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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]氮化锆增强氧氮化铝复合陶瓷材料的制备方法-CN201410498729.6在审
发明人：徐聪 -专利权人：青岛诚一知识产权服务有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：一种氮化锆增强氧氮化铝复合陶瓷材料的制备方法其制备方法为配料超声分散纳米氧化锆粉体制备氧氮化铝和氧化锆构成的混合浆料制备氧氮化铝和氧化锆构成的混合粉体制备氮化铝增强氧氮化铝复合陶瓷材料该方法制备的氮化锆增强氧氮化铝陶瓷材料具有抗弯强度高的特点
氮化增强复合陶瓷材料制备方法

[发明专利]氮化锆增强氧氮化铝复合陶瓷材料的制备方法-CN201010563397.7无效
发明人：张宁;赵小军;茹红强 -专利权人：沈阳大学
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：一种氮化锆增强氧氮化铝复合陶瓷材料的制备方法，其制备方法为：（1）配料；（2）超声分散纳米氧化锆粉体；（3）制备氧氮化铝和氧化锆构成的混合浆料；（4）制备氧氮化铝和氧化锆构成的混合粉体；（5）制备氮化铝增强氧氮化铝复合陶瓷材料该方法制备的氮化锆增强氧氮化铝陶瓷材料具有抗弯强度高的特点。
氮化增强复合陶瓷材料制备方法

[发明专利]薄膜形成方法及装置-CN202110935574.8在审
发明人：韩奭俊;李太浣;洪荣俊 -专利权人：圆益IPS股份有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的薄膜形成方法的一实施例包括：氧化硅薄膜形成步骤，在基板上形成氧化硅薄膜；第一氧氮化硅薄膜形成步骤，在所述氧化硅薄膜上形成第一氧氮化硅薄膜，而且还包括调节所述第一氧氮化硅薄膜中的氮(N)含量的第一工艺条件来形成第一氧氮化硅薄膜；第二氧氮化硅薄膜形成步骤，在所述第一氧氮化硅薄膜上形成第二氧氮化硅薄膜，而且还包括调节所述第二氧氮化硅薄膜中的氮(N)含量的第二工艺条件来形成第二氧氮化硅薄膜；其中，调节所述第一工艺条件和所述第二工艺条件，以使所述第一氧氮化硅薄膜中的氮(N)含量大于所述第二氧氮化硅薄膜中的氮(N)含量。
薄膜形成方法装置

[发明专利]一种高热导率氮化硅陶瓷及其制备方法-CN201910763884.9有效
发明人：杨大胜;施纯锡 -专利权人：福建华清电子材料科技有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷材料制备技术领域，提供一种高热导率氮化硅陶瓷及其制备方法，解决现有技术氮化硅陶瓷热导率不高的问题。所述氮化硅陶瓷包括：氮化硅60～90份、碳化硅8～12份、稀土氯化物3～5份、氟化镱0.2～1份、氮化锆0.5～2份、分散剂5～10份。本发明添加稀土氯化物在不额外引入氧的情况下，提高了氮化硅粉体的烧结活性，实现氮化硅陶瓷的致密化；氟化镱可以促进Si和N的扩散，且与氮化硅晶格内的氧杂质反应，从而有效地降低氮化硅晶格溶解氧含量，提高氮化硅热导率；氮化锆中的锆离子对氧具有很强的亲和力，可以吸收部分晶格内的氧杂质。稀土氯化物、氟化镱及氮化锆相互配合，还可以增加氮化硅晶粒的尺寸，排出氧杂质。
一种高热氮化陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种多孔钽基氧氮化物陶瓷及其制备方法-CN201910464479.7有效
发明人：李端;李斌;曾良 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔钽基氧氮化物陶瓷的制备方法，包括以下步骤：S1、将钽基氧氮化物粉研磨均匀后干燥，得氧氮化物干粉；S2、将氧氮化物干粉置于模具中进行模压成型，得片状坯体；S3、将片状坯体竖直放置于反应容器中且片状坯体与反应容器间隔设置，在保护气氛下进行无压放电等离子烧结，得氧氮化物陶瓷片；S4、将氧氮化物陶瓷片进行除碳处理，得多孔钽基氧氮化物陶瓷。
一种多孔钽基氧氮化物陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种测定氮化铝晶格氧含量的方法-CN202111304794.7有效
发明人：韩丽辉;张智睿;于春梅;陈学娟;秦明礼;吴昊阳 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：本发明公开了一种测定氮化铝晶格氧含量的方法，属于分析测试技术领域。所述测定氮化铝晶格氧含量的方法包括以下步骤：将含烧结助剂的氮化铝样品、石墨粉和锡、铜二元浴料加入到耐高温容器中，采用分段升温模式加热耐高温容器中的混合物，利用红外吸收光谱法分段测定氮化铝样品释放出的氧，计算氮化铝晶格氧含量。本发明利用惰性熔融‑红外吸收法准确测定氮化铝晶格氧含量，通过选择合适的坩埚、添加剂和浴料，以及设置合理的分析参数来准确测定氮化铝晶格中氧含量。该方法操作简单，易于掌握，能够有效区分测定晶格氧和其他氧含量，对于高性能氮化铝陶瓷的生产、科研及应用的质量控制提供了可靠保障。
一种测定氮化晶格含量方法

