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[发明专利]一种氢氧化镁悬浮浆料的连续生产工艺-CN202310759884.8在审
发明人：张海波;宋占龙 -专利权人：山东中轩海美新材料有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氢氧化镁悬浮浆料的连续生产工艺，属于氢氧化镁悬浮浆料生产技术领域，所述一种氢氧化镁悬浮浆料的连续生产工艺包括以下步骤：获取一定量的400目氢氧化镁粉末、一定量的400目氧化镁粉末、化学品以及去离子水，制备氢氧化镁悬浮浆料，利用研磨机对得到的氢氧化镁悬浮浆料进行研磨处理，对研磨后的氢氧化镁悬浮浆料进行滤选处理，调制并存储氢氧化镁悬浮浆料，具有连续制备氢氧化镁浆料、可控精细研磨、超声波振动与离心机滤选、PH值调整以及高品质氢氧化镁悬浮浆料生产的优点。
一种氢氧化镁悬浮浆料连续生产工艺

[发明专利]一种氢氧化镁阻燃剂的制备方法及氢氧化镁阻燃剂-CN201611014049.8在审
发明人：王福明;曾凡东;林宇 -专利权人：营口东吉科技（集团）有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： C01F5/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氢氧化镁阻燃剂的制备方法及氢氧化镁阻燃剂，所述氢氧化镁阻燃剂的制备方法包括（1）制备氯化镁溶液，其中，所述氯化镁溶液中的氯化镁的质量分数为20～40％；（2）将氯化镁溶液加热至相应温度后，向溶液中加入氧化钙、氧化镁、氢氧化钠与水混合后形成的复合沉淀剂；（3）待复合沉淀剂加入完全后，洗涤，过滤，得到氢氧化镁滤饼，再者，将氢氧化镁滤饼进行再浆处理；（4）在50℃真空烘箱中干燥3～10 h；（5）将干燥后的氢氧化镁破碎研磨，得到氢氧化镁阻燃剂。本发明制得的氢氧化镁阻燃剂中的氢氧化镁纯度大于等于99.0%，阻燃效果优良且产品工序简单、成本低廉、适合工业化生产。
一种氢氧化镁阻燃制备方法

[发明专利]连铸钢液中预沉淀纳米陶瓷颗粒细晶粒钢的制备方法-CN201310576521.7无效
发明人：王建明;丁龙先;马千贺 -专利权人：沈阳大学
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： B22D11/115 文献下载
摘要：连铸钢液中预沉淀纳米陶瓷颗粒细晶粒钢的制备方法，涉及一种连铸方法，将纳米氧化镁粉末，与铁粉与钼粉粉末按烧结成完全致密体的密度大于钢液密度（7.6克/厘米3）的比例在玛瑙研磨衣钵中混合，形成混合粉体填入石墨模具中，进行热压烧结；然后卸除载荷待烧结体冷却至室温后即可将烧结体从石墨模具中取出待用，该烧结体中弥散分布有氧化镁纳米陶瓷颗粒和不大于2微米的氧化镁纳米陶瓷颗粒的团聚体；同时开启连铸中间包和结晶器上的交流电磁搅拌器进行电磁搅拌该方法为一种电磁搅拌连铸钢液中预沉淀纳米陶瓷颗粒制备细晶粒钢的方法，实现了纳米陶瓷颗粒在钢的结晶组织中的弥散分布，也因此起到了细化钢晶粒组织和改善钢的性能的目的。
铸钢液中预沉淀纳米陶瓷颗粒晶粒制备方法

