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[发明专利]混杂复合材料、电子发射体、制备方法及电子发射器件-CN200810095291.1无效
发明人：金润珍;金载明;文希诚;张东植 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2008-05-09 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明提供混杂复合材料、电子发射体、制备方法及电子发射器件。具体地说，提供包括碳纳米管和得自碳化物的碳的混杂复合材料、包括该复合混杂材料的电子发射体、制备该电子发射体的方法及包括该电子发射体的电子发射器件，该得自碳化物的碳通过将碳化物化合物和含卤族元素的气体进行热化学反应使得构成该碳化物化合物的除碳外的所有元素被提出而制备由于碳纳米管和得自碳化物的碳混杂并复合，可防止当使用大量碳纳米管时可发生的屏蔽效应，且包括该混杂复合材料的电子发射体具有优异的电子发射能力、优异的均匀性和长寿命。
混杂复合材料电子发射制备方法器件

[发明专利]自吸气电子场致发射体及其制造工艺-CN98812141.7无效
发明人：迈克尔D·波特 -专利权人：先进图像技术公司
申请日： 1998-12-11 - 公布日： 2001-01-24 - 主分类号： H01J1/02 文献下载
摘要：自吸气电子场致发射体(30)具有用于电子发射的低功函数材料形成的第一部分(40),和用作低电阻导电体和用作吸气表面的成一体的第二部分(50)。通过平行于衬底设置低功函数材料的薄膜,和通过平行于衬底且与低功函数材料薄膜接触地设置低电阻吸气材料薄膜,形成自吸气发射体(30)。自吸气发射体(30)特别适用于横向场致发射器件(10)。优选的发射体结构具有逐渐变细的边缘(60),该边缘具有超过吸气和低电阻材料边缘(55)延伸一小段距离的低功函数材料的突出部分(45)。制造工艺(S1－S6)本身特别适于形成自吸气电子场致发射体同时制造微电子场致发射器件。
吸气电子发射及其制造工艺

[发明专利]制造电子发射器件的方法和制造图像显示设备的方法-CN200910252313.5无效
发明人：青木直文;西田彰志 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2009-12-02 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明提供制造电子发射器件的方法和制造图像显示设备的方法。具体提供以下的方法：一种容易地制造电子发射器件的方法，所述电子发射器件涂覆有低功函数材料，以高的可再现性具有好的电子发射特性，使得电子发射器件之间的电子发射特性的差异降低。在用低功函数材料涂覆结构体之前，在该结构体上形成金属氧化物层。
制造电子发射器件方法图像显示设备

[发明专利]电子发射元件、荧光体发光元件及图像描绘装置-CN200480006150.8无效
发明人：出口正洋;铃木正明;田尾本昭;尾崎丰一;柴田元司 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-03-05 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明的主要目的在于有效地提供一种具有与现有技术同等或更好的性能的电子发射元件。本发明的电子发射元件是备有：基底材料、设置在上述基底材料上的电极层、设置在上述电极层上的电子发射层、以及不接触上述电子发射层配置的控制电极层的电子发射元件，其特征在于：上述电子发射层包含在电场中发射电子的电子发射材料(20、30)，上述电子发射材料是有网状结构骨架的多孔体，网状结构骨架由内部和表面部构成，表面部包含电子发射成分(21、31)，内部被i)绝缘性材料及半绝缘性材料中的至少一种(22)，ii)空间(32)，或iii)绝缘性材料及半绝缘性材料中的至少一种及空间占有。
电子发射元件荧光发光图像描绘装置

[发明专利]一种全激基发射的白光有机发光二极管-CN202010524959.0有效
发明人：苗艳勤;赵亚萍;郭园园;尹梦娜;赵波;王华;许并社 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种全激基发射的白光有机发光二极管，其发光层单元由三个激基发射层组成，靠近阳极侧的第一激基发射层是由第一电子给体材料掺杂第二电子受体材料形成的共掺杂薄膜，中间的第二激基发射层是由第二电子给体材料掺杂第二电子受体材料形成的共掺杂薄膜，靠近阴极侧的第三激基发射层是由第二电子给体材料掺杂第一电子受体材料形成的共掺杂薄膜，所述三个激基发射层发光颜色互补，复合形成白光发射。本发明将多个激基复合物引入到同一器件中，所形成的三个激基发射层之间无明显界面，设计出一种器件结构简单、具有高色品质的白光有机发光二极管。
一种全激基发射白光有机发光二极管