[发明专利]生产单晶氧氮化铌膜的方法和在单晶氧氮化铌膜上产生氢气的方法-CN201580002747.3在审
发明人：菊地谅介;野村幸生;羽藤一仁;田村聪;藏渕孝浩 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2015-10-06 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种生产适合用于氢气发生装置的单晶氧氮化铌膜的方法。本发明提供一种生产单晶氧氮化铌膜的方法，所述单晶氧氮化铌膜是由化学式NbON表示的氧氮化铌形成的；此方法包括：(a)在选自经氧化钇稳定的氧化锆基材、氧化钛基材和钇‑铝复合氧化物基材的一种基材上外延生长单晶氧氮化铌膜
生产单晶氧氮化方法铌膜上产生氢气

[发明专利]氧氮化物半导体-CN200880012789.5有效
发明人：板垣奈穗;岩崎达哉;渡边壮俊;田透 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2008-04-23 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供氧氮化物半导体，其包含金属氧氮化物。该金属氧氮化物含有Zn和选自In、Ga、Sn、Mg、Si、Ge、Y、Ti、Mo、W和Al中的至少一种元素。该金属氧氮化物具有7原子％-80原子％的N的原子组成比N/(N+O)。
氮化物半导体

[发明专利]一种氮化铝弥散强化铜复合材料的内氮化制备方法-CN201911306401.9在审
发明人：韩坦;朱戴博;陈红 -专利权人：苏州金江铜业有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝弥散强化铜复合材料的内氮化制备方法，是以铜铝合金粉为原料，在氮、氢混合的气氛中进行氮化、除氧，制备无氧铜级氮化铝弥散铜合金粉；而后将合金粉置于热等静压炉内进行热等静压，得到无氧铜级氮化铝弥散强化铜合金初制锭坯；将初制锭坯进行热加工、冷加工和热处理，制得无氧铜级氮化铝弥散强化铜合金棒材或其他产品，该方法可获得无氧铜级氮化铝弥散铜合金粉，直接热等静压成锭坯，工艺过程简单，所制备的无氧铜级氮化铝弥散强化铜合金性能优异
一种氮化弥散强化复合材料制备方法

[发明专利]一种金属铝包覆立方氮化硼及其制备方法-CN201811158407.1有效
发明人：吴一;姜铸峰;邹正光;龙飞;王吉林;武晓鹂 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： B22F1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属铝包覆立方氮化硼及其制备方法，属于超硬材料技术领域。本发明中金属铝包覆立方氮化硼包括立方氮化硼核体、硅氧粘结层和铝包覆层；该硅氧粘结层结合在立方氮化硼核体表面，金属铝包覆层粘附于硅氧粘结层表面。本发明在立方氮化硼表面修饰硅氧粘结层，以硅氧粘结层作为连接中介，实现铝粉在立方氮化硼粉体表面的粘附。实施例结果表明，本发明成功实现了铝在立方氮化硼粉体的包覆，得到了金属铝包覆立方氮化硼。
一种金属铝包覆立方氮化及其制备方法

