专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]组装式水泥预制双层电缆沟槽及其制造方法-CN201610116912.4有效
  • 潘传武 - 湖北壮志石化设备科技有限公司
  • 2016-03-02 - 2018-01-19 - B28B23/02
  • 组装式水泥预制双层电缆沟槽及其制造方法,包括沟槽基体和盖板,所述盖板设置于沟槽基体上,所述沟槽基体为混凝土预制件;所述沟槽基体包括沟槽底板、沟槽背墙、第一沟槽壁、第二沟槽壁、沟槽面墙和沟槽顶板,所述沟槽背墙、第一沟槽壁、第二沟槽壁和沟槽面墙的底部均与沟槽底板的顶面固定连接,所述第二沟槽壁和沟槽面墙的顶部与沟槽顶板的底部固定连接;所述沟槽底板、第二沟槽壁、沟槽面墙与沟槽顶板之间形成有封闭电缆槽,所述沟槽底板上的沟槽背墙与第一沟槽壁之间形成有第一电缆沟,所述沟槽底板上的第一沟槽壁与第二沟槽壁之间形成有第二电缆沟。
  • 组装水泥预制双层电缆沟槽及其制造方法
  • [实用新型]组装式水泥预制双层电缆沟槽-CN201620157665.8有效
  • 潘传武 - 湖北壮志石化设备科技有限公司
  • 2016-03-02 - 2016-08-03 - B28B23/02
  • 组装式水泥预制双层电缆沟槽,包括沟槽基体和盖板,所述盖板设置于沟槽基体上,所述沟槽基体为混凝土预制件;所述沟槽基体包括沟槽底板、沟槽背墙、第一沟槽壁、第二沟槽壁、沟槽面墙和沟槽顶板,所述沟槽背墙、第一沟槽壁、第二沟槽壁和沟槽面墙的底部均与沟槽底板的顶面固定连接,所述第二沟槽壁和沟槽面墙的顶部与沟槽顶板的底部固定连接;所述沟槽底板、第二沟槽壁、沟槽面墙与沟槽顶板之间形成有封闭电缆槽,所述沟槽底板上的沟槽背墙与第一沟槽壁之间形成有第一电缆沟,所述沟槽底板上的第一沟槽壁与第二沟槽壁之间形成有第二电缆沟。
  • 组装水泥预制双层电缆沟槽
  • [实用新型]一种硫化模具主流道-CN202020205486.3有效
  • 沈太贵;郭秀忠;梅军 - 浙江宏利汽车零部件股份有限公司
  • 2020-02-25 - 2020-12-15 - B29C35/02
  • 本实用新型涉及一种硫化模具主流道,包括设有底面、前侧面和后侧面的上模具,底面设有液态橡胶注入坑、左横向沟槽、左前纵向沟槽、左后纵向沟槽、右横向沟槽、右前纵向沟槽和右后纵向沟槽,前侧面设有前侧面部左沟槽和前侧面部右沟槽,后侧面设有后侧面部左沟槽和后侧面部右沟槽,前侧面部左沟槽通过左前纵向沟槽和左横向沟槽同液体橡胶注入坑连通,前侧面部右沟槽通过右前纵向沟槽和右横向沟槽同液体橡胶注入坑连通,后侧面部左沟槽通过左后纵向沟槽和左横向沟槽同液体橡胶注入坑连通,后侧面部右沟槽通过右后纵向沟槽和右横向沟槽同液体橡胶注入坑连通。
  • 一种硫化模具主流
  • [实用新型]一种节省多晶硅光刻版的沟槽IGBT版图-CN201921368101.9有效
  • 陆怀谷 - 深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司
  • 2019-08-22 - 2020-04-03 - G03F1/00
  • 本实用新型涉及一种节省多晶硅光刻版的沟槽IGBT版图,适用于沟槽IGBT金属栅电极、发射极放置前的多晶硅光刻工艺,上述沟槽IGBT版图包括连接金属层,上述连接金属层通过沟道分割为栅极区域、发射极区域;上述沟槽IGBT版图还包括有源区沟槽层,上述有源区沟槽层设有若干有源区沟槽,上述有源区沟槽横贯发射极区域,部分有源区沟槽延伸进入栅极区域;上述沟槽IGBT版图还包括栅极沟槽层,上述栅极沟槽层设有若干栅极沟槽,上述栅极沟槽连贯延伸进入栅极区域的有源区沟槽;上述沟槽IGBT版图还包括沟槽连接孔,上述沟槽连接孔连通栅极区域的有源区沟槽和栅极沟槽。有益效果是沟槽IGBT光刻工艺中节省多晶硅光刻版、从而减小沟槽IGBT输入输出电容。