[发明专利]一种高抗热震性能的太阳能吸热陶瓷材料及其制备方法-CN201710221812.2有效
发明人：江锦春 -专利权人：郎溪品旭科技发展有限公司
申请日： 2017-04-06 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高抗热震性能的太阳能吸热陶瓷材料，包括以下组分：氧化镁、氮化硅、硅酸钾、氮化硼、碳化钽、氧化铬、硅酸钠、硫酸亚铁和氧化铝。本发明加大了氧化镁、硅酸钠和氧化铝三种主要成分的含量，并将其粒径控制在10‑50μm之间，在高温下容易生成类似于莫来石的结构，显著提高了陶瓷材料的抗热震性能，同时将氮化硅的粒径控制在纳米级，分散均匀后，由于氮化硅为原子晶体，结构稳定，可以进一步提高陶瓷的抗热震性能。
一种抗热性能太阳能吸热陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]氧化铝研磨使用的管磨机陶瓷内衬的制造方法-CN201310497822.0无效
发明人：宋佑鹤;张代德 -专利权人：襄阳市金控特种陶瓷科技有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化铝研磨使用的管磨机陶瓷内衬的制造方法，原料配方重量百分比如下：阿尔法氧化铝92～96%、氧化镁1～2%、氧化钙1～2%、氧化硅1～2%、粘土1～2%，制备方法如下：步骤1、先按配方重量比取阿尔法氧化铝、氧化镁、氧化钙、氧化硅、粘土混合均匀；步骤2、将上述混合料放入球磨机内研磨，研磨细度为250目；步骤3、将研磨后的粉料加入配方重量比的清水混合均匀；步骤4、将上述混合料采用压力机按内衬图样压制为坯料；步骤5、将压制的坯料放入棱式窑内烧制后即成为陶瓷内衬。本方法所生产的管磨机内衬在粘贴后使用时，可让设备在研磨陶瓷原料时，能避免研磨造成的金属磨粉带入陶瓷原料，有利确保陶瓷产品质量。
氧化铝研磨使用管磨机陶瓷内衬制造方法

[发明专利]等离子显示面板用复合氧化镁薄膜及其制法和应用-CN201410405698.5有效
发明人：严群;王连连;倪烨韧;田磊;唐李晟 -专利权人：北京大学工学院包头研究院
申请日： 2014-08-18 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01J17/02 文献下载
摘要：本发明涉及等离子显示屏领域，具体涉及一种等离子显示面板用复合氧化镁薄膜及其制法和应用。该复合氧化镁薄膜包括作为基底层（2）的氧化镁膜层和微晶颗粒层（3），微晶颗粒层（3）包括氧化镁膜层及微晶颗粒，所述微晶颗粒包含氧化物微晶颗粒，所述氧化物微晶颗粒的氧化物与微晶颗粒层（3）的氧化镁膜层的氧化镁的摩尔比为该氧化镁薄膜通过经过两次旋转涂敷工艺和一次烧结工艺制备得到，改善了现有工艺需要先镀好氧化镁薄膜，再在氧化镁薄膜表面制备氧化镁微晶颗粒层的两步制备的方法，工艺效率更高。本发明所制备的复合氧化镁薄膜可应用在PDP等气体放电器件中，全白场亮度均匀性达到90%以上，放电电压降低5 V以上。
等离子显示面板复合氧化镁薄膜及其制法应用

[发明专利]耐熔融铝侵蚀的改良气泡泵-CN201380025473.0有效
发明人：容·M·李;詹姆斯·M·科斯蒂诺;伊戈尔·科马罗夫斯基;杰罗姆·S·卡普;C·拉马德瓦·沙斯特里 -专利权人：安赛乐米塔尔研发有限公司
申请日： 2013-04-12 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： C22B9/05 文献下载
摘要：内部的表面可由陶瓷形成。所述陶瓷可选自氧化铝、氧化镁、硅酸盐、碳化硅或石墨及其混合物。陶瓷可以是不含碳的85％Al
熔融侵蚀改良气泡

[发明专利]单头出线氧化镁加热管-CN201710802565.5在审
发明人：王康;王益华 -专利权人：盐城市华康电热绝缘材料厂
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H05B3/50 文献下载
摘要：本发明涉及单头出线氧化镁加热管，包括电热丝，氧化镁管，加热管，所述的氧化镁管上设有穿孔，所述的电热丝一端穿入穿孔，所述的电热丝往复穿入穿孔，所述的电热丝两端在同一个氧化镁管的端面上，所述的氧化镁管的一端面上设有凹槽，所述的氧化镁管的另一端上设有凸台，所述的凹槽与凸台的尺寸相同，所述的氧化镁管的凹槽与凸台首尾配合，所述的加热管外包在氧化镁管上。本发明通过单头出线氧化镁加热管的设置，实现了加热丝的散热，方便的氧化镁管的组装，同时通过加热丝的多组穿入，满足了不同加热功率的需要，提高了实用性。
出线氧化镁热管