[发明专利]复合涂层刀具及其制备方法和应用-CN202110120644.4有效
发明人：林海天;李立升;许雨翔;王启民 -专利权人：东莞市华升真空镀膜科技有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合涂层刀具及其制备方法和应用，复合涂层刀具包括刀具基体，刀具基体的表面设有依次层叠的金属氮化物层、金属氧氮化物梯度层和金属氧化物层；自金属氮化物层至金属氧化物层的方向上，金属氧氮化物梯度层的氧含量逐渐增大且小于金属氧化物层的氧含量本发明的复合涂层刀具通过梯度结构，成功将刀具基体与氧化物涂层之间的结合问题转化成了刀具基体与氮化物、氮化物与氧氮化物、不同氧含量的氧氮化物之间以及氧氮化物与氧化物之间结合的问题。
复合涂层刀具及其制备方法应用

[发明专利]用于切削工具的绿色耐火涂层-CN201710053005.4有效
发明人： K.H.温特;V.索特克;R.A.库珀;P.莱克特;刘一雄 -专利权人：钴碳化钨硬质合金公司
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本文所述的带涂层切削工具包括基底和粘附于所述基底的涂层，所述涂层包括通过化学气相沉积法所沉积的至少一个复合层，所述复合层包含氧氮化铝相、包括氧化锆在内的金属氧化物相、硫氮化锆相以及除所述氧氮化铝相之外的金属氧氮化物相，所述金属氧氮化物相包括氧氮化锆。
用于切削工具绿色耐火涂层

[发明专利]用于切削工具的绿色耐火涂层-CN201480005943.1有效
发明人： K·H·温特;V·索特克;R·A·库珀;P·莱克特;刘一雄 -专利权人：钴碳化钨硬质合金公司
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本文所述的带涂层切削工具包括基底和粘附于所述基底的涂层，所述涂层包括通过化学气相沉积法所沉积的至少一个复合层，所述复合层包含氧氮化铝相、包括氧化锆在内的金属氧化物相、硫氮化锆相以及除所述氧氮化铝相之外的金属氧氮化物相，所述金属氧氮化物相包括氧氮化锆。
用于切削工具绿色耐火涂层

[实用新型]硬质光学膜及玻璃产品-CN201721724122.0有效
发明人：李可峰;许仁 -专利权人：维达力实业（深圳）有限公司;万津科技有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：所述硬质光学膜包括氮化硅层和氧氮化硅层，氮化硅层和氧氮化硅层层叠设置。所述硬质光学膜通过氮化硅层和氧氮化硅层层叠配合设置，并可通过调整氮化硅层和氧氮化硅层的厚度使硬质光学膜满足预设的光透射要求并具有高硬度，表面不易被划伤，进而避免膜层因微观挫伤造成的光学颜色差异，同时所述硬质光学膜还具有良好的耐摩擦性和耐溶剂性
光学膜硬质氮化硅层氧氮化硅层玻璃产品氧氮化硅本实用新型光学颜色耐摩擦性耐溶剂性配合设置高硬度光透射划伤膜层预设挫伤微观

[发明专利]制备无机发光材料的方法-CN201380037385.2有效
发明人： T·沃斯格罗内;H·温克勒;R·派特里;A·本克尔;C·汉佩尔 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： C09K11/59 文献下载
摘要：本发明涉及制备具有提高发射效率的铕掺杂碱土金属硅氮化物或碱土金属硅氧氮化物的方法。此外，本发明涉及可通过本发明制备方法得到的铕掺杂碱土金属硅氮化物或碱土金属硅氧氮化物，和本发明铕掺杂碱土金属硅氮化物或碱土金属硅氧氮化物作为转换无机发光材料的用途。此外，本发明还涉及包含本发明铕掺杂碱土金属硅氮化物或碱土金属硅氧氮化物的发光器件。
制备无机发光材料方法

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