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[实用新型]一种能够准确安装铯源的结晶器上法兰盘-CN201420325078.6有效
发明人：王红飞;陈寿红;胥珂;王祥;朱家胜;董昆伟;宋鹏卿 -专利权人：武钢集团昆明钢铁股份有限公司
申请日： 2014-06-18 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： B22D11/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能够准确安装铯源的结晶器上法兰盘，包括法兰盘本体、铯源孔，所述的法兰盘本体中心设置导流孔，所述的法兰盘本体下方设置圆形凸台；所述的圆形凸台与结晶器为间隙配合；所述的圆形凸台外径之名义尺寸比与之相配合件孔的内径名义尺寸小0.5mm；所述的法兰盘本体之导流孔与圆形凸台之间设置铯源孔；所述的铯源孔在加工时先制作铯源模具，所述的铯源孔加工后用铯源模具试装。本实用新型采用提高铯源孔的尺寸公差及形位公差的方法，提高铯源孔精度；同时制作铯源模具来检验上法兰盘；加大圆形凸台外圆的公差带，既满足装配要求，又提高安装效率。本实用新型结构简单，制作容易，工作稳定，安全可靠，能够准确、快速的安装铯源。
一种能够准确安装结晶器法兰盘

[实用新型]连接射频氧源与纳米离子探针的耦合部件自动保护系统-CN202120204371.7有效
发明人：杨亚楠 -专利权人：中国科学院广州地球化学研究所
申请日： 2021-01-23 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01J37/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种连接射频氧源与纳米离子探针的耦合部件自动保护系统，包括耦合部件，氧源外壳与耦合部件之间采用垫圈和螺栓螺母固定连接；还包括第一隔离阀，所述的耦合部件、第一隔离阀及铯源腔体之间通过螺栓螺母固定连接，第一隔离阀用以将氧源外壳与铯源腔体隔离开；耦合部件内设有截流隔膜，用以截流氧源发生泄漏事故时的冷却液。本实用新型避免冷却液灌入铯源真空腔体，减少不必要的仪器内部件清洗工作，氧源拆卸维护时无需破坏铯源腔体真空状态。
连接射频纳米离子探针耦合部件自动保护系统

[发明专利]一种方坯连铸机结晶器液位铯源标定装置及方法-CN202010875987.7在审
发明人：谷海波;田殿阔;李文;杜鹏;秦敏勇;李福印;王继超;宋志刚;田微 -专利权人：唐山钢铁集团有限责任公司;河钢股份有限公司唐山分公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： B22D11/18 文献下载
摘要：一种方坯连铸机结晶器液位铯源标定装置及方法，属于方坯连铸机结晶器液位控制技术领域，用于对方坯连铸机结晶器液位铯源进行标定。
一种方坯连铸机结晶器液位铯源标定装置方法

[实用新型]一种方坯连铸机结晶器液位铯源标定装置-CN202021799970.X有效
发明人：谷海波;田殿阔;李文;杜鹏;秦敏勇;李福印;王继超;宋志刚;田微 -专利权人：唐山钢铁集团有限责任公司;河钢股份有限公司唐山分公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： B22D11/18 文献下载
摘要：一种方坯连铸机结晶器液位铯源标定装置，属于方坯连铸机结晶器液位控制设备技术领域，用于对方坯连铸机结晶器液位铯源进行标定。
一种方坯连铸机结晶器液位铯源标定装置

[发明专利]使用聚(羟基亚芳基)聚合树脂从含有其他碱金属的工业液流中分离铯的方法-CN95195994.8无效
发明人： B·J·塔比特;G·马斯;K·E·克拉科威亚克;R·L·布鲁宁格 -专利权人： IBC高技术有限公司
申请日： 1995-11-02 - 公布日： 1997-11-12 - 主分类号： B01D15/00 文献下载
摘要：一种从含有高浓度其他碱金属离子的源溶液中除去，分离，和浓缩铯阳离子的方法，包括使该源溶液与含有聚(羟基亚芳基)配位体的聚合树脂相接触。该方法对于从各种源溶液，例如来自半导体，核废料净化，金属精炼，电力，和其他工业企业的源溶液中除去铯阳离子是有用的。本发明也描述了含有聚(羟基亚芳基)配位体的聚合树脂。
使用羟基亚芳基聚合树脂含有其他碱金属工业液流中分离方法

