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[发明专利]新型管槽内沟槽的宽度测量装置-CN201210234369.X无效
发明人：王鹏 -专利权人：无锡成诺精密机械有限公司
申请日： 2012-07-06 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： G01B5/02 文献下载
摘要：本发明属于机械领域用的测量装置，特别涉及一种用于测量管槽内沟槽的宽度的测量装置。新型管槽内沟槽的宽度测量装置，其包括测量座，所述的测量座的上方的右侧部设置有安装板，所述的安装板上通过螺钉设置有强磁钢，所述的安装板上环绕磁钢设置有多个定位钢珠，所述的测量座上设置有安装孔，所述的安装孔内设置有测量仪
新型管槽内沟槽宽度测量装置

[发明专利]处理沟槽内铜电镀层的方法-CN201010233242.7无效
发明人：叶菁 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-07-16 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种处理沟槽内铜电镀层的方法，该方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有绝缘层，所述绝缘层中形成有沟槽；在所述沟槽内填充铜电镀层，所述铜电镀层的高度高于所述绝缘层的高度；对所述铜电镀层进行第一次平坦化
处理沟槽内铜电镀层方法

[实用新型]新型管槽内沟槽的宽度测量装置-CN201220327131.7有效
发明人：王鹏 -专利权人：无锡成诺精密机械有限公司
申请日： 2012-07-06 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： G01B5/02 文献下载
摘要：本实用新型属于机械领域用的测量装置，特别涉及一种用于测量管槽内沟槽的宽度的测量装置。新型管槽内沟槽的宽度测量装置，其包括测量座，所述的测量座的上方的右侧部设置有安装板，所述的安装板上通过螺钉设置有强磁钢，所述的安装板上环绕磁钢设置有多个定位钢珠，所述的测量座上设置有安装孔，所述的安装孔内设置有测量仪
新型管槽内沟槽宽度测量装置

[实用新型]沟槽内井身模板的支护装置-CN202122782492.2有效
发明人：田雨 -专利权人：山东省路桥集团有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： E02D17/08 文献下载
摘要：针对现有阶段模板施工存在的问题，本实用新型目的是提供了一种沟槽内井身模板的支护装置，可以使模板快速搭设与拆除，减少施工所需要的时间及用工成本。其包括模板、多个外侧千斤顶和多个内侧千斤顶；模板，包括侧模Ⅰ、侧模Ⅱ和底模，底模铺设在沟槽底部的垫层上，侧模Ⅰ靠近沟槽侧壁的一侧及侧模Ⅱ远离沟槽侧壁的一侧均设有缓冲板，侧模Ⅰ、侧模Ⅱ及缓冲板通过螺杆组件连接为一体，侧模Ⅰ与侧模Ⅱ之间底部灌筑有混凝土，顶部设有钢筋笼；外侧千斤顶，一端连接承压板，另一端连接侧模Ⅰ，承压板铺设在沟槽侧壁内侧；内侧千斤顶，设置在侧模Ⅱ内部。
沟槽内井身模板支护装置

[实用新型]散热翅片沟槽内边开槽装置-CN202320262548.8有效
发明人：金炜炜;吴程俊;付孟旭;付孟祥;赵明华;祁小牛;吴飞鸿 -专利权人：昆山优环精密机械有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B23Q1/25 文献下载
摘要：本实用新型公开了散热翅片沟槽内边开槽装置，包括底座，所述底座的上端固定连接有若干个第一电动推杆，所述第一电动推杆的上端固定连接有安装壳，所述安装壳的内部开设有安装腔，所述安装腔的内部固定连接有第一电机，
散热沟槽开槽装置