[发明专利]一种防静电的陶瓷墨水、制备方法及陶瓷砖-CN202010727250.0在审
发明人：吴飞翔;廖丽肖;裴艳;陈美娟;罗斌 -专利权人：广东特地陶瓷有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： C09D11/30 文献下载
摘要：本发明公开一种防静电的陶瓷墨水、制备方法及陶瓷砖，其特征在于，陶瓷墨水按重量组份主要包括以下原料：釉粉35‑45份，甘油5‑10份，树脂3‑7份，分散剂2‑5份，粘结剂0.8‑1.5份，表面活性剂0.8‑3份，水20‑30份，有机溶剂10‑20份；所述釉粉为氧化锆、氧化铝、二氧化硅、氧化锌、氧化钙、氧化镁、以及二氧化钛的混合物，所述二氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化锌、氧化钙、氧化镁、二氧化钛的重量比为1本发明提供的陶瓷墨水热稳定性高，不聚沉；将其喷涂在陶瓷砖上，制得的陶瓷具有非常优异的抗静电性能，耐磨损，防污等级高。
一种静电陶瓷墨水制备方法陶瓷砖

[发明专利]一种导热阻燃剂的制备方法及该导热阻燃剂在电池外壳上的应用-CN202011323786.2在审
发明人：毛贤仙;胡雨萌;刘桃松;陈冬;屠芳芳;张焱;张文;杨东辉;党志敏;相佳媛;李敏;陈建 -专利权人：浙江南都电源动力股份有限公司;杭州南都动力科技有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： C08K9/10 文献下载
摘要：本发明首先将氢氧化镁和碳基纳米填料通过硅烷偶联剂进行化学接枝改性，以降低表面极性，然后用硅橡胶封端包覆，硅橡胶的碳碳双键和表面接枝了石墨烯氨丙基三乙氧基硅烷的氢氧化镁发生加成反应，形成Si‑O‑Si键的核壳结构包裹在氢氧化镁表面，使得氢氧化镁由原来的亲水变成了超疏水状态。并且Si‑O‑Si键在高温燃烧过程中，会形成陶瓷结构包裹在材料表面，形成致密的碳层，隔绝空气，达到阻燃的目的。本发明解决了氢氧化镁的亲水性、聚合物基体的相容性以及石墨烯团聚的问题。
一种导热阻燃制备方法电池外壳应用

[发明专利]一种致密方镁石球粒及其制备方法-CN201610849627.3有效
发明人：魏耀武;张奇;李楠 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： C04B35/04 文献下载
摘要：其技术方案是：将氢氧化镁粉体置于造粒设备的料桶中，在1000~3000转/分钟的条件下，向所述料桶中加入占氢氧化镁粉体5~30wt%的水；当有球形颗粒形成时，将转速调至500~1000转/分钟，运转1~10分钟，停止造粒，制得氢氧化镁球形颗粒。将所述氢氧化镁球形颗粒取出，于110℃条件下干燥24小时；然后将干燥后的氢氧化镁颗粒置于加热窑炉中，在1400~1700℃条件下保温1~6小时，冷却，即得致密颗粒方镁石球粒。本发明具有工艺简单和成本低的特点；所制备的致密方镁石球粒使用温度高、高温性能稳定和抗水化性能好，是制备镁质耐火材料和高温陶瓷、尤其是镁质不定形耐火材料的优质原料。
一种致密方镁石球粒及其制备方法

