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[发明专利]一种单层二硫化钼的制备方法-CN201611027687.3在审
发明人：何大伟;董艳芳;何家琪;赵思淇;王永生 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2016-11-17 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C23C16/453 文献下载
摘要：目前制备单层二硫化钼的方法包括微机械剥离法、液相超声剥离法、锂离子插层法、激光法和退火逐层变薄法、化学气相沉积法。化学气相沉积法制备的二硫化钼尺寸大、表面均匀且层数可控。采用化学气相沉积法制备二硫化钼时，二硫化钼容易在衬底上的杂质或划痕等缺陷处成核生长。基于上述问题，本发明的目的在于提供一种制备单层二硫化钼的简化的化学气相沉积法，能够制备出高质量的单层二硫化钼，同时不需要使用丙酮、食人鱼溶液等有毒危险药品清洗衬底，避免了潜在的危险。
一种单层二硫化钼制备方法

[发明专利]实现对称结构硅基二氧化硅应力光波导偏振不灵敏的方法-CN03147558.2无效
发明人：安俊明;李健;郜定山;夏君磊;李建光;王红杰;胡雄伟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2003-07-22 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：一种用于实现具有对称结构的硅基二氧化硅应力光波导偏振不灵敏的方法，包括如下步骤：(1)在硅衬底上用热氧化法、火焰水解法或等离子增强化学气相沉积法形成二氧化硅下包层；(2)用等离子增强化学气相沉积法生长可调整波导双折射系数的高折射率SiON补偿层；(3)在波导中心用反应离子刻蚀法对称刻蚀掉其中一半；(4)火焰水解法或等离子增强化学气相沉积法生长芯层；(5)进行抛光处理；(6)用反应离子刻蚀法刻蚀芯层，形成条状对称结构的光波导层；(7)火焰水解法或等离子增强化学气相沉积法生长上包层，整个对称结构的硅基二氧化硅偏振不灵敏应力光波导制备完毕。
实现对称结构二氧化硅应力波导偏振不灵敏方法

[发明专利]一种智能变色窗制备方法-CN201410130604.8在审
发明人：周春明;徐源;陈伟;管永锋 -专利权人：能源X控股有限公司
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： G02F1/15 文献下载
摘要：本发明提供的一种智能变色窗的制备方法，包括以下步骤：采用化学气相沉积法，在衬底上生长导电材料，形成第一导电层；采用化学气相沉积法，在第一导电层上生长过渡金属氧化物或其混合物，形成电致变色层；采用两电极或三电极电化学方法，对电致变色层进行离子注入；采用锂化电致变色层的方法或化学气相沉积，在电致变色层上生长氧化物或无机固态锂盐，形成离子传导层；采用化学气相沉积法，在离子传导层上生长过渡金属氧化物或其混合物，形成离子储存层；采用化学气相沉积法，在离子储存层上生长导电材料，形成第二导电层；采用化学气相沉积法，在第二导电层上生长保护层，即制得智能变色窗。
一种智能变色制备方法

[发明专利]制造装置、供给单元及碳纳米管的制造方法-CN201480046680.9有效
发明人：井上翼;中野贵之;中西太宇人 -专利权人：国立大学法人静冈大学;捷恩智株式会社
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： C01B32/162 文献下载
摘要：所述制造装置为通过气相催化法来制造碳纳米管的制造装置，具备第一腔室，具有作为形成碳纳米管的区域的成长区域；第一调温装置、第一调温装置，可调整第一腔室内的成长区域的温度；调压装置、调压装置，可调整第一腔室内的压力；第一供给装置，可对第一腔室内的成长区域供给碳源；第一气化装置(包含加热器)，可将配置在制造装置内的液体气化；第一气化装置(包含加热器)可将液体气化，以将由液体所含有的含铁族元素物质及含卤素物质所形成的至少一种气相催化剂供给至第一腔室内的成长区域该制造装置可以提高通过气相催化法所制造的碳纳米管的生产性。
纳米制造装置成为一部分供给单元以及方法

[发明专利]一种BDDE残留量检测方法-CN201510990591.6有效
发明人：罗丽;王旭敏;熊祥龙 -专利权人：浙江景嘉医疗科技有限公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： G01N30/06 文献下载
摘要：本发明涉及BDDE残留的检测方法，首先，配制含1.0mg/ml的BDDE溶液作为对照品溶液，然后用乙醇溶解样品、离心提取得到供试品溶液；最后，采用气相色谱法FID检测器进行检测。
一种 bdde 残留检测方法