[发明专利]场发射阴极装置及场发射显示器-CN201010618382.6有效
发明人：柳鹏;周段亮;陈丕瑾;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01J29/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种场发射阴极装置，所述场发射阴极装置包括：一绝缘基板，该绝缘基板具有一表面；一第一电极与一第二电极相互间隔地设置于所述绝缘基板的所述表面；一阴极发射体，该阴极发射体与所述第一电极电连接；所述场发射阴极装置进一步包括一次级电子发射材料，所述次级电子发射材料至少部分设置于所述第一电极和第二电极之间，且所述阴极发射体与所述次级电子发射材料相对且间隔设置。本发明还涉及采用上述场发射阴极装置的场发射显示器。
发射阴极装置显示器

[发明专利]具有低孔隙度高掺杂接触层的硅发射体-CN02118885.8无效
发明人： X·圣;N·科施达;H·P·郭 -专利权人：惠普公司
申请日： 2002-04-30 - 公布日： 2002-12-11 - 主分类号： H01J1/308 文献下载
摘要：本发明涉及一种高发射电子发射体。该高发射电子发射体10包括电子注射层1、与电子注入层1接触的高孔隙度多孔硅材料的活性层3与活性层3接触的低孔隙度多孔硅材料的接触层5并包括带高掺杂区8的界面表面12、和还可有与接触层5接触的顶电极7。接触层5降低活性层3和顶电极7之间的接触电阻,而且高掺杂区8降低接触层5的电阻率,从而增高电子发射率和顶电极7的稳定电子发射。本发明还涉及一种制造高发射电子发射体的方法。
具有孔隙掺杂接触发射

[发明专利]一种提高电子源栅网电子透过率的方法-CN202310750533.0在审
发明人：肖东阳;宋培义;孙雷蒙;涂良成;匡双阳 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01J1/48 文献下载
摘要：本发明属于真空微电子技术领域，具体涉及一种提高电子源栅网电子透过率的方法，包括在电子源的栅网结构中各阵列单元表面及侧壁的金属导电层上沉积驻极体材料，其中，金属导电层经引线引出；对驻极体材料充电以形成驻极体，驻极体的形成使得栅网的各个阵列单元之间产生聚焦电场，形成的聚焦电场会改变阵列化阴极发射体所发射电子的运动轨迹，使得阵列化阴极发射体发射的电子不会轰击到栅网表面从而越过栅网发射出去。本发明方法中栅网表面沉积驻极体材料，利用驻极体材料表面的空间电荷分布改变阴极所发射电子的运动轨迹，有效提高电子透过率，从而增加器件整体的稳定性。
一种提高电子源栅网透过方法

[发明专利]场发射显示器件-CN02147460.5有效
发明人：陈杰良 -专利权人：鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2002-10-30 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： H01J29/04 文献下载
摘要：一种场发射显示器件(1)依次包括一阴极板(20)、一电阻缓冲层(30)、多个电子发射体(40)及一阳极板(50)，该阳极板(50)与电子发射体(40)之间有一定空隙区域，电阻缓冲层与电子发射体均含有碳材料，且每一电子发射体均为纳米棒。组合电阻缓冲层与电子发射体的电阻系数呈现渐变分布，邻近阴极板的电阻系数最高，而邻近阳极板的电阻系数最小。当在阴极板与阳极板之间施加发射电压，电子发射体发射电子，发射的电子穿过空隙区域后由阳极板接收。由于电阻系数的渐变分布，因此只需要较低的发射电压。
发射显示器件

[发明专利]一种微牛顿级推进器离子束自动中和的方法-CN202210455961.6在审
发明人：切尔坤·埃里克斯 -专利权人：北京星空动力空间技术有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： F03H1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微牛顿级推进器离子束自动中和的方法，通过栅板机构的正离子与辅助机构接触，通过发射器推进器外的中和发射机构发射出中和电子，中和电子与轰击机构相碰撞，接触了辅助机构的正离子与轰击后的中和电子进行中和，辅助机构由冷高电子发射材料组成，冷高电子发射材料的一侧设置有推进器筒体，冷高电子发射材料安装于推进器筒体的一侧，轰击机构由嵌入物组成，嵌入物安装于中和发射机构的一侧。本发明利用辅助机构和轰击机构的设置，离子束与辅助机构内的冷高电子发射材料接触，中和电子枪发射出的中和电子轰击轰击机构内的嵌入物，这种方式具有仔细的磁剖面和羽流形状，同时降低了中和时的功耗，提高了资源的利用率
一种牛顿推进器离子束自动中和方法