  • 一种节省多晶光刻沟槽igbt版图
  • [发明专利]重载充气轮胎-CN201510524054.2有效
  • 松田佳恵;前原敦史;键本修司 - 住友橡胶工业株式会社
  • 2015-08-24 - 2018-12-11 - B60C11/11
  • 提供了一种重载充气轮胎,其包括胎面部,该胎面部设置有周向连续延伸的主沟槽以及连接在主沟槽之间的轴向沟槽以形成区块。主沟槽包括设置在轮胎赤道线的每一侧上的锯齿形胎冠主沟槽以及设置在每个胎冠主沟槽的轴向外侧的锯齿形胎肩主沟槽,其中,胎冠主沟槽沟槽宽度小于胎肩主沟槽沟槽宽度。轴向沟槽包括胎冠轴向沟槽和中间轴向沟槽,该胎冠轴向沟槽周向划分开胎冠区块,该胎冠区块设置在胎冠主沟槽之间并且各自具有大致六边形的胎面,该中间轴向沟槽周向划分开中间区块,该中间区块设置在每个胎冠主沟槽与相邻的胎肩主沟槽之间,并且各自具有大致六边形的胎面,其中,中间轴向沟槽沟槽宽度大于胎冠轴向沟槽沟槽宽度。
  • 重载充气轮胎
  • [发明专利]一种沟槽栅型IGBT芯片及其制作方法-CN201510766095.2有效
  • 刘国友;覃荣震;黄建伟;罗海辉;戴小平 - 株洲南车时代电气股份有限公司
  • 2015-11-10 - 2018-09-14 - H01L29/423
  • 本发明公开了一种沟槽栅型IGBT芯片及其制作方法,位于所述述基区背离所述漂移区一侧、且沿第二方向间隔设置的多个第一辅助沟槽和多个第二辅助沟槽,所述第一辅助沟槽和第二辅助沟槽均延伸至所述漂移区,所述第一辅助沟槽与所述第一常规沟槽相连通,所述第二辅助沟槽与所述第二常规沟槽相连通。由上述内容可知,本发明提供的技术方案,通过在第一常规沟槽和第二常规沟槽之间设置第一辅助沟槽和第二辅助沟槽,且第一辅助沟槽与第一常规沟槽相连通,第二辅助沟槽与第二常规沟槽相连通,以间接缩短第一常规沟槽和第二常规沟槽之间的间距,提高了沟槽栅型IGBT芯片的关断速度,提高了沟槽栅型IGBT芯片的性能。
  • 一种沟槽igbt芯片及其制作方法
  • [实用新型]轮胎胎面结构及具有其的轮胎-CN202223444483.3有效
  • 徐学基;蔡晔伦;徐永强;王续;苏松 - 赛轮集团股份有限公司
  • 2022-12-22 - 2023-05-12 - B60C11/03
  • 其中,轮胎胎面结构包括:多个肩部沟槽,沿轮胎的周向间隔设置在轮胎的肩部;连通沟槽,相邻的两个肩部沟槽之间通过连通沟槽连通;纵向沟槽,沿轮胎的周向延伸;第一沟槽,肩部沟槽通过第一沟槽与纵向沟槽连通,肩部沟槽和纵向沟槽分别位于第一沟槽的两侧;第二沟槽,连通沟槽通过第二沟槽与纵向沟槽连通;其中,肩部沟槽的槽深与槽宽之比大于等于0.9且小于等于1.2,纵向沟槽、第一沟槽及第二沟槽中的至少一个内设置有凸部。
  • 轮胎结构具有
  • [发明专利]一种弹片-CN201510166883.8无效
  • 何胥 - 太仓斯普宁精密机械有限公司
  • 2015-04-10 - 2015-09-02 - F16F1/18
  • 本发明公开了一种弹片,包括弹片体,所述弹片体上设置有第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽,所述第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽均为通孔槽,所述第一沟槽与第二沟槽的延伸方向平行,所述第三沟槽的延伸方向与所述第一沟槽或第二沟槽的延伸方向垂直,所述第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽相互连通。
  • 一种弹片

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