[发明专利]含氟聚合物的解聚-CN200680044634.0有效
发明人： I·J·范德沃尔特;A·T·格鲁能伯格;J·T·内尔 -专利权人：南非原子能股份有限公司
申请日： 2006-11-24 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： C08J11/00 文献下载
摘要：一种将含氟聚合物解聚的方法，包括将呈颗粒形式的固体含氟聚合物连续加入水平的圆柱形第一反应区中。所述含氟聚合物颗粒在一端进入第一反应区。在第一反应区中，从中突出至少一个桨的中轴连续旋转。所述旋转的桨起到在搅拌过程中将含氟聚合物颗粒沿反应区推进的作用。当含氟聚合物颗粒沿反应区移动时，它们经受高温，由此将含氟聚合物解聚成富含含氟化合物的气相。残留的固相在第一反应区的另一端排出，所述气相也是如此。任选地，所述气相通过也处于高温下的第二反应区。使所述气相骤冷，由此回收作为气态产物的含氟化合物。
聚合物解聚

[发明专利]一种凝析油脱硫稳定装置及工艺方法-CN201610634855.9有效
发明人：刘慧敏;刘改焕;诸林;李璐伶;蒲远洋;程林;陈韶华;周明宇;田静;郭庆生;汤智昀;马先 -专利权人：中国石油集团工程设计有限责任公司
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： C10G53/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种凝析油脱硫稳定装置及工艺方法，装置包括依次连接的未稳定凝析油闪蒸罐、未稳定凝析油过滤器、一级换热器、三相分离器、二级换热器、凝析油脱硫稳定塔、塔底重沸器以及稳定凝析油输送泵。本发明的积极效果是用燃料气作为气提气通入凝析油稳定脱硫塔底部，将未稳定含硫凝析油中所含的和部分有机硫脱除，同时采用提馏工艺将凝析油中的轻组分脱除，使产品凝析油中的硫化氢含量以及饱和蒸汽压满足国标等要求。同时本发明还按照脱硫稳定塔的进料方式不同分为直流法和分流法，处理规模≥100吨/天的凝析油处理装置采用分流法更为经济，直流法更适用于处理规模小的装置。
一种凝析油脱硫稳定装置工艺方法

[实用新型]PVT法生长碳化硅晶体的坩埚-CN202022105111.2有效
发明人：陈豆;马远;薛卫明;潘尧波 -专利权人：中电化合物半导体有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种PVT法生长碳化硅晶体的坩埚，该坩埚包括：石墨坩埚体，包括底壁以及侧壁，由底壁和侧壁围成容纳腔；盖合于石墨坩埚体上的石墨坩埚盖；设置于石墨坩埚体内的多孔石墨板及疏气装置；疏气装置为由内而外依次同横轴交替设置的空心多孔石墨管及石墨软毡层叠而成该坩埚，可有效控制含氯气体释放速率与均匀性，避免气相硅在晶体表面凝结而形成结晶缺陷；另外，多孔石墨块的安置可以使通入的多余含氯气体以及悬浮于生长气氛中碳颗粒的逸散，一定程度减少晶体中碳包裹物缺陷，提高碳化硅晶体的质量
pvt 生长碳化硅晶体坩埚

[发明专利]基于误差分析的两相流参数测量修正方法-CN201310672006.9有效
发明人：王微微;陈静静;温永强;陈宇;孔祥翠 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： G01F1/84 文献下载
摘要：本发明属流体测量技术领域，涉及公开了一种基于误差分析的两相流参数测量修正方法，该方法根据实验数据建立科氏质量流量计质量流量测量相对误差与测量密度、含气率的模型，根据模型对科氏质量流量计的测量数据进行修正，实现气液两相流质量流量和含气率的测量。适用于气液两相流含气率及流量的测量，修正后质量流量和含气率的预测误差小于5%。
基于误差分析两相参数测量修正方法

[发明专利]一种钒钛系废催化剂的回收方法-CN202011396534.2在审
发明人：候盛东 -专利权人：攀枝花钢企欣宇化工有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： C01G23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种钒钛系废催化剂的回收方法，包括以下步骤：在还原剂作用下，将废催化剂与氯气在高温下进行氯化反应，生成气相氯化物；将气相氯化物进行全冷凝，对冷凝产物进行过滤或者蒸发，得到含有W和Mo的固相物以及含有Ti和V的液相物；或对气相氯化物进行分步冷凝，分别得到含W、含Mo的固相物以及含Ti和V的液相物；然后向含Ti和V的液相物加入除钒试剂，进行蒸馏，得到含V的固相物和精TiCl4；或对气相氯化物进行全冷凝，对冷凝产物添加除钒试剂，进行蒸馏，得到含W、Mo和V的固相物和精TiCl4。
一种钒钛系废催化剂回收方法