[实用新型]油缸沟槽内径数显游标尺-CN201020289291.8无效
发明人：孟柏;卢善华;李望安 -专利权人：黄石华强数控机床有限公司
申请日： 2010-08-05 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： G01B5/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及测量工具，是一种油缸沟槽内径数显游标尺，它包括有一数显深度尺，特别是：设计有一支座，数显深度尺的尺框采用左右压块螺钉固定安装于支座上，支座的尾端设计有凸台，凸台上安装有向后延伸的可调测量杆，该可调测量杆的中心线与数显深度尺的尺身的长向中心线同轴布置；本实用新型解决了油缸沟槽内径测量困难的问题，可广泛用于对各种筒形带有深而窄沟槽类工件的沟槽内径测量。
沟槽内径游标

[实用新型]液流框及钒电池-CN202022177816.5有效
发明人：俞瑜;杨杰 -专利权人：苏州贝铠能源科技有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01M8/0273 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种液流框及钒电池，所述液流框包括带有中空部的框体，所述框体上设有进液口和出液口，所述进液口和出液口分别通过沟槽与所述中空部连通，电解液在所述沟槽内流通，所述框体还包括第一平面，所述沟槽低于所述第一平面，所述沟槽的两侧分别设有高于所述第一平面的凸筋。本实用新型中，利用低于第一平面的沟槽和高于第一平面的凸筋，形成3D效果，一方面可以增加沟槽内电解液的流量，另一方面可以利用凸筋，使液流框与盖板实现密封连接，从而避免漏液，降低成本，延长电堆的使用寿命。
液流框电池

[实用新型]改良结构的高尔夫球木杆头-CN98249218.9无效
发明人：赖建吉;张保兴 -专利权人：仰福企业股份有限公司
申请日： 1998-12-03 - 公布日： 1999-11-17 - 主分类号： A63B53/04 文献下载
摘要：一种改良结构的高尔夫球木杆头,其主要是在本体打击面后方的上缘处,开设有一沟槽,该沟槽内设有加强肋,并在沟槽内灌注吸震材质,使其形成一吸震层,并且配合球杆头不同位置的重心,而形成高度、宽度、形状不同的沟槽
改良结构高尔夫球木杆

[实用新型]宽沟槽栅IGBT芯片-CN201821367528.2有效
发明人：关仕汉;迟晓丽 -专利权人：淄博汉林半导体有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种宽沟槽栅IGBT芯片，包括IGBT芯片本体，IGBT芯片本体包括N‑型衬底，N‑型衬底的上表面开设有多个宽沟槽，宽沟槽的内部填充中部绝缘物，宽沟槽的内壁设置沟槽内氧化层，沟槽内氧化层的侧壁外侧设置多晶硅墙，所述中部绝缘物位于宽沟槽内的多晶硅墙之间；本实用新型采用宽沟槽栅设计，提升了IGBT芯片的电导调制效果，达到低VCEsat的功能，降低了IGBT芯片的通态功耗；另外，通过在宽沟槽中设置多晶硅墙，与现有技术的沟槽式IGBT结构相比，该宽沟槽栅IGBT芯片中宽沟槽底部多晶硅与集电极间的电容Cgc(米勒电容)减小，提高了IGBT的开关频率，降低了IGBT的开关损耗。
宽沟槽多晶硅本实用新型内氧化层绝缘物衬底半导体技术领域电导调制开关频率开关损耗米勒电容内部填充通态功耗外侧设置沟槽式集电极上表面电容侧壁减小内壁

[实用新型]手工具-CN202222832615.3有效
发明人：谢智庆 -专利权人：优钢机械股份有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： B25B13/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种手工具，包含手柄、至少一驱动头、至少一沟槽以及至少一抵靠组件。驱动头连接于手柄的至少一端。沟槽设置于驱动头的内缘。沟槽包含内壁及至少一裕度结构。裕度结构自内壁的一端延伸，裕度结构与内壁之间有一角度。抵靠组件设置于沟槽内。借此，有利于待操作件与手工具的连接及移除。
工具