[发明专利]基于双重钝化策略的高稳定性CsPbX3-CN202310656357.4在审
发明人：王国杰;唐艺源;张鑫 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C01G21/00 文献下载
摘要：所述制备方法如下：1)通过铯源与有机酸及高沸点溶剂在氩气氛围下反应获得铯前驱液；2)将铅源、卤素补充剂、有机酸及非配位溶剂相混合，在氩气的保护下，加热获得铅前驱液；3)将一定量的铯前驱液注射至铅前驱液中量子点反应原液；4)将CsPbX3(X＝Br,I)量子点与聚合物基质相复合，获得钙钛矿光转换膜；5)将不同发光颜色的光转换膜与商用GaN LED芯片组装后，获得一系列蓝源成彩
基于双重钝化策略稳定性 cspbx base sub

[发明专利]一种高稳定性锡卤钙钛矿量子点的制备方法-CN202010597485.2有效
发明人：潘振晓;康翠婷;饶华商;钟新华 -专利权人：华南农业大学
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：该制备方法，包括以下步骤：在第一容器中加入铯源、第一有机溶剂和第一配位体，在保护气体气氛下，加热至铯源溶解于第一有机溶剂和第一配位体中，得到具有铯前驱体的第一反应溶液；在第二容器中加入锡源、卤源、第二有机溶剂和第二配位体，在保护气体气氛下，加热至锡源、卤源溶解于第二有机溶剂和第二配位体中，得到第二反应溶液；在加热、保护气体气氛下，将第一反应溶液加入至第二反应溶液中，反应，得到含有锡卤钙钛矿量子点的溶液。
一种稳定性锡卤钙钛矿量子制备方法

[发明专利]一种铷铯双原子束源装置-CN201811621195.6有效
发明人：刘杰;孙富宇;马杰;李孝峰;李超;张首刚 -专利权人：中国科学院国家授时中心
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H05H3/02 文献下载
摘要：本发明公开一种铷铯双原子束源装置，设置铷原子真空密封筒和铯原子真空密封筒，分别产生铷原子和铯原子，铷原子和铯原子分别经铷原子通道和铯原子通道后进入同一金属原子束高准直器，使铷原子和铯经原子的行进路径精确重叠，为铷原子‑微波和铯原子‑微波在同一位置发生相互作用提供了前提，实现提高精密测量的精度，同时还有利于铷铯双原子钟的研制。
一种铷铯双原子装置

[发明专利]一种卤化铅铯钙钛矿量子点及其制备方法-CN202110909740.7有效
发明人：董敬一;郑策 -专利权人：无锡极电光能科技有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C01G21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种卤化铅铯钙钛矿量子点及其制备方法，所述制备方法包括：将卤化季铵盐模板剂溶液与硅源混合，依次进行陈化反应、水热晶化反应，得到未脱模的分子筛；将未脱模的分子筛与铅源、铯源混合物和/或卤化铅铯原料混合后研磨，得到的混合粉末进行一段煅烧，脱除模板剂，升温进行二段煅烧，卤化铅铯熔融后填充分子筛孔道，得到卤化铅铯钙钛矿量子点。本发明通过未脱模分子筛的制备将分子筛脱模和卤化铅铯熔融填充分子筛合二为一，可简化操作工艺；模板剂脱除时挥发的卤素与铅配位结合，之后卤化铅铯熔融后在分子筛中分布均匀，量子点稳定性强，煅烧过程维持富卤状态，
一种卤化铅铯钙钛矿量子及其制备方法

[发明专利]一种微电流铯离子源-CN201910738103.0有效
发明人：祁康成;陈闻斌;何丰耘;曹贵川;王小菊 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01J49/16 文献下载
摘要：一种微电流铯离子源，属于离子源技术领域。该离子源包括铯储器体以及与铯储器体材料不同的密封盖，密封盖所用材料的逸出功高于铯的电离能，密封盖布置为与铯储器体的一端接合形成真空密封，所述铯离子源还包括加热铯源的加热器，加热器布置为与密封盖相靠近侧，使得铯盐分解、单质铯气化、铯原子通过密封盖扩散到密封盖外表面并在外表面电离产生铯离子流。本发明利用铯原子在密封盖中的扩散作用向其外表面源源不断地输送铯原子并基于表面电离引出铯离子流。本发明提供了一种电流可调、可暴露大气、寿命长的铯离子源，降低了对真空系统要求的同时还兼具结构简单、使用方便，铯利用率高等优势。
一种电流离子源