[发明专利]场发射电子源及其制造方法-CN200610060128.2有效
发明人：潜力;刘亮;柳鹏;唐洁;魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2006-03-31 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种场发射电子源，其包括至少一个电子发射体，该电子发射体包括导电基底和形成在导电基底上的电子发射层，该电子发射层至少覆盖于导电基底的顶部，其包含吸气剂微粒、金属导电微粒、纳米材料和玻璃。本发明还涉及一种制造上述场发射电子源的方法。
发射电子及其制造方法

[发明专利]高温烟气热电子发射式颗粒物荷电装置-CN200810022176.1有效
发明人：顾中铸;顾洲;许津津;傅晓慧 -专利权人：南京师范大学
申请日： 2008-07-22 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： B03C3/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温烟气热电子发射式颗粒物荷电装置，由发射电极棒(1)和导电筒体(2)构成；发射电极棒采用稀土钨复合功能材料，作为热电子发射阴极；导电筒体接地，作为热电子发射阳极；导电筒体中部设有绝缘套管(3)，一导电吊杆(4)穿过绝缘套管将发射电极棒吊悬于导电筒体中。本发明装置，以稀土钨复合功能材料制成热电子发射电极，提高了发射极的耐高温性能，使设备工作温度可达1200℃；荷电区采用环状结构，充分发挥了热电子发射的特点，提高了电子密度分布的均匀性；采用热电子发射技术
高温烟气电子发射颗粒物荷电装置

[发明专利]一种场发射阴极电子源-CN201310100704.1有效
发明人：徐一鸣;章健 -专利权人：上海联影医疗科技有限公司
申请日： 2013-03-26 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01J3/02 文献下载
摘要：本发明提供一种场发射阴极电子源，包括阴极、栅极和阳极，所述阴极包括衬底和衬底上的场发射材料，所述栅极置于所述场发射材料的侧面，绝缘体分布于所述栅极的周围，所述绝缘体与所述场发射材料之间有间隙。本设计使电子源在不增加栅极电压、不拉近栅极距离以及不减小栅极网丝厚度的情况下，阴极表面获得更高的电场，提高场发射电流密度，同时保证了电子源的稳定性和寿命。
一种发射阴极电子

[发明专利]基于磷光超薄层的白光有机发光二极管-CN202210749801.2在审
发明人：苗艳勤;尹梦娜;郭园园;王国良;赵波;王华 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于磷光超薄层的白光有机发光二极管，其发光层单元由数量相同的电子给体材料层与电子受体材料层交替排列，在任意两个相邻的电子给体材料层与电子受体材料层之间形成界面激基复合物，并在每个电子给体材料层与电子受体材料层之间嵌入发光颜色互补的磷光超薄层，通过界面激基复合物对磷光超薄层的敏化，实现磷光超薄层的互补光发射，复合形成白光发射。本发明利用了界面激基复合物到磷光超薄层的有效能量传递，在实现高效白光发射的前提下简化了器件结构和制备工艺。
基于磷光薄层白光有机发光二极管

[发明专利]一种激元介导自由电子发射的纳米复合结构及制备方法-CN201811554625.7在审
发明人：邓少芝;沈岩;陈焕君;许宁生 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种激元介导自由电子发射的纳米复合结构，所述纳米复合结构包括金属纳米颗粒和电子发射阴极，所述金属纳米颗粒修饰在所述电子发射阴极的材料表面上。还公开了一种激元介导自由电子发射的纳米复合结构的制备方法，采用离子溅射和高温退火方法，对电子发射阴极的表面进行金属纳米颗粒修饰，形成发射体与金属纳米颗粒的复合结构。通过光场激发金属纳米颗粒的局域表面等离激元共振，引起近电磁场的局域增强，同时等离激元的弛豫产生热电子，热电子注入相邻的电子发射阴极材料，并最终从电子发射阴极的材料表面隧穿发射；提升了阴极结构电子的发射效率
电子发射阴极金属纳米颗粒纳米复合结构自由电子介导发射等离激元热电子修饰制备发射效率复合结构高温退火近电磁场局域表面离子溅射阴极结构发射体共振弛豫光场隧穿激发

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