流。
mmc 不对称电容箝位模块直流故障清除方法

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