[发明专利]一种钛掺杂铯钨青铜粉体及其制备方法-CN202210455158.2在审
发明人：李静波;邓姗姗;金海波;李乾怡;李东来 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛掺杂铯钨青铜粉体及其制备方法，属于铯钨青铜材料技术领域。所述钛掺杂铯钨青铜粉体是采用钛离子取代铯钨青铜中部分钨离子得到的，其中钛离子与钨离子的原子百分比为0.01:0.099～0.1:0.9，通过调控钛掺杂量可以调控该粉体的可见光透过率以及近红外屏蔽率。先将含钛源的盐酸水溶液、含钨离子的乙醇溶液、铯源以及乙酸配制成溶剂热反应前驱液，然后进行溶剂热反应，最后对溶剂热反应产物进行退火处理，即得到所述钛掺杂铯钨青铜粉体，该粉体的制备方法操作简单，反应条件温和，反应时间短，产量高，而且制备的粉体具有较高的可见光透过率以及近红外屏蔽率，促进铯钨青铜在节能领域的应用。
一种掺杂青铜及其制备方法

[发明专利]一种铯钨青铜纳米片及其制备方法和应用-CN202210884646.5在审
发明人：方海南 -专利权人：湖南亿明新材料有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种铯钨青铜纳米片及其制备方法和应用，属于无机纳米隔热材料技术领域。包括以下步骤：向钨酸钠水溶液中滴加强酸进行复分解反应，得到片状WO3；将所述片状WO3和铯源混合，得到前驱体粉末；将所述前驱体粉末进行还原，得到所述铯钨青铜纳米片。本发明采用复分解反应(液相法)制备片状WO3，所需要时间短，所需设备简单且在常压条件下制备，此方法产率高适合大规模制备；再将所述片状WO3和铯源混合得到的前驱体粉末进行还原，即采用固相法制备最终产物铯钨青铜纳米片，结合液相法和固相法的优势，提出了一种可大规模量产的铯钨青铜纳米片的制备方法，有效降低了能耗，全程无污染性液体或气体排放
一种青铜纳米及其制备方法应用

[发明专利]一种卤铜铯晶体的制备方法-CN202111219006.4有效
发明人：刘满营;范二闯;郑直 -专利权人：许昌学院
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C01G3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种卤铜铯晶体的制备方法。首先制备晶体母液：按铜与铯的原子比为2：1称量铜源和铯源；将称量好的铜源、铯源、氢卤酸混合均匀，氢卤酸过量，装入密闭反应釜中进行水热反应形成卤铜铯CsCu2X3晶体母液；卤铜铯晶体生长：在上述卤铜铯母液中，缓慢加入晶体生长剂，合成卤铜铯CsCu2X3铯晶体，解决了卤铜铯晶体的制备难题，为卤铜铯晶体的制备提供了新思路。
一种卤铜铯晶体制备方法

[实用新型]一种新型二连铸结晶器-CN202321287093.1有效
发明人：薛远心;刘强;孙心勇;胡金强;张绍坤;杜威 -专利权人：天津钢管制造有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： B22D2/00 文献下载
摘要：本实用新型属于钢铁生产中的连铸设备设备技术领域，公开一种新型二连铸结晶器，所述结晶器包括结晶器壳体、结晶器水套、结晶器铜管和液面检测系统，所述结晶器铜管、结晶器水套均沿竖直方向设置，结晶器水套同轴相连接设置于结晶器铜管的上部外表面上，结晶器铜管、结晶器水套均与结晶器壳体相连接设置；结晶器壳体上相连接设置液面检测系统，结晶器水套的外表面上制出第一弧形凹槽和第二弧形凹槽。本结晶器使得铯源接收器能够更好地接收到铯源的信号，进而能够更好地检测钢水的液面高度，保证了检测结果的准确性，液位自动控制稳定、波动小，同时也提高了成品的合格率，给生产带来了便利。
一种新型二连铸结晶器

[发明专利]一种提高InGaAs光电阴极量子效率的激活方法-CN202010358213.7有效
发明人：张益军;荣敏敏;张锴珉;舒昭鑫;王自衡;钱芸生;李姗;李诗曼;詹晶晶 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01J9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高InGaAs光电阴极量子效率的激活方法，包括铯、氧激活和铯、NF3激活的两次激活，具体为：对InGaAs光电阴极进行第一次高温净化；开启铯源，当光电流下降到峰值电流的50％～85％时，开启氧源，并保持铯源开启，当光电流再次到达峰值时关闭氧源；对InGaAs光电阴极进行第二次高温净化；开启铯源，当光电流下降到峰值电流的50％～85％时，开启NF3进气阀门，使NF3气体进入激活腔体，并保持铯源开启，当光电流曲线上升速率小于0.2μA/min，关闭NF3进气阀门，关闭铯源。
一种提高 ingaas 光电阴极量子效率激活方法

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