专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种含氟废水资源化生产氟化的微气泡处理设备-CN202020619595.X有效
  • 李远兵;夏雨天;孙孝敏 - 常州德申环保工程有限公司
  • 2020-04-22 - 2021-01-26 - C02F9/04
  • 本实用新型公开的属于废水处理技术领域,具体为一种含氟废水资源化生产氟化的微气泡处理设备,包括废水箱、酸碱中和池、除氟反应池、氯化钙加药箱、吸氟反应池和电控箱,所述废水箱、酸碱中和池、除氟反应池和吸氟反应池之间依次通过输液管连通,所述氯化钙加药箱和除氟反应池通过加药管连通,所述加药管的管路上安装有加药阀和加药泵,所述除氟反应池中安装有微气泡气浮装置,所述吸氟反应池中安装有除氟树脂,所述吸氟反应池上侧安装有反冲洗管,通过微气泡气浮装置对废水中即时生成的氟化进行浮选,得到高纯度的氟化,使废水中的氟资源回收再利用,不仅少了危废氟化污泥的产生,而且降低了企业成本。
  • 一种废水资源化生氟化钙气泡处理设备
  • [发明专利]一种基于Materials Studio的二氧化硅包覆氟化的模拟方法-CN202011031502.2有效
  • 陈照强;李琦;许崇海;肖光春;衣明东;张静婕 - 齐鲁工业大学
  • 2020-09-27 - 2023-03-28 - G16C10/00
  • 本发明特别涉及一种采用Materials Studio软件模拟二氧化硅包覆氟化的方法,包括如下步骤:1)利用软件对待计算的初始模型进行构建,得到二氧化硅‑氟化分子结构数据文件;2)利用软件中的Forcite模块对初始模型进行结构优化;3)利用软件中的Forcite模块对模型进行分子动力学运算;4)对动力学处理后的模型进行动力学分析;5)对二氧化硅‑氟化分子结构的界面距离及能量进行计算,获得距离与能量参数;6)通过计算得到二氧化硅‑氟化之间的吸附能。本发明通过计算机对实验过程中工序复杂的二氧化硅包覆氟化进行了模拟,且从原子层面进行了详细分析,帮助实验者分析模拟包覆的结果,有效地缩短了试验周期,节约了实验成本,避免了大量实验,保证了实验者的安全性。
  • 一种基于materialsstudio二氧化硅氟化钙模拟方法
  • [发明专利]基于硅和氟化的结合的半导体光源-CN200680032380.0无效
  • 陈亦凡 - 朗迅科技公司
  • 2006-08-23 - 2008-11-12 - H01S5/30
  • 一种光源基于硅和氟化(CaF2)的结合。硅和氟化不需要是纯的,而是可以对其进行掺杂,或者甚至可使其形成合金,从而控制它们的电学和/或物理特性。优选地,该光源利用硅和氟化的例如被布置为多层结构的交织部分,并且该光源利用导带中的子带间跃迁来工作,从而发射近红外光谱范围内的光。该光源可被布置为形成量子级联激光器、环形谐振腔激光器和波导光放大器。
  • 基于氟化钙结合半导体光源
  • [发明专利]一种大尺寸氟化单晶生长与在位退火的装置-CN202310121876.0有效
  • 罗珏典;王涛;谢晓通;扈峻侨 - 杭州天桴光电技术有限公司
  • 2023-02-16 - 2023-05-16 - C30B11/00
  • 本发明一种大尺寸氟化单晶生长与在位退火的装置,生长装置包括坩埚主体、坩埚盖、坩埚盖内壁的红外反射单元、坩埚盖上的图像采集单元;红外反射单元包括嵌入坩埚盖内壁的多个圆球体,圆球体在控制单元的控制下绕轴心自转,热反射网格是网格状的耐高温热反射涂料;图像采集单元并将采集的图像数据发送给控制单元;控制单元根据图像采集单元的实时图像,计算氟化单晶表面的曲率得到多个生长点;控制单元根据生长点与晶体生长控制模型的比较本发明能够通过红外反射单元对生长环境内热量的反射辐照,调整氟化单晶的生长,以得出应力更小质量更高的氟化单晶。
  • 一种尺寸氟化钙生长在位退火装置

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