[发明专利]自钽卤化物前体获得整体式的钽和钽氮化物膜的化学气相沉积方法-CN00806872.0无效
发明人：约翰·J·豪塔拉;约翰内斯·F·M·韦斯滕多普 -专利权人：东京电子株式会社
申请日： 2000-04-25 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：描述了一种从无机五卤化钽(TaX₅)前体和氮气中沉积形成高质量的保形钽/钽氮化物(Ta/TaNx)双层膜的化学气相沉积(CVD)法。该蒸气与一种工艺气体混合沉积形成钽膜，并且与一种含氮的工艺气体混合沉积形成TaNx膜到被加热到300℃-500℃的基片(23)上。所沉积的Ta/TaNx双层膜对含铜膜、尤其是在小的纵横特性的集成电路非常有用。这些膜的高保形性优于由物理气相沉积法(PVD)沉积形成的膜。
卤化物获得整体氮化物化学沉积方法

[发明专利]一种采用萤石-硫酸法来制备氟化氢的方法-CN201210588971.3无效
发明人：李中元 -专利权人：天津市泰亨气体有限公司
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： C01B7/19 文献下载
摘要：本发明公开了采用萤石-硫酸法来制备氟化氢的方法。主要是讲含CaF₂＞97%、SiO₂＜1%、CaCO₃＜1%的制酸级萤石经干燥、粉碎筛分至粒度＜150μm后与98%浓硫酸配比送入回转炉内进行反应炉内气相温度控制在（280±10）℃。反应生成的硫酸钙由炉尾排出。经精馏净化后可制得99.8%或更高纯度的无水氟化氢。该法是最好的制备氟化氢的生产方法。
一种采用萤石硫酸制备氟化氢方法

[发明专利]浮法在线生产阳光控制镀膜玻璃的方法-CN200710070568.0无效
发明人：刘军波;刘起英;应益明;曹涯雁;赵年伟;陈华;莫建良;汪建勋;孔繁华;赵明;张铫;施燕飞 -专利权人：杭州蓝星新材料技术有限公司
申请日： 2007-08-28 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： C03C17/245 文献下载
摘要：本发明涉及浮法在线生产阳光控制镀膜玻璃的方法。利用金属有机化合物化学气相沉积法，在浮法玻璃生产线的退火窑A0区，温度在550～600℃范围内，在热的玻璃带表面沉积含钛源，掺磷和碳的具有阳光控制功能的膜层。
在线生产阳光控制镀膜玻璃方法

[发明专利]一种去除甲烷和氮气分离提纯氦气的方法-CN202010796684.6有效
发明人：段罗斌;胡咸军;陈杰;庄坤融;张超 -专利权人：中船重工鹏力（南京）超低温技术有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： F25J3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除甲烷和氮气分离提纯氦气的方法，该方法步骤为：经前端工序预处理浓缩后的除氢原料气增压至20～30bar后，进入低温冷箱，经过带压液氮将其冷却降温至90～95K，随后进行气液分离，得到含少量甲烷和氮气的气相粗氦气和液相粗甲烷；将所得的含少量甲烷和氮气的气相粗氦气经过常压液氮，将其冷却降温至77～80K，随后进行气液分离，得到含少量氮气的气相粗氦气和液相粗氮；将所得的含少量氮气的气相粗氦气进行低温吸附，通过低温吸附少量氮气，
一种去除甲烷氮气分离提纯氦气方法

[发明专利]一种1-癸炔-5醇的纯度分析法及手性分析法-CN202111103887.3在审
发明人：陆茜;付杨杰;陈晶晶 -专利权人：上海凌凯医药科技有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种1‑癸炔‑5醇的纯度分析法及手性分析法，属于分析检测领域。本发明提供的1‑癸炔‑5醇的纯度分析法，因为采用了气相色谱法并且采用了合适的气相色谱条件，所以，本发明能够准确高效地检测出1‑癸炔‑5醇的纯度。本发明提供的1‑癸炔‑5醇的手性分析法，因为采用了气相色谱法并且将柱温的初始温度控制在60℃‑80℃之间，载气柱流速控制在2mL/min‑4mL/min之间，所以本发明能够有效地在谱图中分离1‑癸炔‑5
一种癸炔纯度分析手性