[发明专利]一种由水氯镁石-白云石分层隔离煅烧制备氧化镁的方法-CN202211119107.9有效
发明人：张慧芳;吴成友 -专利权人：中国科学院青海盐湖研究所
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C04B2/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种由水氯镁石‑白云石分层隔离煅烧制备氧化镁的方法。所述方法包括：将水氯镁石与白云石分别置于加热装置中，并将多孔陶瓷设置于所述水氯镁石与白云石之间使其相互隔离；将所述水氯镁石与白云石进行煅烧处理，获得水氯镁石煅烧产物和白云石煅烧产物；对所述水氯镁石煅烧产物进行洗涤、过滤处理，获得第一固相物和第一滤液，之后将所述第一固相物进行煅烧处理，获得高纯氧化镁；将所述白云石煅烧产物与第一滤液混合，并进行洗涤、过滤，获得第二固相物，之后将所述第二固相物进行煅烧处理，获得建材用氧化镁本发明提供的方法简单、能耗低，几乎不排放氯化氢等气体，降低了设备的要求，且能同时制备出高纯氧化镁和建材用氧化镁。
一种水氯镁石白云石分层隔离煅烧制备氧化镁方法

[发明专利]用于种植牙的碳酸钙生物陶瓷及其制备方法-CN201410627544.0有效
发明人：潘林根;邱东成;刘乐峰 -专利权人：苏州维泰生物技术有限公司
申请日： 2014-11-10 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于种植牙的碳酸钙生物陶瓷及其制备方法，用于种植牙的碳酸钙生物陶瓷包括以下重量份计的原料：碳酸钙140～180份、氧化镁30～120份、氧化锆60～80份、氧化钇30～100份、十二烷基苯磺酸钠制备方法：碳酸钙、氧化镁、氧化锆、氧化钇磨成粉，加入十二烷基苯磺酸钠、聚乙烯酰胺、改性剂，混合均匀，放入磨具内加压成型；生坯烘干，在700～800℃烧成素坯；1000～1400℃加压烧结。本发明中加入了磷酸氢钙，磷酸氢钙可以减小生物陶瓷的气孔率，同时提高生物陶瓷的机械性能。
用于种植碳酸钙生物陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种陶瓷首饰及其制备方法-CN201310453182.3有效
发明人：陈锐群 -专利权人：陈锐群
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： C04B33/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种陶瓷首饰及其制备方法，属于陶瓷加工技术领域，其中各组分的重量份为高岭土55~60份、方解石15~18份、氧化铝10~15份、氧化镁3~5份、滑石粉3~5份、氧化锌5~8份、着色剂1~3份，其制备方法是将氧化铝10~15份、氧化镁3~5份、氧化锌5~8份球磨，达到颗粒分布大小为20~25nm，将余下的材料按上述比例混合搅拌均匀，在1400~1450℃的高温熔块炉融化2.0~2.5h，然后将熔浆倒入球形模具，冷却得陶瓷球体，根据需要设计出不同类型的首饰；该陶瓷首饰美观大方，价格实惠，耐磨耐腐蚀，适于工业上的大规模生产。
一种陶瓷首饰及其制备方法

[发明专利]陶瓷烧结体及采用其的半导体装置用基板-CN201080015347.3无效
发明人：长广雅则;大上纯史;小松敬幸 -专利权人：株式会社住友金属电设备
申请日： 2010-04-02 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： C04B35/111 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种陶瓷烧结体及采用其的半导体装置用基板，其机械强度高、放热性出众，且与铜板的接合界面上难以产生空隙。其解决手段是一种用作绝缘基板的陶瓷烧结体1，该绝缘基板用于安装电子部件，其特征在于，在对陶瓷烧结体进行制造时所用的粉体材料含有主成分的氧化铝、部分稳定化氧化锆、以及氧化镁，部分稳定化氧化锆的含有量的上限相对于粉体材料的全重量是30wt％，氧化镁的含有量相对于粉体材料的全重量是0.05～0.50wt％的范围内，陶瓷烧结体中所含的氧化锆结晶中80～100％是四方晶相。
陶瓷烧结采用半导体装置用基板