[实用新型]一种板式连接用密封套机构-CN202221414353.2有效
发明人：沈江山;沈江水;袁忠银 -专利权人：无锡盾宇重工科技有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： F16L23/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及反复拆装注浆管法兰板对接密封技术领域，具体涉及一种板式连接用密封套机构，其技术方案是：包括套管，所述套管外径侧壁有上、下两个沟槽，所述套管外壁中间还开设一个便于使用工具拆卸中间环槽，所述上沟槽与下沟槽关于中间环槽中线对称布置在套管外径侧壁，所述上沟槽内壁安装上密封圈，所述下沟槽内壁安装下密封圈，所述套管装有上密封圈的一端装入上法兰，所述套管装有下密封圈的一端装入下法兰的一端，所述上法兰内壁固定安装上浆管，所述下法兰内壁固定安装下浆管，本实用新型的有益效果是
一种板式连接密封机构

[发明专利]直埋保温管道通过沼泽地段的施工方法-CN201310607200.9有效
发明人：刘玉科;谭福生;赵玉波;张彦龙 -专利权人：中国华冶科工集团有限公司
申请日： 2013-11-25 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： F16L1/028 文献下载
摘要：本发明提供一种直埋保温管道通过沼泽地段的施工方法，采用煤矸石筑填沼泽地形成工作面，在工作面上挖掘直埋保温管道的沟槽，在沟槽的底部淤泥部分进行石子换填，换填的石子在沟槽的底部形成允许地下水流过的石子换填层；沟槽的底部水面不超过石子换填层，并在石子换填层与敷设的管道之间铺设中粗砂层；在沟槽内挖掘固定墩基槽；中粗砂层干燥后，将管道安装在沟槽内，对管道进行对口焊接；将固定墩安装在固定墩基槽内用来固定放置在沟槽内的管道；在对口焊接完成后，对沟槽回填。
保温管道通过沼泽地段施工方法

[发明专利]背照式CMOS图像传感器的形成方法-CN202210227193.9在审
发明人：范晓 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种背照式CMOS图像传感器的形成方法，包括：提供第一衬底，所述第一衬底包括相对的第一面和第二面；自所述第二面刻蚀所述第一衬底，在所述第一衬底内形成沟槽；在形成所述沟槽之后，在所述第一面上形成器件层；在所述沟槽内形成隔离层，所述沟槽的形成工艺在所述器件层的形成工艺之前完成，在所述沟槽形成后续的高温工艺过程(如源漏层的形成工艺过程)可以减少沟槽刻蚀过程带来的损伤，所述沟槽的形成工艺也可以包括高温热退火工艺，以减少所述沟槽的刻蚀过程中带来的损伤
背照式 cmos 图像传感器形成方法

[发明专利]垂直腔面发射激光器及制造方法-CN202211292084.1在审
发明人：王嘉星;张穗 -专利权人：深圳博升光电科技有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本申请公开了一种垂直腔面发射激光器及制造方法，其中，垂直腔面发射激光器包括激光器前驱体，激光器前驱体包括层叠设置的第一反射器层、氧化层、发光层及第二反射器层，激光器前驱体包括两个以上发光区域，至少相邻所述发光区域之间设置有氧化沟槽，氧化沟槽至少自所述激光器前驱体的顶部贯通至第一反射器层的顶部；第二反射器层包括多层第一反射层和多层第二反射层，第一反射层和第二反射层交替层叠设置，第二反射层的侧面自氧化沟槽向背离氧化沟槽的方向，形成凹槽；激光器前驱体上设置有保护层，所述保护层至少覆盖于所述氧化沟槽的内壁，且其中一部分填充于所述凹槽内。
垂直发射激光器制造方法

[发明专利]电子装置-CN200710305471.3无效
发明人：许峰维 -专利权人：英业达股份有限公司
申请日： 2007-12-25 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： G06F3/048 文献下载
摘要：屏幕具有一画面。机壳具有一操控钮沟槽及一笔杆沟槽。操控钮装置于操控钮沟槽内。笔杆沟槽与操控钮沟槽连通。触控笔包括一笔杆及一凸块。笔杆插置于笔杆沟槽内。
电子装置